SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Агентево Колист. Каналов Втипа Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Ток - Скороп Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip На Current - On State (it (rms)) (MMaks) Current - Hold (ih) Vхodы - Стерона 1/СОЗОРОНА 2 Обжильжим Я Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks) САМАМА Статистский DV/DT (мин) Ток - С. Klючite -wreman
PS9851-1-F3-AX CEL PS9851-1-F3-AX -
RFQ
ECAD 8467 0,00000000 СМЕРЕЛЕР Nepok Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 4,5 n 5,5. 8-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1500 2 мая 15 марта / с 4ns, 4ns 1,6 В. 20 май 2500vrms 1/0 10 кв/мкс 60NS, 60NS
TLP358(TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP358 (TP5, F) -
RFQ
ECAD 9877 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло TLP358 ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 15 В ~ 30 8-SMD СКАХАТА 264-TLP358 (TP5F) Ear99 8541.49.8000 1 5,5 а - 17ns, 17ns 1,57 20 май 3750vrms 1/0 20 кв/мкс 500NS, 500NS
TLP5702H(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702H (LF4, e 18500
RFQ
ECAD 6302 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) TLP5702 ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 10 В ~ 30 В. 6 ТАКОГО СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 125 - 37NS, 50NS 1,65 В. 20 май 5000 дней 1/0 50 кв/мкс 200ns, 200ns
4N27S Lite-On Inc. 4n27s -
RFQ
ECAD 5141 0,00000000 Lite-On Inc. 4n2x Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло 4n27 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 4n27slt Ear99 8541.49.8000 65 100 май 3 мкс, 3 мкс 30 1,2 В. 80 май 1500vrms 10% @ 10ma - - 500 м
EL3081S(TA) Everlight Electronics Co Ltd EL3081S (TA) 0,4030
RFQ
ECAD 4550 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло EL3081 CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL 1 Триак 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 3903810004 Ear99 8541.49.8000 1000 1,5 - 60 май 5000 дней 800 В 100 май 280 мка (тип) В дар 600 -мкс 15 май -
5962-8978503KZA Broadcom Limited 5962-8978503KZA 695.9983
RFQ
ECAD 4995 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 8-SMD Batt Saint, Crew Cut 5962-8978503 ТОК 2 Дэйрлингтон 8-smd эkipaж-wrenhan СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1 40 май - 20 1,4 В. 10 май 1500 200% @ 5MA - 2 мкс, 8 мкс 110 м
6N136SDV onsemi 6n136sdv -
RFQ
ECAD 3189 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло 6n136 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 8 май - 20 1,45 25 май 2500vrms 19% @ 16ma 50% @ 16ma 450NS, 500NS -
TLP358(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP358 (D4-TP1, F) -
RFQ
ECAD 1860 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло TLP358 ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 15 В ~ 30 8-SMD СКАХАТА 264-TLP358 (D4-TP1F) Ear99 8541.49.8000 1 5,5 а - 17ns, 17ns 1,57 20 май 3750vrms 1/0 20 кв/мкс 500NS, 500NS
TLP631(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631 (TP1, F) -
RFQ
ECAD 9923 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Lenta и катахка (tr) Управо TLP631 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP631 (TP1F) Tr Ear99 8541.49.8000 1500
PS9001-Y-V-AX Renesas Electronics America Inc PS9001-YV-AX 5.1400
RFQ
ECAD 800 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Веса Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SoiC (0,295 ", шIrInA 7,50 мм), 5 проводников PS9001 ТОК 1 Otkrыtый kollekцyoner 4,5 n 5,5. 5-LSOP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 20 20 май 10 марта / с - 1,56 В. 25 май 5000 дней 1/0 50 кв/мкс 100ns, 100ns
TLP620-2(YASK,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2 (Yask, F) -
RFQ
ECAD 8282 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) AC, DC 2 Траншистор 8-Dip СКАХАТА 264-tlp620-2 (yaskf) Ear99 8541.49.8000 1 50 май 2 мкс, 3 мкс 55 1,15 В. 50 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TIL111S1(TA) Everlight Electronics Co Ltd TIL111S1 (TA) -
RFQ
ECAD 2438 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло TIL111 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 390717L106 Ear99 8541.49.8000 1000 - 6 мкс, 8 мкс 80 1,22 60 май 5000 дней - - - 400 м
PS9117-F3-A CEL PS9117-F3-A -
RFQ
ECAD 8282 0,00000000 СМЕРЕЛЕР Nepok Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 5 проводников ТОК 1 Otkrыtый kollekцyoner 4,5 n 5,5. 5 ТАКОГО СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2500 25 май 10 марта / с 20ns, 5ns 1,65 В. 30 май 3750vrms 1/0 15 кв/мкс 75ns, 75ns
TLP620-2(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2 (LF1, F) -
RFQ
ECAD 5900 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло TLP620 AC, DC 2 Траншистор 8-SMD СКАХАТА 264-TLP620-2 (LF1F) Ear99 8541.49.8000 1 50 май 2 мкс, 3 мкс 55 1,15 В. 50 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLP160G(SIEMTPLS,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G (Siemtpls, f -
RFQ
ECAD 8564 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Lenta и катахка (tr) Управо TLP160 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP160G (Siemtplsftr Ear99 8541.49.8000 3000
TLP550(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550 (LF5, F) -
RFQ
ECAD 9974 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP550 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP550 (LF5F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP293-4(V4GBTRE Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 (V4GBTRE 1.6300
RFQ
ECAD 8493 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 16 SOIC (0,179 », Ирина 4,55 мм) TLP293 ТОК 4 Траншистор 16-й СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,25 50 май 3750vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 300 м
TCED1100G Vishay Semiconductor Opto Division TCED1100G -
RFQ
ECAD 4909 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) TCED11 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 4000 80 май 300 мкс, 250 мкл 35 1,15 В. 60 май 5000 дней 600% @ 1MA - - 1V
TLP627M(TP1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M (TP1, e 0,9300
RFQ
ECAD 8195 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло TLP627 ТОК 1 Дэйрлингтон 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 150 май 60 мкс, 30 мкс 300 1,25 50 май 5000 дней 1000% @ 1MA - 110 мкс, 30 мкс 1,2 В.
TCDT1100 Vishay Semiconductor Opto Division TCDT1100 -
RFQ
ECAD 1824 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) TCDT11 ТОК 1 Траншистор 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 7 мкс, 6,7 мкс 32V 1,25 60 май 5000 дней 40% @ 10ma - 11 мкс, 7 мкс 300 м
TLP160J(V4T7TLUC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160J (V4T7TLUC, фе -
RFQ
ECAD 6563 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Lenta и катахка (tr) Управо TLP160 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP160J (V4T7TLUCFTR Ear99 8541.49.8000 3000
MOC3061SM Fairchild Semiconductor MOC3061SM -
RFQ
ECAD 1569 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 6-SMD, кргло MOC306 UL 1 Триак 6-SMD СКАХАТА Ear99 8541.49.8000 1 1,3 В. 60 май 4170vrms 600 500 мк (теп) В дар 600 -мкс 15 май -
TLP732(D4GRH-TP5,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (D4GRH-TP5, ф -
RFQ
ECAD 9844 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP732 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP732 (D4GRH-TP5F Ear99 8541.49.8000 1500
TLP292-4(V4-GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (V4-GB, e 1.7900
RFQ
ECAD 6099 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 16 SOIC (0,179 », Ирина 4,55 мм) TLP292 AC, DC 4 Траншистор 16-й СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,25 50 май 3750vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 300 м
4N35(SHORT-LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4n35 (short-lf5, f) -
RFQ
ECAD 1515 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо 4n35 - 1 (neograniчennnый) 264-4N35 (Short-LF5F) Ear99 8541.49.8000 50
HCPL2630WV onsemi HCPL2630WV -
RFQ
ECAD 6098 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru 8-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) HCPL26 ТОК 2 Otkrыtый kollekцyoner 4,5 n 5,5. 8-MDIP СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 10 марта / с 50NS, 12NS 1,4 В. 30 май 2500vrms 2/0 10 кв/мкс (тип) 75ns, 75ns
HMA2701B Fairchild Semiconductor HMA2701B 0,0900
RFQ
ECAD 27 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Коробка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 3000 80 май 3 мкс, 3 мкс 40 1,3 В (МАКС) 50 май 3750vrms 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 300 м
ILD621-X007T Vishay Semiconductor Opto Division ILD621-X007T 1.7800
RFQ
ECAD 721 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло ILD621 ТОК 2 Траншистор 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,15 В. 60 май 5300vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
MOC3023SR2M Fairchild Semiconductor MOC3023SR2M 0,2500
RFQ
ECAD 6 0,00000000 Fairchild Semiconductor * МАССА Актифен MOC302 СКАХАТА Ear99 8541.49.8000 1192
TLP512(NEMIC-TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP512 (NECMA-TP1, F. -
RFQ
ECAD 8791 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Lenta и катахка (tr) Управо TLP512 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP512 (NECMA-TP1FTR Ear99 8541.49.8000 1500
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе