SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Манера В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Агентево Колист. Каналов Втипа Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Ток - Скороп Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip На Current - On State (it (rms)) (MMaks) Current - Hold (ih) Vхodы - Стерона 1/СОЗОРОНА 2 Обжильжим Я Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks) САМАМА Статистский DV/DT (мин) Ток - С. Klючite -wreman
PC817XNNIP1B SHARP/Socle Technology PC817XNNIP1B -
RFQ
ECAD 6286 0,00000000 Sharp/Socle Technology - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -30 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 6000 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май - - - - 200 м
TCLT1006 Vishay Semiconductor Opto Division TCLT1006 0,7200
RFQ
ECAD 12 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло TCLT1006 ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,25 60 май 5000 дней 100% @ 5MA 300% @ 5MA 6 мкс, 5 мкс 300 м
5962-8767902PA Broadcom Limited 5962-8767902PA 100 9815
RFQ
ECAD 8204 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) 5962-8767902 ТОК 2 Траншистор С.Б.А. 8-Dip СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1 8 май - 20 1,55 20 май 1500 9% @ 16ma - 400NS, 1 мкс -
IL300-E-X001 Vishay Semiconductor Opto Division IL300-E-X001 -
RFQ
ECAD 4947 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) IL300 ТОК 1 Фотолктристески, имени 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 70 мк (теп) 1 мкс, 1 мкс 500 м 1,25 60 май 5300vrms - - - -
ILQ615-2X007 Vishay Semiconductor Opto Division ILQ615-2X007 3.5200
RFQ
ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 16-SMD, кргло ILQ615 ТОК 4 Траншистор 16-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 25 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,15 В. 60 май 5300vrms 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс -
HCPL-5431 Broadcom Limited HCPL-5431 194.0040
RFQ
ECAD 1131 0,00000000 Broadcom Limited - МАССА Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) HCPL-5431 ТОК 2 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 4,75 -5,25. 8-Dip СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A001A2C 8541.49.8000 1 25 май 40 мсб / с 15NS, 10NS 1,35 В. 10 май 1500 2/0 500 -мкс 60NS, 60NS
CNY17-1 Everlight Electronics Co Ltd CNY17-1 0,3783
RFQ
ECAD 9452 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) CNY17 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 65 - 6 мкс, 8 мкс 80 1,65 - 60 май 5000 дней 40% @ 10ma 80% @ 10ma 10 мкс, 9 мкс 300 м
HCPL-354-000E Broadcom Limited HCPL-354-000E 0,7200
RFQ
ECAD 55 0,00000000 Broadcom Limited - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло HCPL-354 AC, DC 1 Траншистор 4-минутнг Флат СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 4 мкс, 3 мкс 35 1,2 В. 50 май 3750vrms 20% @ 1MA 400% @ 1MA - 200 м
EL817(S1)(TU)-V Everlight Electronics Co Ltd El817 (s1) (tu) -v 0,1326
RFQ
ECAD 2941 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло EL817 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 50 май 4 мкс, 3 мкс 35 1,2 В. 60 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 м
PS2561D-1Y-W-A CEL PS2561D-1Y-WA -
RFQ
ECAD 8084 0,00000000 СМЕРЕЛЕР Nepok Трубка Пркрэно -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH PS2561D1YWA Ear99 8541.49.8000 400 50 май 3 мкс, 5 мкс 80 1,2 В. 40 май 5000 дней 130% @ 5MA 260% @ 5MA - 300 м
TLP2372(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2372 (TPR, e 1.9300
RFQ
ECAD 4970 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм), 5 проводников TLP2372 ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 2,2 В ~ 5,5 В. 6 tyakowых, 5 -йлидирштва СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 8 май 20 марта / с 2.2NS, 1,6NS 1,53 В. 8 май 3750vrms 1/0 20 кв/мкс 75ns, 75ns
CNY75GC Vishay Semiconductor Opto Division CNY75GC 0,6600
RFQ
ECAD 118 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) CNY75 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 4,2 мкс, 4,7 мкс 70В 1,25 60 май 5000 дней 160% @ 10ma 320% @ 10ma 7 мкс, 5 мкс 300 м
PS2861-1-V-F3-L-A CEL PS2861-1-V-F3-LA -
RFQ
ECAD 9011 0,00000000 СМЕРЕЛЕР Nepok Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3500 40 май 4 мкс, 5 мкс 40 1,1 В. 50 май 2500vrms 100% @ 5MA 300% @ 5MA - 300 м
TCMT4606 Vishay Semiconductor Opto Division TCMT4606 2.3500
RFQ
ECAD 3 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 16 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) TCMT4606 AC, DC 4 Траншистор 16-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,35 В. 60 май 3750vrms 100% @ 5MA 300% @ 5MA 6 мкс, 5 мкс 300 м
HCPL2630SV onsemi HCPL2630SV 2.7900
RFQ
ECAD 494 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8-SMD, крхло HCPL2630 ТОК 2 Otkrыtый kollekцyoner 4,5 n 5,5. 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 50 май 10 марта / с 50NS, 12NS 1,4 В. 30 май 2500vrms 2/0 10 кв/мкс (тип) 75ns, 75ns
OPIA1210ATUE TT Electronics/Optek Technology Opia1210atue -
RFQ
ECAD 3611 0,00000000 TT Electronics/Optek Technology - Трубка Управо -30 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 3 мкс 350 1,2 В. 50 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 400 м
PS2861B-1Y-V-F3-M-A CEL PS2861B-1Y-V-F3-MA -
RFQ
ECAD 8069 0,00000000 СМЕРЕЛЕР Nepok Lenta и катахка (tr) Пркрэно -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3500 50 май 4 мкс, 5 мкс 70В 1,1 В. 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 150% @ 5MA - 300 м
EL3061S(TA) Everlight Electronics Co Ltd El3061S (TA) 0,4406
RFQ
ECAD 1409 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло EL3061 CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL 1 Триак 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 3903610004 Ear99 8541.49.8000 1000 1,5 - 60 май 5000 дней 600 100 май 280 мка (тип) В дар 1 кв/мкс 15 май -
H11L3SR2VM Fairchild Semiconductor H11L3SR2VM -
RFQ
ECAD 2956 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 6-SMD, кргло ТОК 1 Otkrыtый kollekцyoner 3 В ~ 15 В. 6-SMD СКАХАТА Ear99 8541.49.8000 1 50 май 1 мг 100ns, 100ns 1,2 В. 30 май 4170vrms 1/0 - 4 мкс, 4 мкс
4N48UTXV TT Electronics/Optek Technology 4n48utxv -
RFQ
ECAD 5559 0,00000000 TT Electronics/Optek Technology - МАССА Управо -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-LCC (6,22x4,32) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1 - 20 мкс, 20 мкс 45 1,5 - 40 май 1000 В 100% @ 2MA - - 300 м
ILD66-4X009 Vishay Semiconductor Opto Division ILD66-4X009 -
RFQ
ECAD 8473 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло ILD66 ТОК 2 Дэйрлингтон 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 - 200 мкс, 200 мкс (MMAKS) 60 1,25 60 май 5300vrms 500% @ 2MA - - 1V
VO4156M-X007T Vishay Semiconductor Opto Division VO4156M-X007T 1.1472
RFQ
ECAD 2427 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло VO4156 Крик, 1 Триак 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 1,2 В. 60 май 5300vrms 600 300 май 500 мк В дар 5 кв/мкс 3MA -
SFH618A-2 Vishay Semiconductor Opto Division SFH618A-2 1.1200
RFQ
ECAD 9955 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) SFH618 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 3,5 мкс, 5 мкс 55 1,1 В. 60 май 5300vrms 63% @ 1MA 125% @ 1MA 6 мкс, 5,5 мкс 400 м
MOC8105300 Fairchild Semiconductor MOC8105300 0,0900
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор 6-Dip СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 1 мкс, 2 мкс 30 1,15 В. 100 май 5300vrms 65% @ 10ma 133% @ 10ma 2 мкс, 3 мкс 400 м
TLP781(D4-GR-FD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-gr-fd, f) -
RFQ
ECAD 2489 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Управо -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) TLP781 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP781 (D4-GR-FDF) Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 60 май 5000 дней 100% @ 5MA 300% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
6N136-020E Broadcom Limited 6N136-020E 0,6267
RFQ
ECAD 3491 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) 6n136 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 8 май - 20 1,5 В. 25 май 5000 дней 19% @ 16ma 50% @ 16ma 200NS, 600NS -
FODM3053V-NF098 onsemi FODM3053V-NF098 0,5607
RFQ
ECAD 6474 0,00000000 OnSemi - Трубка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло FODM30 cur, ur, vde 1 Триак 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3000 1,2 В. 60 май 3750vrms 600 70 май 300 мк (typ) Не 1 кв/мкс 5 май -
FODM121A onsemi FODM121A 0,7300
RFQ
ECAD 2602 0,00000000 OnSemi - Трубка Актифен -40 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло FODM121 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 80 май 3 мкс, 3 мкс 80 1,3 В (МАКС) 50 май 3750vrms 100% @ 5MA 300% @ 5MA - 400 м
140817140110 Würth Elektronik 140817140110 0,2900
RFQ
ECAD 63 0,00000000 Wyrt эlektronyk Wl-ocpt Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 3 мкс, 4 мкс 35 1,24 60 май 5000 дней 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 200 м
TLP785F(D4BLF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4BLF7, ф -
RFQ
ECAD 8699 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло TLP785 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP785F (D4BLF7F Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 60 май 5000 дней 200% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе