SIC
close

Оптол авертор (15749)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МООНТАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Агентево Колист. Каналов Втипа Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Ток - Скороп Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip На Current - On State (it (rms)) (MMaks) Current - Hold (ih) Vхodы - Стерона 1/СОЗОРОНА 2 Обжильжим Я Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks) САМАМА Статистский DV/DT (мин) Ток - С. Klючite -wreman
6N139SDVM Fairchild Semiconductor 6n139sdvm 0,6900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-SMD СКАХАТА Ear99 8541.49.8000 435 60 май - 18В 1,3 В. 20 май 5000 дней 500% @ 1,6 мая - 240NS, 1,3 мкс -
SFH615A-4X017T Vishay Semiconductor Opto Division SFH615A-4X017T 1.0900
RFQ
 ECAD 977 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH615 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,35 В. 60 май 5300vrms 160% @ 10ma 320% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
CNY17-2-300E Broadcom Limited CNY17-2-300E 0,2103
RFQ
 ECAD 6569 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY17 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 65 150 май 5 мкс, 5 мкс 70В 1,4 В. 60 май 5000 дней 63% @ 10ma 125% @ 10ma - 300 м
HMA121FR2V onsemi HMA121FR2V -
RFQ
 ECAD 9911 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло HMA121 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2500 80 май 3 мкс, 3 мкс 80 1,3 В (МАКС) 50 май 3750vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA - 400 м
TLP628M(GB-TP5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M (GB-TP5, e 0,9200
RFQ
 ECAD 8716 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 4-SMD, крхло TLP628 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 50 май 5,5 мкс, 10 мкс 350 1,25 50 май 5000 дней 100% @ 5MA 600% @ 5MA 10 мкс, 10 мкс 400 м
HCPL-263L-500E Broadcom Limited HCPL-263L-500E 2.5128
RFQ
 ECAD 3086 0,00000000 Broadcom Limited - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8-SMD, крхло HCPL-263 ТОК 2 Otkrыtый -kollekshyoner, шottkki зathat 2,7 -3,6 В, 4,5 -5,5 8-Dip Gull Wing СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 15 марта 24ns, 10ns 1,5 В. 15 май 3750vrms 2/0 10 кв/мкс 75ns, 75ns
SFH655A-X009T Vishay Semiconductor Opto Division SFH655A-X009T -
RFQ
 ECAD 3713 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH655 ТОК 1 Дэйрлингтон 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 125 май 14 мкс, 14 мкс 55 1,15 В. 60 май 5300vrms 600% @ 1MA - 16 мкс, 15 мкс 1V
SFH618A-3X001 Vishay Semiconductor Opto Division SFH618A-3X001 1.0800
RFQ
 ECAD 9391 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) SFH618 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 3,5 мкс, 5 мкс 55 1,1 В. 60 май 5300vrms 100% @ 1MA 200% @ 1MA 6 мкс, 5,5 мкс 400 м
H11G2SM onsemi H11G2SM 1.0100
RFQ
 ECAD 3478 0,00000000 OnSemi - Трубка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло H11G2 ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 - - 80 1,3 В. 60 май 4170vrms 1000% @ 10ma - 5 мкс, 100 мкс 1V
BRT23M-X007T Vishay Semiconductor Opto Division BRT23M-X007T -
RFQ
 ECAD 1438 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло BRT23 Kuol, ur, vde 1 Триак 6-SMD - 751-BRT23M-X007T Ear99 8541.49.8000 1000 1,16 В. 60 май 5300vrms 800 В 300 май 500 мк В дар 10 кв/мкс 3MA 35 мкс
5962-8876901XA Broadcom Limited 5962-8876901XA 194.4900
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 8-SMD, крхло 5962-8876901 ТОК 2 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 4,5 В ~ 20. 8-Dip Gull Wing СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1 15 май 5 марта 45NS, 10NS 1,3 В. 8 май 1500 2/0 1 кв/мкс 350ns, 350ns
BRT21H-X007 Vishay Semiconductor Opto Division BRT21H-X007 -
RFQ
 ECAD 2034 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло BRT21 Kuol, ur, vde 1 Триак 6-SMD - 751-BRT21H-X007 Ear99 8541.49.8000 1000 1,16 В. 60 май 5300vrms 400 300 май 500 мк В дар 10 кв/мкс 2MA 35 мкс
TLPN137(S) Toshiba Semiconductor and Storage TLPN137 (S) -
RFQ
 ECAD 7193 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLPN137 - 1 (neograniчennnый) 264-TLPN137 (S) Ear99 8541.49.8000 50
SFH617A-3X017T Vishay Semiconductor Opto Division SFH617A-3X017T 1.0800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH617 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,35 В. 60 май 5300vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
TLP292-4(LGB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (LGB, e 1.7900
RFQ
 ECAD 6005 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 16 SOIC (0,179 », Ирина 4,55 мм) TLP292 AC, DC 4 Траншистор 16-й СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,25 50 май 3750vrms 100% @ 500 мк 600% @ 500 мк 3 мкс, 3 мкс 300 м
TLP290-4(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP290-4 (TP, e 1.6300
RFQ
 ECAD 1378 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 16 SOIC (0,179 », Ирина 4,55 мм) TLP290 AC, DC 4 Траншистор 16-й СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 2500vrms 50% @ 5MA 400% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
SFH6186-3 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6186-3 0,9200
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH6186 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 3,5 мкс, 5 мкс 55 1,1 В. 60 май 5300vrms 100% @ 1MA 200% @ 1MA 6 мкс, 5,5 мкс 400 м
VO3023-X001 Vishay Semiconductor Opto Division VO3023-X001 0,2596
RFQ
 ECAD 9563 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я Vo3023 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) CQC, CSA, CUL, FIMKO, UL, VDE 1 Триак 6-Dip СКАХАТА 751-VO3023-X001TR Ear99 8541.49.8000 2000 1,3 В. 50 май 5000 дней 400 100 май 200 мка (теп) Не 100 вар/мкс 5 май -
TLP268J(T2-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP268J (T2-TPL, e 1.1100
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLP268 CQC, cur, ur 1 Триак 6-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 1,27 30 май 3750vrms 600 70 май 200 мка (теп) В дар 500 v/mks (typ) 3MA 100 мкс
FODM121C onsemi FODM121C 0,7100
RFQ
 ECAD 2944 0,00000000 OnSemi - Трубка Актифен -40 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло FODM121 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1990-FODM121C Ear99 8541.49.8000 100 80 май 3 мкс, 3 мкс 80 1,3 В (МАКС) 50 май 3750vrms 100% @ 5MA 200% @ 5MA - 400 м
TLP2168(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2168 (F) -
RFQ
 ECAD 7498 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) TLP2168 ТОК 2 Otkrыtый kollekцyoner 2,7 В ~ 5,5 В. 8 ТАКОГО СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 100 25 май 20 марта 30ns, 30ns 1,57 25 май 2500vrms 2/0 15 кв/мкс 60NS, 60NS
6N137S Lite-On Inc. 6n137s 0,8100
RFQ
 ECAD 32 0,00000000 Lite-On Inc. - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8-SMD, крхло 6n137 ТОК 1 Otkrыtый kollekцyoner 7в 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 100 50 май 15 марта 22ns, 6,9ns 1,38 В. 20 май 5000 дней 1/0 10 кв/мкс 75ns, 75ns
HCPL-2502-300E Broadcom Limited HCPL-25502-300E 1.1384
RFQ
 ECAD 2354 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло HCPL-2502 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 8 май - 20 1,5 В. 25 май 3750vrms 15% @ 16ma 22% @ 16ma 200NS, 600NS -
H11A817B3S Fairchild Semiconductor H11A817B3S -
RFQ
 ECAD 5280 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2,4 мкс, 2,4 мкс 70В 1,2 В. 50 май 5300vrms 130% @ 5MA 260% @ 5MA - 200 м
PS9817A-2-AX Renesas Electronics America Inc PS9817A-2-AX 9.9800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Renesas Electronics America Inc Nepok МАССА В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) PS9817 ТОК 2 Otkrыtый kollekцyoner 4,5 n 5,5. 8-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 20 25 май 10 марта / с 20ns, 5ns 1,65 В. 15 май 2500vrms 2/0 15 кв/мкс 75ns, 75ns
PS2561BL-1-Q-A Renesas Electronics America Inc PS2561BL-1-QA -
RFQ
 ECAD 2167 0,00000000 Renesas Electronics America Inc Nepok Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло PS2561 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 559-1309 Ear99 8541.49.8000 100 50 май 3 мкс, 5 мкс 80 1,17 40 май 5000 дней 100% @ 5MA 200% @ 5MA - 300 м
TLP2361(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2361 (V4-TPL, e 1.0600
RFQ
 ECAD 1208 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм), 5 проводников TLP2361 ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 2,7 В ~ 5,5 В. 6 tyakowых, 5 -йлидирштва СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 10 май 15 марта 3ns, 3ns 1,5 В. 10 май 3750vrms 1/0 20 кв/мкс 80NS, 80NS
ILQ621GB-X017 Vishay Semiconductor Opto Division ILQ621GB-X017 -
RFQ
 ECAD 4091 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 16-SMD, кргло ILQ621 ТОК 4 Траншистор 16-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,15 В. 60 май 5300vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
ACPL-827-300E Broadcom Limited ACPL-827-300E 1.0600
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -30 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло ACPL-827 ТОК 2 Траншистор 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 50 май 4 мкс, 3 мкс 70В 1,2 В. 50 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 м
H11A617D3S onsemi H11A617D3S -
RFQ
 ECAD 5340 0,00000000 OnSemi - Коробка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло H11a ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2,4 мкс, 2,4 мкс 70В 1,35 В. 50 май 5300vrms 160% @ 10ma 320% @ 10ma - 400 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть