SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИПВ Колист. Каналов Втипа ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Eccn Htsus Станодадж Ток - Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks)
TPC816MD C9G Taiwan Semiconductor Corporation TPC816MD C9G -
RFQ
ECAD 2137 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ TPC816 Трубка Управо -30 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2500 50 май 4 мкс, 3 мкс 70В 1,2 В. 50 май 5000 дней 300% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 м
TPC817MC C9G Taiwan Semiconductor Corporation TPC817MC C9G -
RFQ
ECAD 1887 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ TPC817 Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 5000 дней 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 200 м
TPC817S1C RAG Taiwan Semiconductor Corporation TPC817S1C Rag -
RFQ
ECAD 3578 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ TPC817 Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 5000 дней 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 200 м
TPC816MB C9G Taiwan Semiconductor Corporation TPC816MB C9G -
RFQ
ECAD 4667 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ TPC816 Трубка Управо -30 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2500 50 май 4 мкс, 3 мкс 70В 1,2 В. 50 май 5000 дней 130% @ 5MA 260% @ 5MA - 200 м
TPC817MA C9G Taiwan Semiconductor Corporation TPC817MA C9G -
RFQ
ECAD 6523 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ TPC817 Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2500 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 5000 дней 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 200 м
TPC816S1D RAG Taiwan Semiconductor Corporation TPC816S1D Rag -
RFQ
ECAD 3457 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ TPC816 Lenta и катахка (tr) Управо -30 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 4 мкс, 3 мкс 70В 1,2 В. 50 май 5000 дней 300% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 м
TPC816MC C9G Taiwan Semiconductor Corporation TPC816MC C9G -
RFQ
ECAD 4841 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ TPC816 Трубка Управо -30 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2500 50 май 4 мкс, 3 мкс 70В 1,2 В. 50 май 5000 дней 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 200 м
TPC817B C9G Taiwan Semiconductor Corporation TPC817B C9G -
RFQ
ECAD 1680 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ TPC817 Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2500 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 5000 дней 130% @ 5MA 260% @ 5MA - 200 м
TPC817C C9G Taiwan Semiconductor Corporation TPC817C C9G -
RFQ
ECAD 6081 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ TPC817 Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2500 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 5000 дней 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 200 м
TPC817S1D RAG Taiwan Semiconductor Corporation TPC817S1D Rag -
RFQ
ECAD 3903 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ TPC817 Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 5000 дней 300% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 м
TPC817S1B RAG Taiwan Semiconductor Corporation TPC817S1B Rag -
RFQ
ECAD 9796 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ TPC817 Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 5000 дней 130% @ 5MA 260% @ 5MA - 200 м
TPC816C C9G Taiwan Semiconductor Corporation TPC816C C9G -
RFQ
ECAD 6984 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ TPC816 Трубка Управо -30 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2500 50 май 4 мкс, 3 мкс 70В 1,2 В. 50 май 5000 дней 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 200 м
TPC816B C9G Taiwan Semiconductor Corporation TPC816B C9G -
RFQ
ECAD 7307 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ TPC816 Трубка Управо -30 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2500 50 май 4 мкс, 3 мкс 70В 1,2 В. 50 май 5000 дней 130% @ 5MA 260% @ 5MA - 200 м
TPC816S1A RAG Taiwan Semiconductor Corporation TPC816S1A Rag -
RFQ
ECAD 8623 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ TPC816 Lenta и катахка (tr) Управо -30 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 4 мкс, 3 мкс 70В 1,2 В. 50 май 5000 дней 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 200 м
TPC816MA C9G Taiwan Semiconductor Corporation TPC816MA C9G -
RFQ
ECAD 4294 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ TPC816 Трубка Управо -30 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2500 50 май 4 мкс, 3 мкс 70В 1,2 В. 50 май 5000 дней 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 200 м
TPC817MD C9G Taiwan Semiconductor Corporation TPC817MD C9G -
RFQ
ECAD 6686 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ TPC817 Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2500 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 5000 дней 300% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 м
TPC816S1C RAG Taiwan Semiconductor Corporation TPC816S1C Rag -
RFQ
ECAD 2586 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ TPC816 Lenta и катахка (tr) Управо -30 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 4 мкс, 3 мкс 70В 1,2 В. 50 май 5000 дней 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 200 м
TPC817MB C9G Taiwan Semiconductor Corporation TPC817MB C9G -
RFQ
ECAD 7125 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ TPC817 Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 5000 дней 130% @ 5MA 260% @ 5MA - 200 м
TPC816A C9G Taiwan Semiconductor Corporation TPC816A C9G 0,3900
RFQ
ECAD 117 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ TPC816 Трубка Управо -30 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 4 мкс, 3 мкс 70В 1,2 В. 50 май 5000 дней 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 200 м
TPC817S1A RAG Taiwan Semiconductor Corporation TPC817S1A Rag -
RFQ
ECAD 8455 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ TPC817 Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 5000 дней 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 200 м
TPC816D C9G Taiwan Semiconductor Corporation TPC816D C9G 0,3900
RFQ
ECAD 252 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ TPC816 Трубка Управо -30 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 4 мкс, 3 мкс 70В 1,2 В. 50 май 5000 дней 300% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 м
TPC816S1B RAG Taiwan Semiconductor Corporation TPC816S1B Rag -
RFQ
ECAD 5692 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ TPC816 Lenta и катахка (tr) Управо -30 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 4 мкс, 3 мкс 70В 1,2 В. 50 май 5000 дней 130% @ 5MA 260% @ 5MA - 200 м
TPC817D C9G Taiwan Semiconductor Corporation TPC817D C9G -
RFQ
ECAD 9291 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ TPC817 Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2500 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 5000 дней 300% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 м
TPC817A C9G Taiwan Semiconductor Corporation TPC817A C9G -
RFQ
ECAD 3336 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ TPC817 Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2500 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 5000 дней 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 200 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе