SIC
close

Оптол авертор (15749)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ А. Колист. Каналов Втипа Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Ток - Скороп Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip На Current - On State (it (rms)) (MMaks) Current - Hold (ih) Vхodы - Стерона 1/СОЗОРОНА 2 Обжильжим Я Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks) САМАМА Статистский DV/DT (мин) Ток - С. Klючite -wreman
MOC3071SM onsemi MOC3071SM 0,3873
RFQ
 ECAD 6732 0,00000000 OnSemi - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 6-SMD, кргло MOC307 UL 1 Триак 6-SMD СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 1,18 60 май 4170vrms 800 В 540 мка (тип) Не 1 кв/мкс 15 май -
RV1S9184QKCSP-1000#SC0 Renesas Electronics America Inc RV1S9184QKCSP-1000#SC0 3.2594
RFQ
 ECAD 8805 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * Полески Актифен RV1S9184 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 20
TLP781(D4-GRH,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-GRH, E) -
RFQ
 ECAD 4579 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Управо -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) TLP781 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP781 (D4-GRHE) Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 60 май 5000 дней 150% @ 5MA 300% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
EL1013(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd EL1013 (TB) -v -
RFQ
 ECAD 5596 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло EL1013 ТОК 1 Траншистор 4-Sop (2,54 мм) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,45 60 май 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma 4 мкс, 3 мкс 300 м
140816140310 Würth Elektronik 140816140310 0,3800
RFQ
 ECAD 84 0,00000000 Wyrt эlektronyk Wl-ocpt Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 732-140816140310 Ear99 8541.49.8000 100 50 май 3 мкс, 4 мкс 80 1,24 60 май 5000 дней 200% @ 5MA 400% @ 5MA -
ELD205-V Everlight Electronics Co Ltd ELD205-V -
RFQ
 ECAD 1372 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) ELD205 ТОК 2 Траншистор 8-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 - 1,6 мкс, 2,2 мкс 80 1,2 В. 60 май 3750vrms 40% @ 10ma 80% @ 10ma 5 мкс, 4 мкс 400 м
TLP161G(IFT5,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp161g (ift5, u, c, f -
RFQ
 ECAD 8905 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Lenta и катахка (tr) Управо TLP161G - 1 (neograniчennnый) 264-TLP161G (ift5ucftr Ear99 8541.49.8000 3000
PS2805C-4-V-F3-A Renesas Electronics America Inc PS2805C-4-V-F3-A 3.3000
RFQ
 ECAD 6043 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 16 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) PS2805 AC, DC 4 Траншистор 16-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2500 30 май 5 мкс, 7 мкс 80 1,2 В. 30 май 2500vrms 50% @ 5MA 400% @ 5MA 10 мкс, 7 мкс 300 м
CNY17F4SR2M Fairchild Semiconductor CNY17F4SR2M -
RFQ
 ECAD 2239 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY17F4 ТОК 1 Траншистор 6-SMD СКАХАТА Ear99 8541.49.8000 1 50 май 4 мкс, 3,5 мкс (Mmaks) 70В 1,35 В. 60 май 4170vrms 160% @ 10ma 320% @ 10ma 2 мкс, 3 мкс 400 м
PS2861-1-F3-X5-A CEL PS2861-1-F3-X5-A -
RFQ
 ECAD 3276 0,00000000 СМЕРЕЛЕР Nepok Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3500 40 май 4 мкс, 5 мкс 40 1,1 В. 50 май 2500vrms 50% @ 5MA 400% @ 5MA - 300 м
FOD2741ASV Fairchild Semiconductor FOD2741ASV -
RFQ
 ECAD 8452 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 8-SMD СКАХАТА Ear99 8541.49.8000 1 50 май - 30 1,5 - 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma - 400 м
IL410-X008T Vishay Semiconductor Opto Division IL410-X008T -
RFQ
 ECAD 8457 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD IL410 Csa, ur 1 Триак СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 1,16 В. 60 май 5300vrms 600 300 май 500 мк В дар 10 кв/мкс 2MA 35 мкс
TLP731(D4-GB-LF4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP731 (D4-GB-LF4, ф -
RFQ
 ECAD 2820 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP731 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP731 (D4-GB-LF4F Ear99 8541.49.8000 50
FOD2743BT Fairchild Semiconductor FOD2743BT 0,3300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru 8-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ТОК 1 Траншистор 8-Dip СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 1000 50 май - 70В 1,07 5000 дней 50% @ 1MA 100% @ 1MA - 400 м
H11D2SR2M Fairchild Semiconductor H11D2SR2M -
RFQ
 ECAD 7679 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 435 100 май - 300 1,15 В. 80 май 7500VPK 20% @ 10ma - 5 мкс, 5 мкс 400 м
IL300 Vishay Semiconductor Opto Division IL300 4.8400
RFQ
 ECAD 370 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) IL300 ТОК 1 Фотолктристески, имени 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 70 мк (теп) 1 мкс, 1 мкс 500 м 1,25 60 май 5300vrms - - - -
TLP2372(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2372 (TPL, e 1.9300
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм), 5 проводников TLP2372 ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 2,2 В ~ 5,5 В. 6 tyakowых, 5 -йлидирштва - 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 8 май 20 марта / с 2.2NS, 1,6NS 1,53 В. 8 май 3750vrms 1/0 20 кв/мкс 75ns, 75ns
TLX9185(TOJGBTLF(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9185 (tojgbtlf (o -
RFQ
 ECAD 9576 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLX9185 ТОК 1 Траншистор 6-Sop - 264-TLX9185 (TOJGBTLF (o Ear99 8541.49.8000 1 50 май 3 мкс, 5 мкс 80 1,27 30 май 3750vrms 20% @ 5MA 600% @ 5MA 5 мкс, 5 мкс 400 м
H11AA1 Everlight Electronics Co Ltd H11AA1 0,7532
RFQ
 ECAD 6342 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) H11AA AC, DC 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 65 - 10 мкс, 10 мкс (MMAKS) 80 1,2 В. 60 май 5000 дней 20% @ 10ma - 10 мкс, 10 мкс (MMAKS) 400 м
PC81716NSZ0X SHARP/Socle Technology PC81716NSZ0X -
RFQ
 ECAD 5818 0,00000000 Sharp/Socle Technology - Трубка Пркрэно -30 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор 4-Dip - ROHS COMPARINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 10 май 5000 дней 160% @ 500 мк 400% @ 500 мк - 200 м
HCPL-4562#500 Broadcom Limited HCPL-4562#500 -
RFQ
 ECAD 6516 0,00000000 Broadcom Limited - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-SMD СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 8 май - 20 1,3 В. 12 май 3750vrms - - - -
HCPL-0211#060 Broadcom Limited HCPL-0211#060 -
RFQ
 ECAD 7061 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 4,5 В ~ 20. 8 ТОКОГОПОЛОС СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 25 май 5 марта 30ns, 7ns 1,5 В. 10 май 3750vrms 1/0 5 кв/мкс, 10 кв/мкс 300NS, 300NS
TLP2761F(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761F (D4, F) -
RFQ
 ECAD 9878 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) TLP2761 AC, DC 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 2,7 В ~ 5,5 В. 6 ТАКОГО - ROHS COMPARINT 1 (neograniчennnый) TLP2761F (D4F) Ear99 8541.49.8000 50 10 май 15 марта 3ns, 3ns 1,5 В. 10 май 5000 дней 1/0 20 кв/мкс 80NS, 80NS
PS2514L-1Y-V-F3-A CEL PS2514L-1Y-V-F3-A -
RFQ
 ECAD 1144 0,00000000 СМЕРЕЛЕР - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Дэйрлингтон 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH PS2514L-1Y-V-F3-ATR Ear99 8541.49.8000 2000 20 май 15 мкс, 15 мкс 40 1,1 В. 30 май 5000 дней 50% @ 5MA 200% @ 5MA - 350 м
HCPL-061A#060 Broadcom Limited HCPL-061A#060 -
RFQ
 ECAD 3066 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) ТОК 1 Otkrыtый -kollekshyoner, шottkki зathat 4,5 n 5,5. 8 ТОКОГОПОЛОС СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 10 марта 42NS, 12NS 1,3 В. 10 май 3750vrms 1/0 1 кв/мкс 100ns, 100ns
5962-8957001YA Broadcom Limited 5962-8957001YA 144.6119
RFQ
 ECAD 7047 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 8-SMD-SOEDINITELNыйSODINENENENEEE 5962-8957001 ТОК 1 Три-Госдарство 4,75 -5,25. 8-Dip Butt Saint СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1 25 май 40 мсб / с 15NS, 10NS 1,35 В. 10 май 1500 1/0 500 -мкс 60NS, 60NS
HCNR200-550E Broadcom Limited HCNR200-550E 2.1256
RFQ
 ECAD 7403 0,00000000 Broadcom Limited - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло HCNR200 ТОК 1 Фотолктристески, имени 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 750 - - - 1,6 В. 25 май 5000 дней 0,25% прри 0,75% прри. - -
IL420-X009T Vishay Semiconductor Opto Division IL420-X009T -
RFQ
 ECAD 1460 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD IL420 CQC, CSA, CUR, UR 1 Триак 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 1,16 В. 60 май 5300vrms 600 300 май 500 мк Не 10 кв/мкс 2MA 35 мкс
ILD5 Vishay Semiconductor Opto Division ILD5 2.1400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ILD5 ТОК 2 Траншистор 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2,6 мкс, 2,2 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 50% @ 10ma 400% @ 10ma 1,1 мкс, 2,5 мкс 400 м
PS2805C-1-V-F3-A Renesas Electronics America Inc PS2805C-1-V-F3-A 0,3272
RFQ
 ECAD 6675 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) PS2805 AC, DC 1 Траншистор 4-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 559-1512-2 Ear99 8541.49.8000 3500 30 май 5 мкс, 7 мкс 80 1,2 В. 30 май 2500vrms 50% @ 5MA 400% @ 5MA 10 мкс, 7 мкс 300 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть