SIC
close

Оптол авертор (15749)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Агентево Колист. Каналов Втипа Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Ток - Скороп Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip На Current - On State (it (rms)) (MMaks) Current - Hold (ih) Vхodы - Стерона 1/СОЗОРОНА 2 Обжильжим Я Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks) САМАМА Статистский DV/DT (мин) Ток - С. Klючite -wreman
PS8802-1-AX Renesas Electronics America Inc PS8802-1-OX 5.4820
RFQ
 ECAD 3281 0,00000000 Renesas Electronics America Inc Nepok Полески В аспекте -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) PS8802 ТОК 1 Траншистор 8-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 20 8 май - 35 1,7 25 май 2500vrms 15% @ 16ma 45% @ 16ma 300NS, 600NS -
TLP266J(V4T7TL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J (V4T7TL, e 0,9200
RFQ
 ECAD 2489 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TLP Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLP266 1 Триак 6-Sop СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 1,27 30 май 3750vrms 600 70 май 600 мк (теп) В дар 200 -мкс 10 май 30 мкс
QTM354T1 QT Brightek (QTB) QTM354T1 0,7800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 QT Brightek (QTB) Optocoupler Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло QTM354 AC, DC 1 Траншистор 4-минутнг Флат СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 6 мкс, 8 мкс 80 1,24 50 май 3750vrms 20% @ 1MA 300% @ 1MA - 200 м
HCPL-0501#560 Broadcom Limited HCPL-0501#560 -
RFQ
 ECAD 8394 0,00000000 Broadcom Limited - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1500 8 май - 20 1,5 В. 25 май 3750vrms 15% @ 16ma - 200NS, 600NS -
HCPL-814-300E Broadcom Limited HCPL-814-300E 0,6600
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -30 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло HCPL-814 AC, DC 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 4 мкс, 3 мкс 35 1,2 В. 50 май 5000 дней 20% @ 1MA 300% @ 1MA - 200 м
PS2801C-1-A Renesas Electronics America Inc PS2801C-1-A 2.4000
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 Renesas Electronics America Inc Nepok Полески В аспекте -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) PS2801 ТОК 1 Траншистор 4-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 30 май 5 мкс, 7 мкс 80 1,2 В. 30 май 2500vrms 50% @ 5MA 400% @ 5MA 10 мкс, 7 мкс 300 м
FODM8801AR2V onsemi FODM8801AR2V 1.7800
RFQ
 ECAD 5402 0,00000000 OnSemi Optohit ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) FODM8801 ТОК 1 Траншистор 4-минутнг Флат СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2500 30 май 5 мкс, 5,5 мкс 75 1,35 В. 20 май 3750vrms 80% @ 1MA 160% @ 1MA 6 мкс, 6 мкс 400 м
PS2561-1-L-A CEL PS2561-1-la -
RFQ
 ECAD 9662 0,00000000 СМЕРЕЛЕР Nepok Трубка Пркрэно -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 3 мкс, 5 мкс 80 1,17 80 май 5000 дней 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 300 м
TLP781F(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (GB, F) -
RFQ
 ECAD 5077 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Управо -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) TLP781F ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP781F (GBF) Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 60 май 5000 дней 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
H11D1W onsemi H11D1W -
RFQ
 ECAD 9553 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) H11d ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH H11D1W-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 100 май - 300 1,15 В. 80 май 5300vrms 20% @ 10ma - 5 мкс, 5 мкс 400 м
PS2561AL2-1-V-H-A Renesas Electronics America Inc PS2561AL2-1-VHA -
RFQ
 ECAD 1817 0,00000000 Renesas Electronics America Inc Nepok Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло PS2561 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 559-1300 Ear99 8541.49.8000 100 30 май 3 мкс, 5 мкс 70В 1,2 В. 30 май 5000 дней 80% @ 5MA 160% @ 5MA - 300 м
8215630000 Weidmüller 8215630000 -
RFQ
 ECAD 7226 0,00000000 Weidmüller - МАССА Управо -25 ° C ~ 40 ° C. Din Rail Модул ТОК 1 Траншистор - - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) DOSTISH DKO 24 VDC Ear99 8541.49.8000 1 500 май - 48 - 6 май - - - 40 мкс, 65 мкс -
4N33-X009T Vishay Semiconductor Opto Division 4n33-x009t -
RFQ
 ECAD 8907 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло 4n33 ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 100 май - 30 1,25 60 май 5300vrms 500% @ 10ma - 5 мкс, 100 мкс (MMAKS) 1в (тип)
MOC3052S-TA Lite-On Inc. MOC3052S-TA -
RFQ
 ECAD 2850 0,00000000 Lite-On Inc. MOC305X Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло MOC305 CSA, FIMKO, UL 1 Триак 6-SMD СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8541.49.8000 1000 1,2 В. 50 май 5000 дней 600 400 мк (typ) Не 1 кв/мкс 10 май -
H11AV2M onsemi H11AV2M -
RFQ
 ECAD 1790 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) H11a ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH H11AV2M-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 - - 70В 1,18 60 май 7500VPK 50% @ 10ma - 15 мкс, 15 мкс 400 м
H11N1SR2VM onsemi H11n1sr2vm 7.2700
RFQ
 ECAD 882 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 6-SMD, кргло H11n1 ТОК 1 Otkrыtый kollekцyoner 4 В ~ 15 В. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 5 мг 7,5NS, 12NS 1,4 В. 30 май 4170vrms 1/0 - 330NS, 330NS
EL3H4(EA)-VG Everlight Electronics Co Ltd El3h4 (ea) -vg 0,2165
RFQ
 ECAD 2616 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) EL3H4 AC, DC 1 Траншистор 4-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) C120000018 Ear99 8541.49.8000 1000 - 6 мкс, 8 мкс 80 1,2 В. 50 май 3750vrms 20% @ 1MA 300% @ 1MA - 200 м
SFH617A-3X017T Vishay Semiconductor Opto Division SFH617A-3X017T 1.0800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH617 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,35 В. 60 май 5300vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
FODM217CV onsemi FODM217CV 1.0800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 OnSemi FODM217 Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) FODM217 ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH FODM217CVOS Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 3750vrms 200% @ 5MA 400% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
HCPL-2530#320 Broadcom Limited HCPL-2530#320 -
RFQ
 ECAD 7533 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Пркрэно -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло ТОК 2 Траншистор 8-SMD СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 8 май - 20 1,5 В. 25 май 5000 дней 7% @ 16ma 50% @ 16ma 200NS, 1,3 мкм -
4N28M-V Everlight Electronics Co Ltd 4n28m-v -
RFQ
 ECAD 9576 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 3907172807 Ear99 8541.49.8000 65 - - 80 1,2 В. 60 май 5000 дней 10% @ 10ma - 3 мкс, 3 мкс 500 м
PS2707-1-A CEL PS2707-1-A -
RFQ
 ECAD 9528 0,00000000 СМЕРЕЛЕР Nepok Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло AC, DC 1 Траншистор СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 30 май 10 мкс, 10 мкс 120 1,1 В. 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 400% @ 5MA - 300 м
FODM3053R2V-NF098 onsemi FODM3053R2V-NF098 1.7100
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло FODM30 cur, ur, vde 1 Триак 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2500 1,2 В. 60 май 3750vrms 600 70 май 300 мк (typ) Не 1 кв/мкс 5 май -
PS2801C-1-F3-P-A Renesas Electronics America Inc PS2801C-1-F3-PA 0,2364
RFQ
 ECAD 8971 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Lenta и катахка (tr) В аспекте -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) PS2801 ТОК 1 Траншистор 4-Ssop - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 559-1494-2 Ear99 8541.49.8000 3500 30 май 5 мкс, 7 мкс 80 1,2 В. 30 май 2500vrms 150% @ 5MA 300% @ 5MA 10 мкс, 7 мкс 300 м
EL817(S)(TA)-VG Everlight Electronics Co Ltd El817 (s) (ta) -vg -
RFQ
 ECAD 5953 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 6 мкс, 8 мкс 80 1,2 В. 60 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 м
VO2223A Vishay Semiconductor Opto Division VO2223A 2.3100
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 мм), 7 лиц. VO2223 Крик, 1 Трик, Власть 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 751-1490-5 Ear99 8541.49.8000 50 1,4 В (МАКС) 50 май 5300vrms 600 1 а 25 май Не 210 В/мкс (теп) 10 май -
PS2503L-1-F3-L-A Renesas Electronics America Inc PS2503L-1-F3-LA -
RFQ
 ECAD 2470 0,00000000 Renesas Electronics America Inc Nepok Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло PS2503 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 559-1247-2 Ear99 8541.49.8000 2000 30 май 20 мкс, 30 мкс 40 1,1 В. 80 май 5000 дней 150% @ 1MA 300% @ 1MA - 250 м
HCPL-2430-000E Broadcom Limited HCPL-2430-000E 13.5500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) HCPL-2430 ТОК 2 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 4,75 -5,25. 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 25 май 40 марта 20NS, 10NS 1,3 В. 10 май 3750vrms 2/0 1 кв/мкс 55NS, 55NS
IL300-EF-X006 Vishay Semiconductor Opto Division IL300-EF-X006 -
RFQ
 ECAD 8628 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) IL300 ТОК 1 Фотолктристески, имени 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 70 мк (теп) 1 мкс, 1 мкс 500 м 1,25 60 май 5300vrms - - - -
PS2705A-1-V-F3-A CEL PS2705A-1-V-F3-A -
RFQ
 ECAD 8778 0,00000000 СМЕРЕЛЕР Nepok Lenta и катахка (tr) Пркрэно -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло AC, DC 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3500 30 май 5 мкс, 7 мкс 70В 1,2 В. 30 май 3750vrms 50% @ 5MA 300% @ 5MA - 300 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть