SIC
close

Оптол авертор (15749)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Агентево Колист. Каналов Втипа Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Ток - Скороп Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip На Current - On State (it (rms)) (MMaks) Current - Hold (ih) Vхodы - Стерона 1/СОЗОРОНА 2 Обжильжим Я Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks) САМАМА Статистский DV/DT (мин) Ток - С. Klючite -wreman
4N28 Vishay Semiconductor Opto Division 4n28 0,6100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) 4n28 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,3 В. 60 май 5000 дней 10% @ 10ma - - 500 м
TIL111S(TB) Everlight Electronics Co Ltd TIL111S (TB) -
RFQ
 ECAD 9674 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло TIL111 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 390717L105 Ear99 8541.49.8000 1000 - 6 мкс, 8 мкс 80 1,22 60 май 5000 дней - - - 400 м
H11AA3VM onsemi H11AA3VM -
RFQ
 ECAD 5507 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) H11a AC, DC 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май - 30 1,17 60 май 7500VPK 50% @ 10ma - - 400 м
CNY17F-1S1(TB) Everlight Electronics Co Ltd CNY17F-1S1 (TB) -
RFQ
 ECAD 9331 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY17F ТОК 1 Траншистор 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 3907171741 Ear99 8541.49.8000 1000 - 6 мкс, 8 мкс 80 1,65 - 60 май 5000 дней 40% @ 10ma 80% @ 10ma 10 мкс, 9 мкс 300 м
4N32 Vishay Semiconductor Opto Division 4n32 1.0200
RFQ
 ECAD 3637 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) 4n32 ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 100 май - 30 1,25 60 май 5300vrms 500% @ 10ma - 5 мкс, 100 мкс (MMAKS) 1в (тип)
EL3051S1(TA) Everlight Electronics Co Ltd EL3051S1 (TA) -
RFQ
 ECAD 5424 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло EL3051 CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL 1 Триак 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 3903510006 Ear99 8541.49.8000 1000 1,18 60 май 5000 дней 600 100 май 250 мк (теп) Не 1 кв/мкс 15 май -
PS2705A-1-A Renesas Electronics America Inc PS2705A-1-A 2.0600
RFQ
 ECAD 22 0,00000000 Renesas Electronics America Inc Nepok Полески В аспекте -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло PS2705 AC, DC 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 20 30 май 5 мкс, 7 мкс 70В 1,2 В. 30 май 3750vrms 50% @ 5MA 300% @ 5MA - 300 м
PC3H7J00001H SHARP/Socle Technology PC3H7J00001H -
RFQ
 ECAD 5046 0,00000000 Sharp/Socle Technology - Lenta и катахка (tr) Пркрэно - - - - - - - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 10 500 - - - - - - - - -
TCLT1117 Vishay Semiconductor Opto Division TCLT1117 0,2596
RFQ
 ECAD 5393 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6 SoiC (0,295 ", шIrInA 7,50 мм), 5 проводников TCLT1117 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Sop, 5 PIN СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,25 60 май 5000 дней 80% @ 5MA 160% @ 5MA 6 мкс, 5 мкс 300 м
HCPL-0723-500 Broadcom Limited HCPL-0723-500 5.6906
RFQ
 ECAD 6596 0,00000000 Broadcom Limited - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) HCPL-0723 Лейка 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 4,5 n 5,5. 8 ТОКОГОПОЛОС СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1500 10 май 50 млр 8ns, 6ns - - 3750vrms 1/0 10 кв/мкс 22ns, 22ns
HCPL-261A-000E Broadcom Limited HCPL-261A-000E 3.3000
RFQ
 ECAD 517 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) HCPL-261 ТОК 1 Otkrыtый -kollekshyoner, шottkki зathat 4,5 n 5,5. 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 50 май 10 марта 42NS, 12NS 1,3 В. 10 май 3750vrms 1/0 1 кв/мкс 100ns, 100ns
H11D1-X009 Vishay Semiconductor Opto Division H11D1-X009 0,6576
RFQ
 ECAD 5243 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло H11 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 100 май 2,5 мкс, 5,5 мкс 300 1,1 В. 60 май 5300vrms 20% @ 10ma - 5 мкс, 6 мкс 400 м
FOD2711AV Fairchild Semiconductor FOD2711AV 0,4800
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор 8-Dip СКАХАТА Ear99 8541.49.8000 623 50 май - 30 1,5 - 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma - 400 м
VOA300 Vishay Semiconductor Opto Division VOA300 3.2703
RFQ
 ECAD 2308 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я Автомобиль, AEC-Q102 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 8-SMD, крхло VOA300 ТОК 3 Фотолктристески, имени 8-SMD СКАХАТА 751-VOA300TR Ear99 8541.49.8000 2000 - 800NS, 800NS - 1,4 В. 60 май 5300vrms - - - -
HCPL-061N#500 Broadcom Limited HCPL-061N#500 2.4743
RFQ
 ECAD 6916 0,00000000 Broadcom Limited - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) HCPL-061 ТОК 1 Otkrыtый -kollekshyoner, шottkki зathat 4,5 n 5,5. 8 ТОКОГОПОЛОС СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1500 50 май 10 марта 42NS, 12NS 1,3 В. 10 май 3750vrms 1/0 1 кв/мкс 100ns, 100ns
TLP785F(D4YHT7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4yht7, f -
RFQ
 ECAD 7277 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) TLP785 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP785F (D4YHT7FTR Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 60 май 5000 дней 75% @ 5MA 150% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
EL817(S1)(A)(TD)-V Everlight Electronics Co Ltd El817 (s1) (a) (td) -v -
RFQ
 ECAD 3789 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло EL817 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 50 май 4 мкс, 3 мкс 35 1,2 В. 60 май 5000 дней 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 200 м
TLP292-4(V4LATPE Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (V4latpe 1.7900
RFQ
 ECAD 8491 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 16 SOIC (0,179 », Ирина 4,55 мм) TLP292 AC, DC 4 Траншистор 16-й СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,25 50 май 3750vrms 50% @ 500 мк 600% @ 500 мк 3 мкс, 3 мкс 300 м
HCPL-5431#300 Broadcom Limited HCPL-5431#300 195.5250
RFQ
 ECAD 6719 0,00000000 Broadcom Limited - МАССА Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 8-csmd, krыlo чaйki HCPL-5431 ТОК 2 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 4,75 -5,25. 8-Dip Gull Wing СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A001A2C 8541.49.8000 1 25 май 40 мсб / с 15NS, 10NS 1,35 В. 10 май 1500 2/0 500 -мкс 60NS, 60NS
CNY17F-3S1(TA) Everlight Electronics Co Ltd CNY17F-3S1 (TA) 0,3354
RFQ
 ECAD 3582 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY17F ТОК 1 Траншистор 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 3907171744 Ear99 8541.49.8000 1000 - 6 мкс, 8 мкс 80 1,65 - 60 май 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma 10 мкс, 9 мкс 300 м
PC81718NIP0X Sharp Microelectronics PC81718NIP0X -
RFQ
 ECAD 1067 0,00000000 Оправовов - Lenta и катахка (tr) Управо -30 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 10 май 5000 дней 120% @ 500 мк 500% @ 500 мк - 200 м
CNY117-2X007T Vishay Semiconductor Opto Division CNY117-2X007T 0,2997
RFQ
 ECAD 2997 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY117 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
CNY17F-3 Vishay Semiconductor Opto Division CNY17F-3 0,6800
RFQ
 ECAD 24 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) CNY17F ТОК 1 Траншистор 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
LTV-205 Lite-On Inc. LTV-205 -
RFQ
 ECAD 1321 0,00000000 Lite-On Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) ТОК 2 Траншистор 8-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 - - 80 1,2 В. 30 май 3750vrms 40% @ 10ma 80% @ 10ma 5 мкс, 4 мкс 400 м
PS2561AL1-1-V-D-A CEL PS2561AL1-1-VDA -
RFQ
 ECAD 7140 0,00000000 СМЕРЕЛЕР Nepok Трубка Пркрэно -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 30 май 3 мкс, 5 мкс 70В 1,2 В. 30 май 5000 дней 50% @ 5MA 400% @ 5MA - 300 м
TLP266J(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J (V4-TPL, e 0,9300
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TLP Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLP266 1 Триак 6-Sop СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 1,27 30 май 3750vrms 600 70 май 600 мк (теп) В дар 200 -мкс 10 май 30 мкс
4N29S(TA)-V Everlight Electronics Co Ltd 4n29s (ta) -v -
RFQ
 ECAD 3992 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 3907150012 Ear99 8541.49.8000 1000 - - 55 1,2 В. 60 май 5000 дней 100% @ 10ma - 5 мкс, 40 мкс (mmaks) 1V
TLP293-4(GBTPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 (GBTPR, e 1.2300
RFQ
 ECAD 4227 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 16 SOIC (0,179 », Ирина 4,55 мм) TLP293 ТОК 4 Траншистор 16-й СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,25 50 май 3750vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 300 м
ILQ2-X001 Vishay Semiconductor Opto Division ILQ2-X001 2.9000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 16-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ILQ2 ТОК 4 Траншистор 16-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 25 50 май 2,6 мкс, 2,2 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 100% @ 10ma 500% @ 10ma 1,2 мкс, 2,3 мкс 400 м
HCPL-2530#300 Broadcom Limited HCPL-2530#300 -
RFQ
 ECAD 5224 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Пркрэно -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло ТОК 2 Траншистор 8-SMD СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 8 май - 20 1,5 В. 25 май 3750vrms 7% @ 16ma 50% @ 16ma 200NS, 1,3 мкм -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть