SIC
close

Оптоизоляторы(15749)

Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Тип входа Утверждающее агентство Количество вариантов Тип выхода Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Ток — выход/канал Скорость передачи данных Время подъема/спада (типичное) Напряжение - Выход (Макс.) Напряжение — прямое (Vf) (тип.) Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) Напряжение – изоляция Напряжение – выключенное состояние Текущее состояние включения (It (RMS)) (Макс.) Ток — удержание (Ih) Входы — сторона 1/сторона 2 Скорость к синфазным переходным процессам (мин.) Задержка распространения tpLH/tpHL (Макс.) Текущий коэффициент передачи (мин.) Текущий коэффициент передачи (макс.) Время включения/выключения (типовое) Насыщенность Vce (макс.) Схема пересечения нулей Статическое dV/dt (мин) Ток — триггер светодиода (Ift) (макс.) Время включения
EL2611S(TA)-V Everlight Electronics Co Ltd ЭЛ2611С(ТА)-В 0,6636
запросить цену
 ECAD 4450 0,00000000 Эверлайт Электроникс Ко Лтд. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 8-СМД, Крыло Чайки EL2611 округ Колумбия 1 Открытый коллектор 7В 8-СМД скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) C180000057 EAR99 8541.49.8000 1000 50 мА 10 Мбит/с 40 нс, 10 нс 1,4 В 50 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 1/0 10 кВ/мкс 75нс, 75нс
TLP785F(GRL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(ГРЛ,Ф -
запросить цену
 ECAD 9716 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -55°С ~ 110°С Сквозное отверстие 4-ДИП (0,400", 10,16 мм) ТЛП785 округ Колумбия 1 Транзистор 4-ДИП скачать 1 (без блокировки) 264-ТЛП785Ф(ГРЛФ EAR99 8541.49.8000 100 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,15 В 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 100% при 5 мА 200% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
ACPL-M483-060E Broadcom Limited ACPL-M483-060E 1,5527
запросить цену
 ECAD 4219 0,00000000 Бродком Лимитед - Трубка Активный -40°С ~ 105°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 5 выводов ACPL-M483 округ Колумбия 1 Push-Pull, Тотемный столб 4,5 В ~ 30 В 5-СО скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.49.8000 100 50 мА - 6нс, 6нс 1,5 В 10 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 1/0 30 кВ/мкс 120 нс, 120 нс
TLP734F(D4-LF4,M,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP734F(D4-LF4,M,F -
запросить цену
 ECAD 1623 г. 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Трубка Устаревший ТЛП734 - 1 (без блокировки) 264-ТЛП734Ф(Д4-ЛФ4МФ EAR99 8541.49.8000 50
TLP781F(D4ADGBT7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4ADGBT7,F -
запросить цену
 ECAD 4496 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -55°С ~ 110°С Сквозное отверстие 4-ДИП (0,400", 10,16 мм) ТЛП781Ф округ Колумбия 1 Транзистор 4-ДИП скачать 1 (без блокировки) 264-TLP781F(D4ADGBT7FTR EAR99 8541.49.8000 2000 г. 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,15 В 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 100% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
H11C23S onsemi H11C23S -
запросить цену
 ECAD 5422 0,00000000 онсеми - Трубка Устаревший -55°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 6-СМД, Крыло Чайки H11C УР, ВДЕ 1 СКР 6-СМД скачать 1 (без блокировки) REACH не касается H11C23S-НДР EAR99 8541.49.8000 1000 1,2 В 60 мА 5300 В (среднеквадратичное значение) 200 В 300 мА - Нет 500 В/мкс 20 мА -
TLP385(GRL-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(GRL-TPR,E 0,5600
запросить цену
 ECAD 4446 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 4 вывода ТЛП385 округ Колумбия 1 Транзистор 6-СО, 4 результата скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 3000 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 100% при 5 мА 200% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
LTV-355T-B Lite-On Inc. ЛТВ-355Т-Б -
запросить цену
 ECAD 6750 0,00000000 Лайт-Он Инк. ЛТВ-355Т Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 4-СМД, Крыло Чайки ЛТВ-355 округ Колумбия 1 Дарлингтон 4-СОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 3000 80 мА 60 мкс, 53 мкс 35В 1,2 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 600% при 1 мА 7500% при 1 мА - 1В
EL212(TA)-V Everlight Electronics Co Ltd ЭЛ212(ТА)-В -
запросить цену
 ECAD 5707 0,00000000 Эверлайт Электроникс Ко Лтд. - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) EL212 округ Колумбия 1 Транзистор с базой 8-СОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) C110000561 EAR99 8541.49.8000 2000 г. - 1,6 мкс, 2,2 мкс 80В 1,3 В 60 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 50% при 10 мА - 3 мкс, 3 мкс 400мВ
PC3H7DJ0001B Sharp Microelectronics PC3H7DJ0001B -
запросить цену
 ECAD 3472 0,00000000 Острая микроэлектроника - Лента и катушка (TR) Снято с производства в НИЦ -30°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 4-SOIC (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) округ Колумбия 1 Транзистор 4-мини-квартира - Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 3000 50 мА 4 мкс, 3 мкс 80В 1,2 В 50 мА 2500 В (среднеквадратичное значение) - - - 200 мВ
FODM1008R2 Fairchild Semiconductor FODM1008R2 0,1800
запросить цену
 ECAD 4 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник - Масса Активный -40°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 4-СМД, Крыло Чайки округ Колумбия 1 Транзистор 4-СОП скачать EAR99 8541.49.8000 1656 г. 50 мА 5,7 мкс, 8,5 мкс 70В 1,4 В 50 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 130% при 5 мА 260% при 5 мА - 300мВ
EL817(S1)(D)(TB)-VG Everlight Electronics Co Ltd ЭЛ817(С1)(Д)(ТБ)-ВГ -
запросить цену
 ECAD 3116 0,00000000 Эверлайт Электроникс Ко Лтд. - Лента и катушка (TR) Снято с производства в НИЦ -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 4-СМД, Крыло Чайки округ Колумбия 1 Транзистор 4-СМД скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 1000 50 мА 6 мкс, 8 мкс 80В 1,2 В 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 300% при 5 мА 600% при 5 мА - 200 мВ
PS9009-Y-F3-AX Renesas Electronics America Inc PS9009-Y-F3-AX 2.5100
запросить цену
 ECAD 2558 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,295 дюйма, ширина 7,50 мм), 5 выводов ПС9009 округ Колумбия 1 Push-Pull, Тотемный столб 4,5 В ~ 20 В 5-ЛСОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.49.8000 3000 25 мА - 25 нс, 4,6 нс 1,56 В 25 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 1/0 50 кВ/мкс 200 нс, 200 нс
FODM3011R2_NF098 onsemi FODM3011R2_NF098 -
запросить цену
 ECAD 4976 0,00000000 онсеми - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 4-СМД, Крыло Чайки ФОДМ30 КУР, УР 1 Триак 4-СМД скачать 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.49.8000 2500 1,2 В 60 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 250 В 70 мА 300 мкА (тип.) Нет 10 В/мкс (тип.) 10 мА -
TLP627M(D4-TP5,E Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП627М(Д4-ТП5,Э 0,3090
запросить цену
 ECAD 3 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 4-СМД, Крыло Чайки ТЛП627 округ Колумбия 1 Дарлингтон 4-СМД скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 1500 150 мА 60 мкс, 30 мкс 300В 1,25 В 50 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 1000% при 1 мА - 110 мкс, 30 мкс 1,2 В
VO617A-2X017T Vishay Semiconductor Opto Division ВО617А-2Х017Т 0,4400
запросить цену
 ECAD 3933 0,00000000 Подразделение Vishay Semiconductor Opto - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 4-СМД, Крыло Чайки ВО617 округ Колумбия 1 Транзистор 4-СМД скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 1000 50 мА 2 мкс, 2 мкс 80В 1,35 В 60 мА 5300 В (среднеквадратичное значение) 63% при 5 мА 125% при 5 мА 3 мкс, 2,3 мкс 400мВ
MCT5211S onsemi MCT5211S -
запросить цену
 ECAD 9634 0,00000000 онсеми - Трубка Устаревший -55°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 6-СМД, Крыло Чайки МСТ5 округ Колумбия 1 Транзистор с базой 6-СМД скачать 1 (без блокировки) REACH не касается MCT5211S-НДР EAR99 8541.49.8000 1000 150 мА - 30 В 1,25 В 50 мА 5300 В (среднеквадратичное значение) 150% при 1,6 мА - 14 мкс, 2,5 мкс 400мВ
PVI1050 Infineon Technologies ПВИ1050 -
запросить цену
 ECAD 9186 0,00000000 Инфинеон Технологии ПВИ-НПбФ Трубка Устаревший - Сквозное отверстие 8-DIP (0,300 дюймов, 7,62 мм), 6 выводов ПВИ1050 округ Колумбия 1 Фотоэлектрический 8-ДИП скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.49.8000 50 - - 5В, 10В - 2500 В (среднеквадратичное значение) - - - -
EL3H4(EB)-G Everlight Electronics Co Ltd EL3H4(EB)-G -
запросить цену
 ECAD 9279 0,00000000 Эверлайт Электроникс Ко Лтд. - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 4-SOIC (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) EL3H4 переменный ток, постоянный ток 1 Транзистор 4-ССОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 1000 - 6 мкс, 8 мкс 80В 1,2 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 20% при 1 мА 300% при 1 мА - 200 мВ
ILQ32-X009T Vishay Semiconductor Opto Division ILQ32-X009T 3,7200
запросить цену
 ECAD 1 0,00000000 Подразделение Vishay Semiconductor Opto - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 16-СМД, Крыло Чайки ILQ32 округ Колумбия 4 Дарлингтон 16-СМД скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 750 125 мА - 30 В 1,25 В 60 мА 5300 В (среднеквадратичное значение) 500% при 10 мА - 15 мкс, 30 мкс 1В
4N253S onsemi 4Н253С -
запросить цену
 ECAD 2126 0,00000000 онсеми - Трубка Устаревший -55°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 6-СМД, Крыло Чайки 4Н25 округ Колумбия 1 Транзистор с базой 6-СМД скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 4Н253С-НДР EAR99 8541.49.8000 1000 - - 30 В 1,18 В 100 мА 5300 В (среднеквадратичное значение) 20% при 10 мА - 2 мкс, 2 мкс 500мВ
TLP781(F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП781(Ф) -
запросить цену
 ECAD 3773 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Устаревший -55°С ~ 110°С Сквозное отверстие 4-DIP (0,300 дюймов, 7,62 мм) ТЛП781 округ Колумбия 1 Транзистор 4-ДИП скачать 1 (без блокировки) ТЛП781Ф 5А991Г 8541.49.8000 100 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,15 В 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 50% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
MOC3033FVM onsemi MOC3033FVM -
запросить цену
 ECAD 5058 0,00000000 онсеми - Трубка Устаревший - Поверхностный монтаж 6-СМД, Крыло Чайки МОК303 - 1 Триак 6-СМД скачать 1 (без блокировки) REACH не касается MOC3033FVM-НДР EAR99 8541.49.8000 1000 - 60 мА 7500Впик 250 В 400 мкА (тип.) Да - 5мА -
MOC8100FVM onsemi МОК8100ФВМ -
запросить цену
 ECAD 5362 0,00000000 онсеми - Трубка Устаревший -55°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 6-СМД, Крыло Чайки МОК810 округ Колумбия 1 Транзистор с базой 6-СМД скачать 1 (без блокировки) REACH не касается MOC8100FVM-НДР EAR99 8541.49.8000 1000 - 2 мкс, 2 мкс 30 В 1,2 В 60 мА 7500Впик 30% при 1 мА - 20 мкс, 20 мкс (макс.) 500мВ
EL3031-V Everlight Electronics Co Ltd ЭЛ3031-В -
запросить цену
 ECAD 7534 0,00000000 Эверлайт Электроникс Ко Лтд. - Трубка Активный -55°С ~ 100°С Сквозное отверстие 6-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) EL3031 CSA, ДЕМКО, ФИМКО, НЕМКО, СЕМКО, UL, VDE 1 Триак 6-ДИП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 3903310008 EAR99 8541.49.8000 65 1,5 В (макс.) 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 250 В 100 мА 280 мкА (тип.) Да 1кВ/мкс 15 мА -
H11A1SR2VM onsemi Х11А1СР2ВМ 0,7100
запросить цену
 ECAD 1 0,00000000 онсеми - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 6-СМД, Крыло Чайки H11A1 округ Колумбия 1 Транзистор с базой 6-СМД скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.49.8000 1000 - - 30 В 1,18 В 60 мА 4170 В (среднеквадратичное значение) 50% при 10 мА - 2 мкс, 2 мкс 400мВ
PS2565L2-1-A CEL ПС2565Л2-1-А -
запросить цену
 ECAD 7753 0,00000000 КЛЭ НЕПОК Трубка Снято с производства в НИЦ -55°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 4-СМД, Крыло Чайки переменный ток, постоянный ток 1 Транзистор 4-СМД скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) Затронуто REACH EAR99 8541.49.8000 100 50 мА 3 мкс, 5 мкс 80В 1,17 В 80 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 80% при 5 мА 400% при 5 мА - 300мВ
PS2525-4-A CEL ПС2525-4-А -
запросить цену
 ECAD 5287 0,00000000 КЛЭ НЕПОК Трубка Устаревший -55°С ~ 100°С Сквозное отверстие 16-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) переменный ток, постоянный ток 4 Транзистор 16-ДИП скачать 1 (без блокировки) Затронуто REACH EAR99 8541.49.8000 20 50 мА 3 мкс, 5 мкс 80В 1,3 В 150 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 20% при 100 мА 80% при 100 мА - 300мВ
SFH615A-3XSMT/R Isocom Components 2004 LTD SFH615A-3XSMT/Р 0,5100
запросить цену
 ECAD 3 0,00000000 ООО «Изоком Компонентс 2004» - Лента и катушка (TR) Активный -30°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 4-СМД, Крыло Чайки SFH615 округ Колумбия 1 Транзистор - скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.49.8000 1000 50 мА 3 мкс, 14 мкс 70В 1,65 В (макс.) 50 мА 5300 В (среднеквадратичное значение) 100% при 10 мА 200% при 10 мА 4,2 мкс, 23 мкс 400мВ
TLP293(BL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293(BL,E 0,5100
запросить цену
 ECAD 2113 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Активный -55°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 4-SOIC (ширина 0,179 дюйма, 4,55 мм) ТЛП293 округ Колумбия 1 Транзистор 4-СО скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) TLP293(БЛЕ EAR99 8541.49.8000 175 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 200% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе

Список запросов цен (0 позиций)
Список корзины (0 товаров)
WishlistСписок желаний (0 шт.)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Открытая площадка

Количество: 1

Список сравнения (0 позиций)
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.