SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Агентево Колист. Каналов Втипа Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Ток - Скороп Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip На Current - On State (it (rms)) (MMaks) Current - Hold (ih) Vхodы - Стерона 1/СОЗОРОНА 2 Обжильжим Я Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks) САМАМА Статистский DV/DT (мин) Ток - С. Klючite -wreman
TCLT1113 Vishay Semiconductor Opto Division TCLT1113 0,8300
RFQ
ECAD 7451 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6 SoiC (0,295 ", шIrInA 7,50 мм), 5 проводников TCLT1113 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Sop, 5 PIN СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,25 60 май 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma 6 мкс, 5 мкс 300 м
CNY17-3X006 Vishay Semiconductor Opto Division CNY17-3X006 0,7100
RFQ
ECAD 295 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) CNY17 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
ILD610-3X006 Vishay Semiconductor Opto Division ILD610-3X006 -
RFQ
ECAD 3072 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ILD610 ТОК 2 Траншистор 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2,9 мкс, 3,1 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3,6 мкс, 3,7 мкс 400 м
VOT8125AB-VT2 Vishay Semiconductor Opto Division WAT8125AB-VT2 0,4355
RFQ
ECAD 8890 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD (5 проводока), крхло-а-ай VOT8125 CQC, CUL, UL, VDE 1 Триак 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 751-VOT8125AB-VT2TR Ear99 8541.49.8000 1000 1,2 В. 50 май 5000 дней 800 В 100 май 400 мк (typ) Не 1 кв/мкс 5 май -
SFH6106-3T-LB Vishay Semiconductor Opto Division SFH6106-3T-LB -
RFQ
ECAD 9258 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я SFH6106 МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-SMD - DOSTISH 751-SFH6106-3T-LB Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 3 мкс, 14 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 4,2 мкс, 23 мкс 400 м
SFH615A-1 Vishay Semiconductor Opto Division SFH615A-1 0,8000
RFQ
ECAD 162 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) SFH615 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH SFH615A1 Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 11 мкс 70В 1,35 В. 60 май 5300vrms 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3 мкс, 18 мкс 400 м
VO617C-2X001 Vishay Semiconductor Opto Division VO617C-2X001 0,2262
RFQ
ECAD 4504 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА 751-VO617C-2X001TR Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 3 мкс, 3 мкс 80 1,1 В. 60 май 5300vrms 63% @ 5MA 125% @ 5MA 6 мкс, 4 мкс 400 м
VOT8123AB-VT2 Vishay Semiconductor Opto Division WAT8123AB-VT2 0,4124
RFQ
ECAD 4043 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло VOT8123 CQC, CUL, UL, VDE 1 Триак 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 751-VOT8123AB-VT2TR Ear99 8541.49.8000 1000 1,2 В. 50 май 5000 дней 800 В 100 май 400 мк (typ) Не 1 кв/мкс 10 май -
SFH6731 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6731 -
RFQ
ECAD 3768 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) SFH6731 ТОК 2 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 4,5 В ~ 15 В. 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 25 май 5 марта 40NS, 10NS 1,6 В. 10 май 5300vrms 2/0 1 кв/мкс 300NS, 300NS
VOT8123AB-VT Vishay Semiconductor Opto Division Vot8123ab-vt 0,4124
RFQ
ECAD 8519 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло VOT8123 CQC, CUL, UL, VDE 1 Триак 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 751-VOT8123AB-VTTR Ear99 8541.49.8000 1000 1,2 В. 50 май 5000 дней 800 В 100 май 400 мк (typ) Не 1 кв/мкс 10 май -
VOH1016AD Vishay Semiconductor Opto Division Voh1016ad 1.1000
RFQ
ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) Voh1016 ТОК 1 Otkrыtый kollekцyoner 16 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2 мг 50ns, 40ns 1,1 В. 50 май 5000 дней 1/0 10 кв/мкс 2 мкс, 1,2 мкс
VOT8026AB-T Vishay Semiconductor Opto Division WAT8026AB-T 1.2200
RFQ
ECAD 9981 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло VOT8026 CQC, CUL, UL, VDE 1 Триак 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 1,2 В. 50 май 5300vrms 800 В 100 май 400 мк (typ) В дар 1 кв/мкс 5 май -
IL252-X017 Vishay Semiconductor Opto Division IL252-X017 -
RFQ
ECAD 9314 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 3-SMD, кргло IL252 AC, DC 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 - - 30 1,2 В. 60 май 5300vrms 100% @ 10ma - - 400 м
VOS627A-4T Vishay Semiconductor Opto Division VOS627A-4T 0,7200
RFQ
ECAD 7182 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) AC, DC 1 Траншистор 4-Ssop СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 3 мкс, 3 мкс 80 1,1 В. 50 май 3750vrms 160% @ 5MA 320% @ 5MA 6 мкс, 4 мкс 400 м
VO617A-7 Vishay Semiconductor Opto Division VO617A-7 0,1872
RFQ
ECAD 2165 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА 751-Vo617a-7tr Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 2 мкс, 2 мкс 80 1,35 В. 60 май 5300vrms 80% @ 5MA 160% @ 5MA 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
IL211AT-LB Vishay Semiconductor Opto Division IL211AT-LB -
RFQ
ECAD 1041 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я IL211AT МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8 лейт - 751-IL211AT-LB Ear99 8541.49.8000 1000 - - 30 1,3 В. 60 май 4000 дней 20% @ 10ma - 3 мкс, 3 мкс 400 м
VOT8026AB-VT2 Vishay Semiconductor Opto Division WAT8026AB-VT2 0,4441
RFQ
ECAD 4391 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло VOT8026 CQC, CUL, UL, VDE 1 Триак 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 751-VOT8026AB-VT2TR Ear99 8541.49.8000 1000 1,2 В. 50 май 5300vrms 800 В 100 май 400 мк (typ) В дар 1 кв/мкс 5 май -
VOT8026AB Vishay Semiconductor Opto Division Wat8026ab 0,3990
RFQ
ECAD 7511 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -40 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло VOT8026 CQC, CUL, UL, VDE 1 Триак 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 751-VOT8026AB Ear99 8541.49.8000 2000 1,2 В. 50 май 5300vrms 800 В 100 май 400 мк (typ) В дар 1 кв/мкс 5 май -
BRT12-F Vishay Semiconductor Opto Division BRT12-F -
RFQ
ECAD 2188 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) BRT12 CQC, UL 1 Триак 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 1,1 В. 20 май 5300vrms 600 300 май 500 мк Не 10 кв/мкс 1,2 мая -
SFH6286-3 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6286-3 1.2500
RFQ
ECAD 7570 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH6286 AC, DC 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 3,5 мкс, 5 мкс 55 1,1 В. 50 май 5300vrms 100% @ 1MA 320% @ 1MA 6 мкс, 5,5 мкс 400 м
CNY17F-3X007 Vishay Semiconductor Opto Division CNY17F-3X007 0,7100
RFQ
ECAD 2635 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY17 ТОК 1 Траншистор 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
VOT8024AB-T3 Vishay Semiconductor Opto Division WAT8024AB-T3 1.2500
RFQ
ECAD 3088 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло VOT8024 CQC, CUL, UL, VDE 1 Триак 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 1,2 В. 50 май 5300vrms 800 В 100 май 400 мк (typ) В дар 1 кв/мкс 5 май -
SFH690D-X001T Vishay Semiconductor Opto Division SFH690D-X001T 0,2740
RFQ
ECAD 2641 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH690 ТОК 1 Траншистор 4-Sop (2,54 мм) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 3 мкс, 4 мкс 70В 1,15 В. 50 май 3750vrms 200% @ 5MA 400% @ 5MA 5 мкс, 3 мкс 300 м
VO4257D-X006 Vishay Semiconductor Opto Division VO4257D-X006 -
RFQ
ECAD 2640 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) VO4257 Bsi, cur, fimko, ur 1 Триак 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 1,2 В. 60 май 5300vrms 700 300 май - Не 5 кв/мкс 1,6 мая -
HWXX58438 Vishay Semiconductor Opto Division HWXX58438 -
RFQ
ECAD 8679 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Управо HWXX5 - 751-HWXX58438 Управо 1000
VO3020-X017T Vishay Semiconductor Opto Division VO3020-X017T -
RFQ
ECAD 1310 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло Vo302 CQC, CSA, CUL, FIMKO, UL, VDE 1 Триак 6-SMD - 751-VO3020-X017TTR Ear99 8541.49.8000 1000 1,3 В. 50 май 5000 дней 400 100 май 200 мка (теп) Не 100 вар/мкс 30 май -
SFH6702-X009 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6702-X009 -
RFQ
ECAD 2909 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8-SMD, крхло SFH6702 ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 4,5 В ~ 15 В. 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 25 май 5 марта 40NS, 10NS 1,6 В. 10 май 5300vrms 1/0 1 кв/мкс 300NS, 300NS
CNY17-2. Vishay Semiconductor Opto Division CNY17-2. 0,6600
RFQ
ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка В аспекте -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) CNY17 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
TCET1109G Vishay Semiconductor Opto Division TCET1109G 0,6000
RFQ
ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) TCET1109 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,25 60 май 5000 дней 200% @ 5MA 400% @ 5MA 6 мкс, 5 мкс 300 м
CNY117F-1X001 Vishay Semiconductor Opto Division CNY117F-1X001 0,3086
RFQ
ECAD 4936 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) CNY117 ТОК 1 Траншистор 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе