SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ А. Колист. Каналов Втипа Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Ток - Скороп Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip На Current - On State (it (rms)) (MMaks) Current - Hold (ih) Vхodы - Стерона 1/СОЗОРОНА 2 Обжильжим Я Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks) САМАМА Статистский DV/DT (мин) Ток - С. Klючite -wreman
TLP732(D4COS-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (D4COS-LF2, ф -
RFQ
ECAD 9163 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP732 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP732 (D4COS-LF2F Ear99 8541.49.8000 50
TLP187(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP187 (TPL, e 1.0300
RFQ
ECAD 3033 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLP187 ТОК 1 Дэйрлингтон 6-Sop СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 150 май 40 мкс, 15 мкс 300 1,25 50 май 3750vrms 1000% @ 1MA - 50 мкс, 15 мкс 1,2 В.
TLP293-4(4LGBTPE Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 (4LGBTPE 1.6300
RFQ
ECAD 4797 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 16 SOIC (0,179 », Ирина 4,55 мм) TLP293 ТОК 4 Траншистор 16-й СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,25 50 май 3750vrms 100% @ 500 мк 600% @ 500 мк 3 мкс, 3 мкс 300 м
TLP387(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP387 (TPR, e 0,8700
RFQ
ECAD 5699 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLP387 ТОК 1 Дэйрлингтон 6 tyakowых, 4 -й лирштва СКАХАТА ROHS COMPRINT Neprigodnnый Ear99 8541.49.8000 3000 150 май 40 мкс, 15 мкс 300 1,25 50 май 5000 дней 1000% @ 1MA - 50 мкс, 15 мкс 1V
TLP731(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP731 (gr, f) -
RFQ
ECAD 7253 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP731 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP731 (GRF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP3073(LF1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3073 (LF1, ф 2.0100
RFQ
ECAD 2749 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD (5 проводока), крхло-а-ай TLP3073 CQC, cur, ur 1 Триак 6 tyakowых, 5 -йлидирштва СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 1,15 В. 50 май 5000 дней 800 100 май 1ma (typ) Не 2 кв/мкс (тип) 5 май -
TLP331(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP331 (F) -
RFQ
ECAD 6386 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) TLP331 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 50 май 8 мкс, 8 мкс 55 1,15 В. 50 май 5000 дней 100% @ 1MA 1200% @ 1MA 10 мкс, 8 мкс 400 м
TLP358F(TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP358F (TP4, F) -
RFQ
ECAD 6352 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло TLP358 ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 15 В ~ 30 8-SMD СКАХАТА 264-TLP358F (TP4F) Ear99 8541.49.8000 1 6 а - 17ns, 17ns 1,57 20 май 3750vrms 1/0 20 кв/мкс 500NS, 500NS
TLP137(BV-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP137 (BV-TPR, F) -
RFQ
ECAD 5868 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 5 проводников TLP137 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-mfsop, 5 LIDERSTHASTA - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) TLP137 (BV-TPRF) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 8 мкс, 8 мкс 80 1,15 В. 50 май 3750vrms 200% @ 1MA 1200% @ 1MA 10 мкс, 8 мкс 400 м
TLP5772H(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5772H (TP4, e 2.6900
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) TLP5772 ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 10 В ~ 30 В. 6 ТАКОГО СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 - 56NS, 25NS 1,65 В. 8 май 5000 дней 1/0 35 К/мкс 150NS, 150NS
TLP2372(V4-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2372 (V4-TPR, e 1.9100
RFQ
ECAD 4072 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм), 5 проводников TLP2372 ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 2,2 В ~ 5,5 В. 6 tyakowых, 5 -йлидирштва СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 8 май 20 марта / с 2.2NS, 1,6NS 1,53 В. 8 май 3750vrms 1/0 20 кв/мкс 75ns, 75ns
TLP131(GB-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP131 (GB-TPL, F) -
RFQ
ECAD 8605 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 5 проводников TLP131 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-mfsop, 5 LIDERSTHASTA - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) TLP131 (GB-TPLF) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 50 май 3750vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLP161J(V4T5TRUC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J (V4T5TRUC, ф -
RFQ
ECAD 7918 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Lenta и катахка (tr) Управо TLP161 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP161J (V4T5TRUCFTR Ear99 8541.49.8000 3000
TLP750(D4-O,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750 (D4-O, F) -
RFQ
ECAD 8171 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP750 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP750 (D4-of) Ear99 8541.49.8000 50
TLP250HF(D4-TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250HF (D4-TP4, F) -
RFQ
ECAD 6360 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 8-SMD, крхло TLP250 ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 10 В ~ 30 В. 8-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP250HF (D4-TP4F) Tr Ear99 8541.49.8000 1500 2 а - 50ns, 50ns 1,57 5 май 3750vrms 1/0 40 кв/мкс 500NS, 500NS
TLP718F(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP718F (TP, F) -
RFQ
ECAD 2931 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SOIC (0,268 дюйма, Ирина 6,80 мм) TLP718 ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 4,5 В ~ 20. 6-Sdip Gull Wing СКАХАТА 264-TLP718F (TPF) Ear99 8541.49.8000 1 5 марта / с - - 3MA 5000 дней 1/0 10 кв/мкс 250NS, 250NS
TLP759(D4-TP4,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (D4-TP4, J, F) -
RFQ
ECAD 8421 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло TLP759 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-SMD СКАХАТА 264-TLP759 (D4-TP4JF) Ear99 8541.49.8000 1 8 май - - 1,65 В. 25 май 5000 дней 20% @ 16ma - - -
TLP785F(Y-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (y-lf7, f -
RFQ
ECAD 7022 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло TLP785 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP785F (Y-LF7F Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 60 май 5000 дней 50% @ 5MA 150% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLP781(D4-GB-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-GB-TP6, ф -
RFQ
ECAD 7972 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло TLP781 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP781 (D4-GB-TP6FTR Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 60 май 5000 дней 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLP759F(D4STIT4J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759F (D4Stit4J, f -
RFQ
ECAD 3246 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) TLP759 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-Dip СКАХАТА 264-tlp759f (d4stit4jf Ear99 8541.49.8000 1 - - - 1,65 В. 25 май 5000 дней 20% @ 16ma - - -
TLP2367(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2367 (e 2.5100
RFQ
ECAD 9738 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм), 5 проводников TLP2367 ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 2,7 В ~ 5,5 В. 6 tyakowых, 5 -йлидирштва СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 125 10 май 50 млр 2ns, 1ns 1,6 В. 15 май 3750vrms 1/0 25 кв/мкс 20ns, 20ns
TLP759(FANUC1T1J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (Fanuc1t1j, f -
RFQ
ECAD 5503 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) TLP759 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-Dip СКАХАТА 264-TLP759 (Fanuc1t1jf Ear99 8541.49.8000 1 8 май - - 1,65 В. 25 май 5000 дней 20% @ 16ma - - -
TLP624-4(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP624-4 (LF1, F) -
RFQ
ECAD 1878 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP624 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP624-4 (LF1F) Ear99 8541.49.8000 25
TLP387(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP387 (e 0,8700
RFQ
ECAD 9204 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLP387 ТОК 1 Дэйрлингтон 6 tyakowых, 4 -й лирштва СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP387 (e Ear99 8541.49.8000 125 150 май 40 мкс, 15 мкс 300 1,25 50 май 5000 дней 1000% @ 1MA - 50 мкс, 15 мкс 1,2 В.
TLP2768(D4MBSTP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2768 (D4MBSTP, F) -
RFQ
ECAD 3853 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,268 дюйма, Ирина 6,80 мм) ТОК 1 Otkrыtый -kollekshyoner, шottkki зathat 2,7 В ~ 5,5 В. 6-Sdip Gull Wing СКАХАТА 264-TLP2768 (D4MBSTPF) Ear99 8541.49.8000 1 25 май 20 марта 30ns, 30ns 1,55 25 май 5000 дней 1/0 20 кв/мкс 60NS, 60NS
TLP632(LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP632 (LF2, F) -
RFQ
ECAD 5494 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP632 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP632 (LF2F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP759F(D4MBIM,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759F (D4MBIM, J, F. -
RFQ
ECAD 7448 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) TLP759 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-Dip СКАХАТА 264-TLP759F (D4MBIMJF Ear99 8541.49.8000 1 - - - 1,65 В. 25 май 5000 дней 20% @ 16ma - - -
TLP785F(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (ф -
RFQ
ECAD 9190 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) TLP785 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP785F (ф Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 60 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLP2304(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2304 (TPR, e 1.4100
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм), 5 проводников TLP2304 ТОК 1 Otkrыtый kollekцyoner 4,5 В ~ 30 В. 6 tyakowых, 5 -йлидирштва СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 15 май 1 март - 1,55 25 май 3750vrms 1/0 20 кв/мкс 550NS, 400NS
TLP127(V4-MBS-TL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (V4-MBS-TL, F. -
RFQ
ECAD 1423 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD (4 свина), кргло TLP127 ТОК 1 Дэйрлингтон 6-mfsop, 4-й лир - 1 (neograniчennnый) 264-TLP127 (V4-MBS-TLF Ear99 8541.49.8000 1 150 май 40 мкс, 15 мкс 300 1,15 В. 50 май 2500vrms 1000% @ 1MA - 50 мкс, 15 мкс 1,2 В.
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе