SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (Dollar) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Агентево Колист. Каналов Втипа ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Eccn Htsus Станодар Ток - Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip На Current - On State (it (rms)) (MMaks) Current - Hold (ih) Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks) САМАМА Статистский DV/DT (мин) Ток - С. Klючite -wreman
SFH6345-X019 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6345-X019 2.0600
RFQ
ECAD 2 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло SFH6345 ТОК 1 Траншистор 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 8 май - 25 В 1,33 В. 25 май 5300vrms 19% @ 16ma - 300NS, 300NS 400 м
IL4216 Vishay Semiconductor Opto Division IL4216 -
RFQ
ECAD 2925 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) IL4216 BSI, CSA, CUR, FIMKO, UR 1 Триак 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 1,3 В. 60 май 5300vrms 600 300 май 200 мк Не 10 кв/мкс 700 мк (теп) -
K817P9 Vishay Semiconductor Opto Division K817P9 -
RFQ
ECAD 1657 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) K817 ТОК 1 Траншистор 4-Dip - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,25 60 май 5000 дней 200% @ 5MA 400% @ 5MA 6 мкс, 5 мкс 300 м
TCET1113 Vishay Semiconductor Opto Division TCET1113 0,7300
RFQ
ECAD 4973 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -40 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) TCET1113 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,25 60 май 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma 6 мкс, 5 мкс 300 м
IL388T Vishay Semiconductor Opto Division IL388T -
RFQ
ECAD 3495 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 75 ° C. Пефер 8-Sop (0,220 ", ширина 5,60 мм) IL388 ТОК 1 Траншистор, линий 8-Sop MF СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 - 350 мкс, - - 1,8 В. 30 май 2130. - - - -
VO4258M Vishay Semiconductor Opto Division Vo4258m 1.2707
RFQ
ECAD 6833 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) VO4258 Bsi, cur, fimko, ur 1 Триак 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 1,2 В. 60 май 5300vrms 800 В 300 май - Не 5 кв/мкс 3MA -
VO617C-2X016 Vishay Semiconductor Opto Division VO617C-2X016 0,2307
RFQ
ECAD 3754 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) VO617 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 3 мкс, 3 мкс 80 1,1 В. 60 май 5300vrms 63% @ 5MA 125% @ 5MA 6 мкс, 4 мкс 400 м
TCMT1103 Vishay Semiconductor Opto Division TCMT1103 0,6200
RFQ
ECAD 23 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) TCMT1103 ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 5,5 мкс, 7 мкс 70В 1,35 В. 60 май 3750vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 9,5 мкс, 8,5 мкс 300 м
SFH6316T Vishay Semiconductor Opto Division SFH6316T 1.8900
RFQ
ECAD 9 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) SFH6316 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 8 май - 25 В 1,6 В. 25 май 4000 дней 19% @ 16ma 50% @ 16ma 250NS, 500NS -
SFH6345-X009T Vishay Semiconductor Opto Division SFH6345-X009T 2.1400
RFQ
ECAD 834 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло SFH6345 ТОК 1 Траншистор 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 8 май - 25 В 1,33 В. 25 май 5300vrms 19% @ 16ma - 300NS, 300NS 400 м
VO222AT Vishay Semiconductor Opto Division VO222AT 0,3493
RFQ
ECAD 6892 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) VO222 ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май - 30 1V 60 май 4000 дней 200% @ 1MA - 3 мкс, 3 мкс 1V
VOM618A-1T Vishay Semiconductor Opto Division Vom618a-1t 0,7800
RFQ
ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло Vom618 ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 5 мкс, 4 мкс 80 1,1 В. 60 май 3750vrms 40% @ 1MA 80% @ 1MA 7 мкс, 6 мкс 400 м
ILD5-X009 Vishay Semiconductor Opto Division ILD5-X009 0,8329
RFQ
ECAD 1457 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло ILD5 ТОК 2 Траншистор 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2,6 мкс, 2,2 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 50% @ 10ma 400% @ 10ma 1,1 мкс, 2,5 мкс 400 м
6N136-X007 Vishay Semiconductor Opto Division 6n136-x007 1.5900
RFQ
ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло 6n136 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 8 май - 15 1,33 В. 25 май 5300vrms 19% @ 16ma - 200ns, 200ns -
SFH601-3X006 Vishay Semiconductor Opto Division SFH601-3X006 -
RFQ
ECAD 3408 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) SFH601 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 100 1,25 60 май 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
SFH6156-3T0 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6156-3T0 0,2798
RFQ
ECAD 4023 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH6156 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
SFH620A-3X001 Vishay Semiconductor Opto Division SFH620A-3X001 1.0300
RFQ
ECAD 9163 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) SFH620 AC, DC 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 100% @ 10ma 320% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
IL410-X007T Vishay Semiconductor Opto Division IL410-X007T -
RFQ
ECAD 7970 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD IL410 Csa, ur 1 Триак 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 1,16 В. 60 май 5300vrms 600 300 май 500 мк В дар 10 кв/мкс 2MA 35 мкс
CNY17-2X017T Vishay Semiconductor Opto Division CNY17-2X017T 0,8900
RFQ
ECAD 760 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY17 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
IL4118-X007 Vishay Semiconductor Opto Division IL4118-X007 5.0000
RFQ
ECAD 491 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD IL4118 BSI, CSA, CUR, FIMKO, UR 1 Триак СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 1,3 В. 60 май 5300vrms 800 В 300 май 200 мк В дар 10 кв/мкс 1,3 Ма 35 мкс
SFH6106-2X001 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6106-2X001 0,3115
RFQ
ECAD 9054 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH6106 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
CNY17-3. Vishay Semiconductor Opto Division CNY17-3. 0,6600
RFQ
ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка В аспекте -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) CNY17 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
H11A1-X006 Vishay Semiconductor Opto Division H11A1-X006 -
RFQ
ECAD 1509 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) H11 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май - 70В 1,1 В. 60 май 5300vrms 50% @ 10ma - 3 мкс, 3 мкс 400 м
BRT11-H Vishay Semiconductor Opto Division BRT11-H -
RFQ
ECAD 5057 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) BRT11 CQC, UL 1 Триак 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 1,1 В. 20 май 5300vrms 400 300 май 500 мк Не 10 кв/мкс 2MA -
H11B1-X001 Vishay Semiconductor Opto Division H11B1-X001 -
RFQ
ECAD 1164 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) H11 ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 100 май - 25 В 1,1 В. 60 май 5300vrms 500% @ 1MA - 5 мкс, 30 мкс 1V
SFH615A-4X008T Vishay Semiconductor Opto Division SFH615A-4X008T 0,9900
RFQ
ECAD 2 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH615 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,35 В. 60 май 5300vrms 160% @ 10ma 320% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
CNY17-1X007 Vishay Semiconductor Opto Division CNY17-1x007 0,7100
RFQ
ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY17 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
VOW136-X017T Vishay Semiconductor Opto Division Vow136-x017t 3.1800
RFQ
ECAD 593 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло Vow136 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 750 8 май - 25 В 1,38 В. 25 май 5300vrms 19% @ 16ma - 200NS, 600NS -
SFH636-X001 Vishay Semiconductor Opto Division SFH636-X001 3.0900
RFQ
ECAD 9879 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) SFH636 ТОК 1 Траншистор 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 8 май - 20 1,5 В. 25 май 4420vrms 19% @ 16ma - 300NS, 300NS 400 м
VOT8121AB-T2 Vishay Semiconductor Opto Division VOT8121AB-T2 1.1600
RFQ
ECAD 5 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло VOT8121 CQC, CUL, UL, VDE 1 Триак 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 1,2 В. 50 май 5300vrms 800 В 100 май 400 мк (typ) Не 1 кв/мкс 10 май -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе