SIC
close

Оптол авертор (15749)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Агентево Колист. Каналов Втипа Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Ток - Скороп Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip На Current - On State (it (rms)) (MMaks) Current - Hold (ih) Vхodы - Стерона 1/СОЗОРОНА 2 Обжильжим Я Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks) САМАМА Статистский DV/DT (мин) Ток - С. Klючite -wreman
MOC3081TM onsemi MOC3081TM -
RFQ
 ECAD 9060 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) MOC308 UL 1 Триак 6-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH MOC3081TM-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 1,3 В. 60 май 4170vrms 800 В 500 мк (теп) В дар 600 -мкс 15 май -
TLP2363(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2363 (TPL, e 1.0200
RFQ
 ECAD 6657 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. Пефер 6 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм), 5 проводников TLP2363 ТОК 1 Otkrыtый kollekцyoner 2,7 В ~ 5,5 В. 6 tyakowых, 5 -йлидирштва СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 25 май 10 марта / с 23ns, 7ns 1,5 В. 25 май 3750vrms 1/0 20 кв/мкс 80NS, 80NS
FODM3012R4V onsemi FODM3012R4V -
RFQ
 ECAD 7947 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 Триак 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2500 1,2 В. 60 май 3750vrms 250 70 май 300 мк (typ) Не 10 В/мкс (тип) 5 май -
VOA300 Vishay Semiconductor Opto Division VOA300 3.2703
RFQ
 ECAD 2308 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я Автомобиль, AEC-Q102 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 8-SMD, крхло VOA300 ТОК 3 Фотолктристески, имени 8-SMD СКАХАТА 751-VOA300TR Ear99 8541.49.8000 2000 - 800NS, 800NS - 1,4 В. 60 май 5300vrms - - - -
TLP127(KOSD-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (KOSD-TPL, F) -
RFQ
 ECAD 2733 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD (4 свина), кргло TLP127 ТОК 1 Дэйрлингтон 6-mfsop, 4-й лир - 1 (neograniчennnый) 264-TLP127 (KOSD-TPLF) Tr Ear99 8541.49.8000 3000 150 май 40 мкс, 15 мкс 300 1,15 В. 50 май 2500vrms 1000% @ 1MA - 50 мкс, 15 мкс 1,2 В.
PS9317L-E3-AX Renesas Electronics America Inc PS9317L-E3-AX 3.9500
RFQ
 ECAD 8349 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 6 SOIC (0,268 дюйма, Ирина 6,80 мм) PS9317 ТОК 1 Otkrыtый kollekцyoner 4,5 n 5,5. 6-Sdip Gull Wing СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 25 май 10 марта / с 20ns, 5ns 1,56 В. 20 май 5000 дней 1/0 15 кв/мкс 75ns, 75ns
TLP126(FA-TPLS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP126 (FA-TPLS, F) -
RFQ
 ECAD 7277 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Lenta и катахка (tr) Управо TLP126 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP126 (FA-TPLSF) Tr Ear99 8541.49.8000 3000
PS2801-1-V-F3-A Renesas Electronics America Inc PS2801-1-V-F3-A 0,2920
RFQ
 ECAD 3317 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Lenta и катахка (tr) В аспекте -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) PS2801 ТОК 1 Траншистор 4-Ssop - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 559-1481-2 Ear99 8541.49.8000 3500 50 май 3 мкс, 5 мкс 80 1,1 В. 50 май 2500vrms 80% @ 5MA 600% @ 5MA 6 мкс, 5 мкс 300 м
TLP719(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719 (F) -
RFQ
 ECAD 1578 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SOIC (0,268 дюйма, Ирина 6,80 мм) TLP719 ТОК 1 Траншистор 6-Sdip Gull Wing - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 5A991G 8541.49.8000 100 8 май - 20 1,65 В. 25 май 5000 дней 20% @ 16ma - 800NS, 800NS (MAKS) -
TIL155 Texas Instruments TIL155 -
RFQ
 ECAD 8970 0,00000000 Тел * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 340
TLP360J(CANO) Toshiba Semiconductor and Storage TLP360J (Cano) -
RFQ
 ECAD 5866 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) TLP360 CQC, CUL, UL, VDE 1 Триак 4-Dip - 264-tlp360j (cano) Ear99 8541.49.8000 1 1,15 В. 50 май 5000 дней 600 100 май 1MA Не 500 v/mks (typ) 10 май 30 мкс
VO4156D Vishay Semiconductor Opto Division Vo4156d -
RFQ
 ECAD 3138 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) VO415 Крик, 1 Триак 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 1,2 В. 60 май 5300vrms 600 300 май 500 мк В дар 5 кв/мкс 1,6 мая -
TLP621-2X Isocom Components 2004 LTD TLP621-2X 0,8600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Isocom Components 2004 Ltd - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) TLP621 ТОК 2 Траншистор - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 - 2 мкс, 3 мкс 55 1,15 В. 50 май 5300vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
PS2801-1-F3 CEL PS2801-1-F3 -
RFQ
 ECAD 2207 0,00000000 СМЕРЕЛЕР - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) ТОК 1 Траншистор 4-Ssop СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3500 50 май 3 мкс, 5 мкс 80 1,1 В. 50 май 2500vrms 80% @ 5MA 600% @ 5MA 6 мкс, 5 мкс 300 м
TIL921B Texas Instruments TIL921B 0,5100
RFQ
 ECAD 7611 0,00000000 Тел * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 530
PS9817A-1-F3-AX Renesas Electronics America Inc PS9817A-1-F3-AX 3.2100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Renesas Electronics America Inc Nepok Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) ТОК 1 Otkrыtый kollekцyoner 4,5 n 5,5. 8-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1500 25 май 10 марта / с 20ns, 5ns 1,65 В. 20 май 2500vrms 1/0 15 кв/мкс 75ns, 75ns
RV1S2281ACCSP-10YC#SC0 Renesas Electronics America Inc RV1S2281ACCSP-10YC#SC0 1.7800
RFQ
 ECAD 556 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Полески Актифен -40 ° C ~ 115 ° C. Пефер 4-Sop (0,295 ", Ирина 7,50 мм) RV1S2281 ТОК 1 Траншистор 4-LSSOP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 20 30 май 4 мкс, 5 мкс 80 1,15 В. 30 май 5000 дней 50% @ 5MA 400% @ 5MA - 300 м
PC851XI Sharp Microelectronics PC851XI -
RFQ
 ECAD 8269 0,00000000 Оправовов - Трубка Управо -25 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) 425-1504-5 Ear99 8541.49.8000 50 50 май 4 мкс, 5 мкс 350 1,2 В. 50 май 5000 дней - - - 300 м
BRT12-H Vishay Semiconductor Opto Division BRT12-H -
RFQ
 ECAD 4823 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) BRT12 CQC, UL 1 Триак 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 1,1 В. 20 май 5300vrms 600 300 май 500 мк Не 10 кв/мкс 2MA -
PC357N0TJ00F Sharp Microelectronics PC357N0TJ00F -
RFQ
 ECAD 7333 0,00000000 Оправовов - Lenta и катахка (tr) Управо -30 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-минутнг Флат СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 750 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 3750vrms 80% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 м
EL814S(A)(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd El814s (a) (tb) -v -
RFQ
 ECAD 8733 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло AC, DC 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 - 7 мкс, 11 мкс 80 1,2 В. 60 май 5000 дней 50% @ 1MA 150% @ 1MA - 200 м
EL3H7(TB)-VG Everlight Electronics Co Ltd EL3H7 (TB) -VG 0,1374
RFQ
 ECAD 9802 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) EL3H7 ТОК 1 Траншистор 4-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) C110000676 Ear99 8541.49.8000 5000 50 май 5 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 м
OPIA5010ATRE TT Electronics/Optek Technology Opia5010atre -
RFQ
 ECAD 3082 0,00000000 TT Electronics/Optek Technology - Lenta и катахка (tr) Управо -30 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 150 май 60 мкс, 50 ​​мкс 300 1,2 В. 50 май 5000 дней 600% @ 2MA 9000% @ 2MA - 1,5 В.
LTV-816M Lite-On Inc. LTV-816M 0,0945
RFQ
 ECAD 6458 0,00000000 Lite-On Inc. LTV-816 Трубка Актифен -30 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) LTV-816 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) LTV816M Ear99 8541.49.8000 100 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 м
6N135M Everlight Electronics Co Ltd 6n135m -
RFQ
 ECAD 5958 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 45 8 май - 20 1,45 25 май 5000 дней 7% @ 16ma 50% @ 16ma 350NS, 500NS -
PS9822-2-N-AX CEL PS9822-2-N-AX -
RFQ
 ECAD 3743 0,00000000 СМЕРЕЛЕР Nepok МАССА Пркрэно -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) ТОК 2 Otkrыtый kollekцyoner 2,7 В ~ 3,6 В. 8-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH PS98222NAX Ear99 8541.49.8000 20 25 май 1 март / с - 1,6 В. 15 май 2500vrms 2/0 - 700NS, 500NS
MCT2TVM onsemi MCT2TVM -
RFQ
 ECAD 6239 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) MCT2 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH MCT2TVM-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 1,5 мкс 30 1,25 60 май 7500VPK 20% @ 10ma - 2 мкс, 2 мкс 400 м
CNY117F-3X006 Vishay Semiconductor Opto Division CNY117F-3X006 0,3086
RFQ
 ECAD 2182 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) CNY117 ТОК 1 Траншистор 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
PS2581AL1-W-A Renesas Electronics America Inc PS2581AL1-wa 0,6700
RFQ
 ECAD 49 0,00000000 Renesas Electronics America Inc Nepok Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) PS2581 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 559-1399 Ear99 8541.49.8000 100 30 май 3 мкс, 5 мкс 70В 1,2 В. 30 май 5000 дней 130% @ 5MA 260% @ 5MA - 300 м
TLP321 Isocom Components 2004 LTD TLP321 0,1459
RFQ
 ECAD 1872 0,00000000 Isocom Components 2004 Ltd - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 58-TLP321 Ear99 8541.49.8000 100 - 2 мкс, 3 мкс - 1,15 В. 50 май 5300vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть