SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Агентево Колист. Каналов Втипа Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Верный Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Ток - Скороп Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip На Current - On State (it (rms)) (MMaks) Current - Hold (ih) Vхodы - Стерона 1/СОЗОРОНА 2 Обжильжим Я Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks) САМАМА Статистский DV/DT (мин) Ток - С. Klючite -wreman
FODM121CV onsemi FODM121CV -
RFQ
ECAD 4278 0,00000000 OnSemi - Коробка Управо -40 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло FODM12 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3000 80 май 3 мкс, 3 мкс 80 1,3 В (МАКС) 50 май 3750vrms 100% @ 5MA 200% @ 5MA - 400 м
SFH610A-1X001 Vishay Semiconductor Opto Division SFH610A-1X001 0,3644
RFQ
ECAD 5947 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) SFH610 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
MOC3011SR2VM Fairchild Semiconductor MOC3011SR2VM 0,4100
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 6-SMD, кргло MOC301 IEC/EN/DIN, UL 1 Триак 6-SMD СКАХАТА Ear99 8541.49.8000 733 1,15 В. 60 май 4170vrms 250 100 мк (теп) Не - 10 май -
VO617C-2X016 Vishay Semiconductor Opto Division VO617C-2X016 0,2307
RFQ
ECAD 3754 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) VO617 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 3 мкс, 3 мкс 80 1,1 В. 60 май 5300vrms 63% @ 5MA 125% @ 5MA 6 мкс, 4 мкс 400 м
TLP281-4(TP,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP281-4 (TP, J, F) -
RFQ
ECAD 4954 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 16 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) TLP281 ТОК 4 Траншистор 16-Sop СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 5A991G 8541.49.8000 2500 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 50 май 2500vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
HMAA2705R1V onsemi HMAA2705R1V -
RFQ
ECAD 6456 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло HMAA27 AC, DC 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 80 май 3 мкс, 3 мкс 40 1,3 В (МАКС) 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 300% @ 5MA - 300 м
EL817(S)(A)(TD)-G Everlight Electronics Co Ltd El817 (s) (a) (td) -g -
RFQ
ECAD 9123 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло EL817 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 50 май 6 мкс, 8 мкс 80 1,2 В. 60 май 5000 дней 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 200 м
ORPC-847BC-C-G-(GK) Shenzhen Orient Components Co., Ltd ORPC-847BC-CG- (GK) 1.2500
RFQ
ECAD 6014 0,00000000 Shenzhen Orient Components Co., Ltd - Трубка Актифен - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 5007-ARPC-847BC-CG- (GK) 1200
HCPL-2300-360E Broadcom Limited HCPL-2300-360E -
RFQ
ECAD 9457 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8-SMD, крхло HCPL-2300 ТОК 1 Otkrыtый -kollekshyoner, шottkki зathat 4,75 -5,25. 8-Dip Gull Wing СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 25 май 5 марта 40ns, 20ns 1,3 В. 5 май (тип) 3750vrms 1/0 100 вар/мкс 160ns, 200ns
TLP781(D4-BL-SD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-BL-SD, F) -
RFQ
ECAD 9452 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Управо -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) TLP781 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP781 (D4-BL-SDF) Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 60 май 5000 дней 200% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLP2358(TPL,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2358 (TPL, E) 1.0200
RFQ
ECAD 5634 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм), 5 проводников TLP2358 ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 3 В ~ 20 В. 6 tyakowых, 5 -йлидирштва СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 25 май - 15NS, 12NS 1,55 20 май 3750vrms 1/0 20 кв/мкс 250NS, 250NS
ACPL-214-50AE Broadcom Limited ACPL-214-50AE 0,7900
RFQ
ECAD 7547 0,00000000 Broadcom Limited - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) ACPL-214 AC, DC 1 Траншистор 4 thacogogo СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 3000vrms 50% @ 1MA 250% @ 1MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
H11G2M onsemi H11G2M 0,9700
RFQ
ECAD 975 0,00000000 OnSemi - Трубка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) H11G2 ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 6-Dip СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 - - 80 1,3 В. 60 май 4170vrms 1000% @ 10ma - 5 мкс, 100 мкс 1V
4N30S(TB) Everlight Electronics Co Ltd 4n30S (TB) -
RFQ
ECAD 5888 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 3907150021 Ear99 8541.49.8000 1000 - - 55 1,2 В. 60 май 5000 дней 100% @ 10ma - 5 мкс, 40 мкс (mmaks) 1V
FOD420 onsemi FOD420 4.2400
RFQ
ECAD 4567 0,00000000 OnSemi - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) FOD420 CUL, FIMKO, UL 1 Триак 6-Dip СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 1,28 30 май 5000 дней 600 500 мк Не 10 кв/мкс 2MA 60 мкс
SFH601-1X006 Vishay Semiconductor Opto Division SFH601-1x006 -
RFQ
ECAD 8588 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) SFH601 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 100 1,25 60 май 5300vrms 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
PS2535L-1-E3-A CEL PS2535L-1-E3-A -
RFQ
ECAD 8987 0,00000000 СМЕРЕЛЕР Nepok Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Дэйрлингтон 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 120 май 18 мкс, 5 мкс 350 1,2 В. 50 май 5000 дней 400% @ 1MA 5500% @ 1MA - 1V
EL816(Y) Everlight Electronics Co Ltd El816 (y) -
RFQ
ECAD 7315 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) EL816 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 3908161204 Ear99 8541.49.8000 100 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 60 май 5000 дней 150% @ 5MA 300% @ 5MA - 200 м
EL1117(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd EL1117 (TB) -v -
RFQ
ECAD 3387 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6 SoiC (0,295 ", шIrInA 7,50 мм), 5 проводников EL1117 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 5-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,5 - 60 май 5000 дней 80% @ 5MA 160% @ 5MA 4 мкс, 3 мкс 400 м
H11B3S1(TB) Everlight Electronics Co Ltd H11B3S1 (TB) -
RFQ
ECAD 4402 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло H11B3 ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 3907150135 Ear99 8541.49.8000 1000 - - 55 1,2 В. 60 май 5000 дней 100% @ 1MA - 25 мкс, 18 мкс 1V
VOT8121AB-T2 Vishay Semiconductor Opto Division VOT8121AB-T2 1.1600
RFQ
ECAD 5 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло VOT8121 CQC, CUL, UL, VDE 1 Триак 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 1,2 В. 50 май 5300vrms 800 В 100 май 400 мк (typ) Не 1 кв/мкс 10 май -
HCPL-2530-300E Broadcom Limited HCPL-2530-300E 1.2966
RFQ
ECAD 9846 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло HCPL-2530 ТОК 2 Траншистор 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 8 май - 20 1,5 В. 25 май 3750vrms 7% @ 16ma 50% @ 16ma 200NS, 1,3 мкм -
PS2561AL-1-F3-W-A Renesas Electronics America Inc PS2561AL-1-F3-WA -
RFQ
ECAD 4399 0,00000000 Renesas Electronics America Inc Nepok Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло PS2561 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 559-1277-2 Ear99 8541.49.8000 2000 30 май 3 мкс, 5 мкс 70В 1,2 В. 30 май 5000 дней 130% @ 5MA 260% @ 5MA - 300 м
TLP292-4(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (TP, e 1.7900
RFQ
ECAD 2765 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 16 SOIC (0,179 », Ирина 4,55 мм) TLP292 AC, DC 4 Траншистор 16-й СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,25 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 300 м
TLP293(GR-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293 (GR-TPL, e 0,5100
RFQ
ECAD 4289 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 4 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм) TLP293 ТОК 1 Траншистор 4 thacogogo СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2500 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,25 50 май 3750vrms 100% @ 5MA 300% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 300 м
SFH6756T Vishay Semiconductor Opto Division SFH6756T 3.4400
RFQ
ECAD 2 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) SFH6756 ТОК 2 Откргит 4,5 n 5,5. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 10 марта 23ns, 7ns 1,4 В. 20 май 4000 дней 2/0 5 кв/мкс 100ns, 100ns
PS8302L2-V-AX CEL PS8302L2-V-OX -
RFQ
ECAD 7447 0,00000000 СМЕРЕЛЕР Nepok МАССА Пркрэно -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6 SOIC (0,268 дюйма, Ирина 6,80 мм) ТОК 1 Траншистор 6-sdip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 20 8 май - 35 1,6 В. 25 май 5000 дней 15% @ 16ma - 300NS, 330NS -
ILD1-X007 Vishay Semiconductor Opto Division ILD1-X007 1.6600
RFQ
ECAD 2 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло ILD1 ТОК 2 Траншистор 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 1,9 мкл, 1,4 мкс 50 1,25 60 май 5300vrms 20% @ 10ma 300% @ 10MA 700NS, 1,4 мкс 400 м
TLP532(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP532 (GB, F) -
RFQ
ECAD 7167 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP532 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP532 (GBF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP627-4(PP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP627-4 (PP, F) -
RFQ
ECAD 9897 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP627 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP627-4 (PPF) Ear99 8541.49.8000 25
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе