SIC
close

Оптол авертор (2060)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (Dollar) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Агентево Колист. Каналов Втипа Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Ток - Скороп Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip На Current - On State (it (rms)) (MMaks) Current - Hold (ih) Vхodы - Стерона 1/СОЗОРОНА 2 Обжильжим Я Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks) САМАМА Статистский DV/DT (мин) Ток - С. Klючite -wreman
SFH691AT Vishay Semiconductor Opto Division SFH691AT 1.1000
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH691 AC, DC 1 Траншистор 4-Sop (2,54 мм) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 3 мкс, 4 мкс 70В 1,15 В. 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 300% @ 5MA 5 мкс, 3 мкс 300 м
4N27-X007 Vishay Semiconductor Opto Division 4n27-x007 0,2167
RFQ
 ECAD 3347 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло 4n27 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,36 В. 60 май 5000 дней 10% @ 10ma - - 500 м
IL206AT Vishay Semiconductor Opto Division IL206AT 1.0800
RFQ
 ECAD 995 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IL206 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 - - 70В 1,3 В. 60 май 4000 дней 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3 мкс, 3 мкс 400 м
K3020PG Vishay Semiconductor Opto Division K3020PG 0,9700
RFQ
 ECAD 772 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Прохл -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) K3020 BSI, CQC, CSA, CUR, UR, VDE 1 Триак 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 1,3 В. 80 май 5300vrms 400 100 май 200 мка (теп) Не 10 В/мкс (тип) 30 май -
VO2631-X016 Vishay Semiconductor Opto Division VO2631-X016 -
RFQ
 ECAD 8009 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ТОК 2 Откргит 4,5 n 5,5. 8-Dip - 751-VO2631-X016 Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 10 марта 23ns, 7ns 1,4 В. 15 май 5300vrms 2/0 5 кв/мкс 100ns, 75ns
ILD55-X009T Vishay Semiconductor Opto Division ILD55-X009T -
RFQ
 ECAD 9548 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло ILD55 ТОК 2 Дэйрлингтон 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 125 май 10 мкс, 35 мкс 55 1,25 60 май 5300vrms 100% @ 10ma - - 1V
IL4116-X009 Vishay Semiconductor Opto Division IL4116-X009 -
RFQ
 ECAD 7153 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD IL4116 BSI, CSA, CUR, FIMKO, UR 1 Триак СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 1,3 В. 60 май 5300vrms 600 300 май 200 мк В дар 10 кв/мкс 1,3 Ма 35 мкс
4N33-X001 Vishay Semiconductor Opto Division 4n33-x001 0,2178
RFQ
 ECAD 7106 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) 4n33 ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 100 май - 30 1,25 60 май 5300vrms 500% @ 10ma - 5 мкс, 100 мкс (MMAKS) 1в (тип)
VO1263AAC Vishay Semiconductor Opto Division VO1263AAC 5.1100
RFQ
 ECAD 1948 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло VO1263 ТОК 2 Фото -доктерский 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 3 мка - 16,5. 1,3 В. 50 май 5300vrms - - 16 мкс, 472 мкс -
VOA300-DEFG-X017T Vishay Semiconductor Opto Division VOA300-DEFG-X017T 3.6000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я Автомобиль, AEC-Q102 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 8-SMD, крхло VOA300 ТОК 3 Фотолктристески, имени 8-SMD СКАХАТА 3 (168 чASOW) Ear99 8541.49.8000 1000 - 800NS, 800NS - 1,4 В. 60 май 5300vrms - - - -
SFH600-2X007 Vishay Semiconductor Opto Division SFH600-2X007 1.0100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло SFH600 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2 мкс, 2,5 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3,2 мкс, 3 мкс 400 м
VOT8025AD-V Vishay Semiconductor Opto Division WOT8025AD-V 1,3000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -40 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-dip (0,300 ", 7,62 мм), 5 Свиньдов VOT8025 CQC, CUL, UL, VDE 1 Триак 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 1,2 В. 50 май 5300vrms 800 В 100 май 400 мк (typ) В дар 1 кв/мкс 5 май -
SFH600-1X007T Vishay Semiconductor Opto Division SFH600-1X007T 0,3399
RFQ
 ECAD 4824 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло SFH600 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2,5 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3,2 мкс, 3 мкс 400 м
ILD217T Vishay Semiconductor Opto Division ILD217T 1.4600
RFQ
 ECAD 38 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) ILD217 ТОК 2 Траншистор 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 - 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,2 В. 30 май 4000 дней 100% @ 1MA - 6 мкс, 5 мкс 400 м
K847PH Vishay Semiconductor Opto Division K847PH 2.9500
RFQ
 ECAD 350 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 16-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) K847 ТОК 4 Траншистор 16-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 25 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,25 60 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA 6 мкс, 5 мкс 300 м
IL300-X009T Vishay Semiconductor Opto Division IL300-X009T 4.9600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло IL300 ТОК 1 Фотолктристески, имени 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 70 мк (теп) 1 мкс, 1 мкс 500 м 1,25 60 май 5300vrms - - - -
IL2 Vishay Semiconductor Opto Division IL2 -
RFQ
 ECAD 6235 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) IL2 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2,6 мкс, 2,2 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 100% @ 10ma 500% @ 10ma 1,2 мкс, 2,3 мкс 250 мв (теп)
IL252-X001 Vishay Semiconductor Opto Division IL252-X001 -
RFQ
 ECAD 1621 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) IL252 AC, DC 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 - - 30 1,2 В. 60 май 5300vrms 100% @ 10ma - - 400 м
SFH6345-X009 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6345-X009 2.0700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло SFH6345 ТОК 1 Траншистор 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 8 май - 25 В 1,33 В. 25 май 5300vrms 19% @ 16ma - 300NS, 300NS 400 м
CNY75GB Vishay Semiconductor Opto Division CNY75GB 0,6600
RFQ
 ECAD 59 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) CNY75 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 3 мкс, 3,7 мкс 70В 1,25 60 май 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma 5,5 мкс, 4 мкс 300 м
VO615A-4X006 Vishay Semiconductor Opto Division VO615A-4X006 0,4400
RFQ
 ECAD 2808 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) VO615 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,43 В. 60 май 5000 дней 160% @ 10ma 320% @ 10ma 6 мкс, 5 мкс 300 м
VO615A-3X007T Vishay Semiconductor Opto Division VO615A-3X007T 0,4700
RFQ
 ECAD 7995 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло VO615 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,43 В. 60 май 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma 6 мкс, 5 мкс 300 м
ILD615-4 Vishay Semiconductor Opto Division ILD615-4 1.9100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ILD615 ТОК 2 Траншистор 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,15 В. 60 май 5300vrms 160% @ 10ma 320% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс -
VO615A-4X016 Vishay Semiconductor Opto Division VO615A-4x016 0,1083
RFQ
 ECAD 7405 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) VO615 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,43 В. 60 май 5000 дней 160% @ 10ma 320% @ 10ma 6 мкс, 5 мкс 300 м
SFH615AY-X019T Vishay Semiconductor Opto Division SFH615AY-X019T 0,3322
RFQ
 ECAD 2109 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH615 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май - 70В 1,25 60 май 5300vrms 50% @ 5MA 150% @ 5MA 2 мкс, 25 мкс 400 м
SFH600-1X017 Vishay Semiconductor Opto Division SFH600-1x017 -
RFQ
 ECAD 6009 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло SFH600 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2,5 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3,2 мкс, 3 мкс 400 м
ILD615-1X007T Vishay Semiconductor Opto Division ILD615-1X007T 1.8100
RFQ
 ECAD 524 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло ILD615 ТОК 2 Траншистор 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,15 В. 60 май 5300vrms 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс -
H11A2 Vishay Semiconductor Opto Division H11A2 -
RFQ
 ECAD 3441 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) H11 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май - 70В 1,1 В. 60 май 5300vrms 20% @ 10ma - 3 мкс, 3 мкс 400 м
VO3020-X007T Vishay Semiconductor Opto Division VO3020-X007T -
RFQ
 ECAD 9281 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло Vo302 CQC, CSA, CUL, FIMKO, UL, VDE 1 Триак 6-SMD - 751-VO3020-X007TTR Ear99 8541.49.8000 1000 1,3 В. 50 май 5000 дней 400 100 май 200 мка (теп) Не 100 вар/мкс 30 май -
SFH6943A-2T Vishay Semiconductor Opto Division SFH6943A-2T -
RFQ
 ECAD 4576 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер SOT-223-10 SFH6943 ТОК 4 Траншистор 10-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 10 май 3 мкс, 3,1 мкс 70В 1,25 3 мая 1768vrms 63% @ 1MA 200% @ 1MA 2,6 мкс, 2,8 мкм -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть