SIC
close

Оптол авертор (15749)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Агентево Колист. Каналов Втипа Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Верный Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Ток - Скороп Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip На Current - On State (it (rms)) (MMaks) Current - Hold (ih) Vхodы - Стерона 1/СОЗОРОНА 2 Обжильжим Я Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks) САМАМА Статистский DV/DT (мин) Ток - С. Klючite -wreman
PS2566L-1-F3-A CEL PS2566L-1-F3-A -
RFQ
 ECAD 3096 0,00000000 СМЕРЕЛЕР Nepok Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло AC, DC 1 Дэйрлингтон 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH PS2566L-1TR Ear99 8541.49.8000 2000 200 май 100 мкс, 100 мкс 40 1,17 80 май 5000 дней 200% @ 1MA - - 1V
ACPL-K54L-060E Broadcom Limited ACPL-K54L-060E 2.5465
RFQ
 ECAD 8768 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. Пефер 8 SOIC (0,268 ", Ирина 6,81 мм) ACPL-K54 ТОК 2 Траншистор 8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 80 8 май - 24 1,5 В. 20 май 5000 дней 93% @ 3MA 200% @ 3MA 200NS, 380NS -
FOD816 Fairchild Semiconductor FOD816 0,1900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Коробка Управо -30 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) AC, DC 1 Дэйрлингтон 4-Dip СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 1567 80 май 60 мкс, 53 мкл 35 1,2 В. 50 май 5000 дней 600% @ 1MA 7500% @ 1MA - 1V
PS9113-F3-AX CEL PS9113-F3-AX -
RFQ
 ECAD 6753 0,00000000 СМЕРЕЛЕР - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 5 проводников ТОК 1 Otkrыtый kollekцyoner 4,5 В ~ 20. 5 ТАКОГО СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2500 15 май 1 март / с - 1,65 В. 25 май 3750vrms 1/0 15 кв/мкс 750NS, 500NS
H11A4S1(TA) Everlight Electronics Co Ltd H11A4S1 (TA) -
RFQ
 ECAD 1600 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло H11A4 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 3907171140 Ear99 8541.49.8000 1000 - - 80 1,2 В. 60 май 5000 дней 10% @ 10ma - 3 мкс, 3 мкс 400 м
SFH620A-3X001 Vishay Semiconductor Opto Division SFH620A-3X001 1.0300
RFQ
 ECAD 9163 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) SFH620 AC, DC 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 100% @ 10ma 320% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
TLP183(Y-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 (Y-TPL, e 0,5000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLP183 ТОК 1 Траншистор 6-Sop СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,25 50 май 3750vrms 150% @ 5MA 150% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 300 м
6N136-X009T Vishay Semiconductor Opto Division 6N136-X009T 1.6700
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло 6n136 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 8 май - 15 1,33 В. 25 май 5300vrms 19% @ 16ma - 200ns, 200ns -
FOD817B300 onsemi FOD817B300 0,4600
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 OnSemi - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) FOD817 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 4 мкс, 3 мкс 70В 1,2 В. 50 май 5000 дней 130% @ 5MA 260% @ 5MA - 200 м
PS2761B-1-F3-L-A Renesas Electronics America Inc PS2761B-1-F3-LA -
RFQ
 ECAD 5675 0,00000000 Renesas Electronics America Inc Nepok Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло PS2761 ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 559-1473-2 Ear99 8541.49.8000 3500 40 май 4 мкс, 5 мкс 70В 1,1 В. 25 май 3750vrms 100% @ 5MA 300% @ 5MA - 300 м
MOC3082TVM onsemi MOC3082TVM 1.0900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 OnSemi - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) MOC308 IEC/EN/DIN, UL 1 Триак 6-Dip СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 1,3 В. 60 май 4170vrms 800 В 500 мк (теп) В дар 600 -мкс 10 май -
CNY171TM onsemi CNY171TM -
RFQ
 ECAD 2640 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) CNY171 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH CNY171TM-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 4 мкс, 3,5 мкс (Mmaks) 70В 1,35 В. 60 май 4170vrms 40% @ 10ma 80% @ 10ma 2 мкс, 3 мкс 400 м
ILQ5-X009 Vishay Semiconductor Opto Division ILQ5-X009 -
RFQ
 ECAD 4775 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 16-SMD, кргло ILQ5 ТОК 4 Траншистор 16-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2,6 мкс, 2,2 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 50% @ 10ma 400% @ 10ma 1,1 мкс, 2,5 мкс 400 м
HCPL-063A Broadcom Limited HCPL-063A 10.7100
RFQ
 ECAD 800 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) HCPL-063 ТОК 2 Otkrыtый -kollekshyoner, шottkki зathat 4,5 n 5,5. 8 ТОКОГОПОЛОС СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 10 марта 42NS, 12NS 1,3 В. 10 май 3750vrms 2/0 1 кв/мкс 100ns, 100ns
EL4502M Everlight Electronics Co Ltd EL4502M 1.0215
RFQ
 ECAD 5002 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) EL4502 ТОК 1 Траншистор 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) C170000066 Ear99 8541.49.8000 45 8 май - 20 1,45 25 май 5000 дней 19% @ 16ma 50% @ 16ma 350NS, 300NS -
MCT210SD Fairchild Semiconductor MCT210SD 0,3100
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 1 мкс, 11 мкс 30 1,33 В. 100 май 5300vrms 150% @ 10ma - 1 мкс, 50 ​​мкс 400 м
TIL111TM onsemi TIL111TM -
RFQ
 ECAD 8281 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) TIL111 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH TIL111TM-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 2MA 10 мкс, 10 мкс (MMAKS) 30 1,2 В. 60 май 7500VPK - - - 400 м
5962-8947701XA Broadcom Limited 5962-8947701XA 175.3196
RFQ
 ECAD 6634 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 8-SMD, крхло 5962-8947701 AC, DC 1 Дэйрлингтон 8-Dip Gull Wing СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1 40 май 10 мкс, 0,5 мкс 20 - 1500 - - 4 мкс, 8 мкс -
SFH6156-1T Vishay Semiconductor Opto Division SFH6156-1T 0,6400
RFQ
 ECAD 333 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH6156 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
5962-9800104KFA Broadcom Limited 5962-9800104KFA 814.0700
RFQ
 ECAD 8179 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 16-Flatpack 5962-9800104 ТОК 4 Otkrыtый -kollekshyoner, шottkki зathat 4,5 n 5,5. 16-Flatpack СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1 25 май 10 марта 35NS, 35NS 1,5 В. 20 май 1500 4/0 1 кв/мкс 100ns, 100ns
EL815(S1)(TA) Everlight Electronics Co Ltd EL815 (S1) (TA) -
RFQ
 ECAD 3000 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Дэйрлингтон 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 80 май 60 мкс, 53 мкл 35 1,2 В. 60 май 5000 дней 600% @ 1MA 7500% @ 1MA - 1V
MCT271SD onsemi MCT271SD -
RFQ
 ECAD 1103 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло MCT271 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH MCT271SD-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 50 май - 30 1,25 100 май 5300vrms 45% @ 10ma 90% @ 10ma 1 мкс, 48 мкс 400 м
4N35W onsemi 4n35w -
RFQ
 ECAD 6830 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) 4n35 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 4n35w-ndr Ear99 8541.49.8000 1000 - - 30 1,18 100 май 5300vrms 100% @ 10ma - 2 мкс, 2 мкс 300 м
TLP266J(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J (V4, e 0,9000
RFQ
 ECAD 3690 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TLP Трубка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLP266 1 Триак 6-Sop СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) TLP266J (V4E Ear99 8541.49.8000 125 1,27 30 май 3750vrms 600 70 май 600 мк (теп) В дар 200 -мкс 10 май 30 мкс
JANTX4N22 TT Electronics/Optek Technology Jantx4n22 29.4910
RFQ
 ECAD 4930 0,00000000 TT Electronics/Optek Technology - МАССА Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Чereз dыru До 78-6 МЕТАЛЛИСКАСКА Jantx4 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 128-6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 365-1946 Ear99 8541.49.8000 100 50 май 20 мкс, 20 мкс (MMAKS) 40 1,5 - 40 май 1000 В 25% @ 10ma - - 300 м
FOD2743AV Fairchild Semiconductor FOD2743AV 0,5100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор 8-Dip СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 1000 50 май - 70В 1,07 5000 дней 50% @ 1MA 100% @ 1MA - 400 м
HCPL2531SDM onsemi HCPL2531SDM 1.9800
RFQ
 ECAD 8298 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло HCPL2531 ТОК 2 Траншистор 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 8 май - 20 1,45 25 май 5000 дней 19% @ 16ma 50% @ 16ma 250ns, 260ns -
CNY17G-4 Vishay Semiconductor Opto Division CNY17G-4 0,6900
RFQ
 ECAD 477 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) CNY17 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,25 60 май 5000 дней 160% @ 10ma 320% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
TLP281-4(GB-TP,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP281-4 (GB-TP, J, F. -
RFQ
 ECAD 7222 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 16 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) TLP281 ТОК 4 Траншистор 16-Sop СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2500 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 50 май 2500vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
FOD2743BT onsemi FOD2743BT -
RFQ
 ECAD 7215 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru 8-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) FOD274 ТОК 1 Траншистор 8-MDIP СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май - 70В 1,07 5000 дней 50% @ 1MA 100% @ 1MA - 400 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть