SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ А. Колист. Каналов Втипа Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Ток - Скороп Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip На Current - On State (it (rms)) (MMaks) Current - Hold (ih) Vхodы - Стерона 1/СОЗОРОНА 2 Обжильжим Я Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks) САМАМА Статистский DV/DT (мин) Ток - С. Klючite -wreman
EL814S(A)(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd El814s (a) (tb) -v -
RFQ
ECAD 8733 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло AC, DC 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 - 7 мкс, 11 мкс 80 1,2 В. 60 май 5000 дней 50% @ 1MA 150% @ 1MA - 200 м
OR-352-TP-G Shenzhen Orient Components Co., Ltd OR-352-TP-G 0,8700
RFQ
ECAD 6442 0,00000000 Shenzhen Orient Components Co., Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3000
TLP627MF(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627MF (LF4, e 0,9200
RFQ
ECAD 8318 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло TLP627 ТОК 1 Дэйрлингтон 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 100 150 май 60 мкс, 30 мкс 300 1,25 50 май 5000 дней 1000% @ 1MA - 110 мкс, 30 мкс 1,2 В.
TLP9104A(TOYOG2TLF Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104A (Toyog2tlf -
RFQ
ECAD 4143 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * МАССА Управо - 264-TLP9104A (Toyog2tlf Ear99 8541.49.8000 1
TLP9121A(TOYOGTL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9121A (Toyogtl, f -
RFQ
ECAD 7371 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * МАССА Управо - 264-TLP9121A (Toyogtlf Ear99 8541.49.8000 1
H11L2S(TB) Everlight Electronics Co Ltd H11L2S (TB) -
RFQ
ECAD 7810 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло H11L2 ТОК 1 Otkrыtый kollekцyoner 3 n16. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 1 мг 100ns, 100ns 1,15 В. 60 май 5000 дней 1/0 - 4 мкс, 4 мкс
FOD817C300 onsemi FOD817C300 0,5400
RFQ
ECAD 1504 0,00000000 OnSemi - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) FOD817 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 4 мкс, 3 мкс 70В 1,2 В. 50 май 5000 дней 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 200 м
ILD615-1 Vishay Semiconductor Opto Division ILD615-1 1.9100
RFQ
ECAD 2 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ILD615 ТОК 2 Траншистор 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,15 В. 60 май 5300vrms 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс -
FODM3010R3 Fairchild Semiconductor FODM3010R3 -
RFQ
ECAD 2106 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло FODM30 BSI, CSA, UL 1 Триак 4-SMD СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 1000 1,2 В. 60 май 3750vrms 250 70 май 300 мк (typ) Не 10 В/мкс (тип) 15 май -
PS9821-2-AX Renesas PS9821-2-AX -
RFQ
ECAD 1470 0,00000000 RerneзAs - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) ТОК 2 Otkrыtый kollekцyoner 2,7 В ~ 3,6 В. 8-Ssop - 2156-PS9821-2-AX 1 25 май 15 марта / с 20ns, 5ns 1,65 В. 15 май 2500vrms 2/0 15 кв/мкс 75ns, 75ns
TLP2530(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2530 (TP1, F) -
RFQ
ECAD 9916 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло TLP2530 ТОК 2 Траншистор С.Б.А. 8-SMD СКАХАТА 264-TLP2530 (TP1F) Ear99 8541.49.8000 1 8 май - 15 1,65 В. 25 май 2500vrms 7% @ 16ma 30% @ 16ma 300NS, 500NS -
TLP9118(OGI-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9118 (OGI-TL, F) -
RFQ
ECAD 4527 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * МАССА Управо - 264-TLP9118 (OGI-TLF) Ear99 8541.49.8000 1
VOS627A-3T Vishay Semiconductor Opto Division VOS627A-3T 0,7200
RFQ
ECAD 48 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) VOS627 AC, DC 1 Траншистор 4-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 3 мкс, 3 мкс 80 1,1 В. 50 май 3750vrms 100% @ 5MA 200% @ 5MA 6 мкс, 4 мкс 400 м
TIL186-3 Texas Instruments TIL186-3 0,4500
RFQ
ECAD 19 0,00000000 Тел * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 666
VOL618AT Vishay Semiconductor Opto Division Vol618at 0,5000
RFQ
ECAD 2 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я Vol618a Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер DO-214AB, SMC ТОК 1 Траншистор DO-214AB (SMC) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 3,5 мкс, 5 мкс 80 1,16 В. 60 май 5000 дней 50% @ 1MA 600% @ 1MA 6 мкс, 5,5 мкс 400 м
K844P Vishay Semiconductor Opto Division K844P 1.8200
RFQ
ECAD 874 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 16-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) K844 AC, DC 4 Траншистор 16-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 25 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,25 60 май 5000 дней 20% @ 5MA 300% @ 5MA 6 мкс, 5 мкс 300 м
TLP2372(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2372 (e 1.9100
RFQ
ECAD 5123 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм), 5 проводников TLP2372 ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 2,2 В ~ 5,5 В. 6 tyakowых, 5 -йлидирштва СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP2372 (e Ear99 8541.49.8000 125 8 май 20 марта / с 2.2NS, 1,6NS 1,53 В. 8 май 3750vrms 1/0 20 кв/мкс 75ns, 75ns
FODM121F Fairchild Semiconductor FODM121F 0,1500
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Коробка Управо -40 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 3000 80 май 3 мкс, 3 мкс 80 1,3 В (МАКС) 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 400 м
TLP628M(TP5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M (TP5, e 0,9200
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 4-SMD, крхло TLP628 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 50 май 5,5 мкс, 10 мкс 350 1,25 50 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA 10 мкс, 10 мкс 400 м
5962-8767901UA Broadcom Limited 5962-8767901UA 124,2528
RFQ
ECAD 6769 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 16-SMD, Прикладно 5962-8767901 ТОК 2 Траншистор С.Б.А. 16-SMD СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1 8 май - 20 1,55 20 май 1500 9% @ 16ma - 400NS, 1 мкс -
FOD617BW onsemi FOD617BW -
RFQ
ECAD 1084 0,00000000 OnSemi - Коробка Управо -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) FOD617 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 4 мкс, 3 мкс 70В 1,35 В. 50 май 5000 дней 63% @ 10ma 125% @ 10ma - 400 м
EL3H7(TB)-VG Everlight Electronics Co Ltd EL3H7 (TB) -VG 0,1374
RFQ
ECAD 9802 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) EL3H7 ТОК 1 Траншистор 4-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) C110000676 Ear99 8541.49.8000 5000 50 май 5 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 м
PS9822-1-F3-AX Renesas Electronics America Inc PS9822-1-F3-AX 3.9600
RFQ
ECAD 1610 0,00000000 Renesas Electronics America Inc Nepok Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) PS9822 ТОК 1 Otkrыtый kollekцyoner 8-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1500 25 май 1 март / с - 1,6 В. 20 май 2500vrms 1/0 - 700NS, 500NS
TLP781(TELS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (Tels, F) -
RFQ
ECAD 4761 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Управо -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) TLP781 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP781 (TELSF) Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 60 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
H11B815300W Fairchild Semiconductor H11B815300W 0,0700
RFQ
ECAD 5754 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ТОК 1 Дэйрлингтон 4-Dip СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 1244 80 май 300 мкс, 250 мкс (MMAKS) 35 1,2 В. 50 май 5000 дней 600% @ 1MA 7500% @ 1MA - 1V
HCPL2530SDM Fairchild Semiconductor HCPL2530SDM 1.0700
RFQ
ECAD 584 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло ТОК 2 Траншистор 8-SMD СКАХАТА Ear99 8541.49.8000 280 8 май - 20 1,45 25 май 2500vrms 7% @ 16ma 50% @ 16ma 450NS, 300NS -
NTE3089 NTE Electronics, Inc NTE3089 4.9500
RFQ
ECAD 241 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -55 ° C ~ 150 ° С. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) AC, DC 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 2368-NTE3089 Ear99 8541.49.8000 1 100 май - 30 1,5 - 60 май 1500VPK 20% @ 10ma - - 400 м
TIL918B Texas Instruments TIL918B 0,6400
RFQ
ECAD 7 0,00000000 Тел * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1
MOC81023SDL onsemi MOC81023SDL -
RFQ
ECAD 7098 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло MOC810 ТОК 1 Траншистор 6-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 1 мкс, 2 мкс 30 1,15 В. 100 май 5300vrms 73% @ 10ma 117% @ 10ma 2 мкс, 3 мкс 400 м
TLP2066(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2066 (TPR, F) -
RFQ
ECAD 4049 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 5 проводников TLP2066 ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 3 В ~ 3,6 В. 6-mfsop, 5 LIDERSTHASTA - 264-TLP2066 (TPRF) Ear99 8541.49.8000 1 10 май 20 марта / с 5ns, 4ns 1,6 В. 25 май 3750vrms 1/0 15 кв/мкс 60NS, 60NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе