SIC
close

Оптол авертор (15749)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Агентево Колист. Каналов Втипа Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Ток - Скороп Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip На Current - On State (it (rms)) (MMaks) Current - Hold (ih) Vхodы - Стерона 1/СОЗОРОНА 2 Обжильжим Я Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks) САМАМА Статистский DV/DT (мин) Ток - С. Klючite -wreman
EL814S1(A)(TA)-V Everlight Electronics Co Ltd El814s1 (a) (ta) -v 0,5400
RFQ
 ECAD 3313 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло EL814 AC, DC 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1000 - 7 мкс, 11 мкс 80 1,2 В. 60 май 5000 дней 50% @ 1MA 150% @ 1MA - 200 м
FODM121CR1 onsemi FODM121CR1 -
RFQ
 ECAD 6856 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло FODM12 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 80 май 3 мкс, 3 мкс 80 1,3 В (МАКС) 50 май 3750vrms 100% @ 5MA 200% @ 5MA - 400 м
MCT9001 onsemi MCT9001 1.0800
RFQ
 ECAD 6734 0,00000000 OnSemi - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) MCT9 ТОК 2 Траншистор 8-Dip СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 30 май 2,4 мкс, 2,4 мкс 55 1V 60 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
OPIA402BTR TT Electronics/Optek Technology Opia402btr -
RFQ
 ECAD 4881 0,00000000 TT Electronics/Optek Technology - Lenta и катахка (tr) Управо -30 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло AC, DC 1 Траншистор 4-Sop (2,54 мм) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 4 мкс, 3 мкс 60 1,2 В. 50 май 3750vrms 20% @ 1MA 400% @ 1MA - 300 м
TLP631(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631 (BL, F) -
RFQ
 ECAD 9685 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) TLP631 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2 мкс, 3 мкс 55 1,15 В. 60 май 5000 дней 200% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
VOT8025AG Vishay Semiconductor Opto Division VOT8025AG 0,4137
RFQ
 ECAD 7649 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -40 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-dip (0,400 ", 10,16 мм), 5 Свиньдов VOT8025 CQC, CUL, UL, VDE 1 Триак 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 751-VOT8025AG Ear99 8541.49.8000 2000 1,2 В. 50 май 5300vrms 800 В 100 май 400 мк (typ) В дар 1 кв/мкс 5 май -
PS2833-1-F3-A Renesas Electronics America Inc PS2833-1-F3-A 2.3300
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Renesas Electronics America Inc Nepok Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) PS2833 ТОК 1 Дэйрлингтон 4-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3500 60 май 20 мкс, 5 мкс 350 1,2 В. 50 май 2500vrms 400% @ 1MA 4500% @ 1MA - 1V
FODM3012R4 onsemi FODM3012R4 -
RFQ
 ECAD 2469 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло FODM30 BSI, CSA, UL 1 Триак 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2500 1,2 В. 60 май 3750vrms 250 70 май 300 мк (typ) Не 10 В/мкс (тип) 5 май -
CNX39U300W onsemi CNX39U300W -
RFQ
 ECAD 5095 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) CNX39 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH CNX39U300W-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 100 май - 30 1,15 В. 100 май 5300vrms 60% @ 10ma 100% @ 10ma 20 мкс, 20 мкс 400 м
6N136-X001 Vishay Semiconductor Opto Division 6n136-x001 1.6200
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) 6n136 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 8 май - 15 1,33 В. 25 май 5300vrms 19% @ 16ma - 200ns, 200ns -
RV1S2285ACCSP-10YC#KC0 Renesas Electronics America Inc RV1S2285ACCSP-10YC#KC0 1,6000
RFQ
 ECAD 7081 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 115 ° C. Пефер 4-Sop (0,295 ", Ирина 7,50 мм) RV1S2285 AC, DC 1 Траншистор 4-LSSOP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3500 30 май 4 мкс, 5 мкс 80 1,15 В. 30 май 5000 дней 50% @ 5MA 400% @ 5MA - 300 м
ILD250-X009T Vishay Semiconductor Opto Division ILD250-X009T -
RFQ
 ECAD 5153 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло ILD250 AC, DC 2 Траншистор 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 - - 30 1,2 В. 60 май 5300vrms 50% @ 10ma - - 400 м
TLP131(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP131 (TPR, F) -
RFQ
 ECAD 6602 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 5 проводников TLP131 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-mfsop, 5 LIDERSTHASTA - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) TLP131 (TPRF) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
HCPL-2630-520 Broadcom Limited HCPL-2630-520 -
RFQ
 ECAD 5532 0,00000000 Broadcom Limited - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8-SMD, крхло ТОК 2 Otkrыtый -kollekshyoner, шottkki зathat 4,5 n 5,5. 8-Dip Gull Wing СКАХАТА Rohs DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 10 марта 24ns, 10ns 1,5 В. 15 май 5000 дней 2/0 5 кв/мкс 75ns, 75ns
4N27S onsemi 4n27s -
RFQ
 ECAD 3364 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло 4n27 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 4n27s-ndr Ear99 8541.49.8000 1000 - - 30 1,18 100 май 5300vrms 10% @ 10ma - 2 мкс, 2 мкс 500 м
SFH620A-3 Vishay Semiconductor Opto Division SFH620A-3 0,9500
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) SFH620 AC, DC 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 100% @ 10ma 320% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
MOCD207M Fairchild Semiconductor MOCD207M -
RFQ
 ECAD 9231 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) ТОК 2 Траншистор 8 лейт СКАХАТА Ear99 8541.49.8000 1 150 май 3,2 мкс, 4,7 мкс 70В 1,25 60 май 2500vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 7,5 мкс, 5,7 мкс 400 м
ACPL-W611-000E Broadcom Limited ACPL-W611-000E 3.3200
RFQ
 ECAD 2884 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SOIC (0,268 дюйма, Ирина 6,80 мм) ACPL-W611 ТОК 1 Otkrыtый -kollekshyoner, шottkki зathat 4,5 n 5,5. 6 ТАКОГО СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 10 марта 24ns, 10ns 1,5 В. 20 май 5000 дней 1/0 10 кв/мкс 75ns, 75ns
ACNT-H61L-000E Broadcom Limited ACNT-H61L-000E 6.6700
RFQ
 ECAD 70 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. Пефер 8 SOIC (0,535 дюйма, Ирина 13,60 мм) ACNT-H61 ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 2,7 В ~ 5,5 В. 8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 80 10 марта - - - 7500vrms 1/0 20 кв/мкс -
CNY17-1-500E Broadcom Limited CNY17-1-500E 0,2103
RFQ
 ECAD 4789 0,00000000 Broadcom Limited - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY17 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 150 май 5 мкс, 5 мкс 70В 1,4 В. 60 май 5000 дней 40% @ 10ma 80% @ 10ma - 300 м
SFH1690AT Vishay Semiconductor Opto Division SFH1690AT 0,8900
RFQ
 ECAD 35 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH1690 ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 3 мкс, 4 мкс 70В 1,15 В. 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 150% @ 5MA 5 мкс, 3 мкс 400 м
HCPL2601W onsemi HCPL2601W -
RFQ
 ECAD 2469 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru 8-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) HCPL26 ТОК 1 Otkrыtый kollekцyoner 4,5 n 5,5. 8-MDIP СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 10 марта / с 50NS, 12NS 1,4 В. 50 май 2500vrms 1/0 5 кв/мкс 75ns, 75ns
4N37SR2M onsemi 4n37sr2m 0,7200
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло 4n37 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 - - 30 1,18 60 май 4170vrms 100% @ 10ma - 2 мкс, 2 мкс 300 м
PC814XP1 Sharp Microelectronics PC814XP1 -
RFQ
 ECAD 8264 0,00000000 Оправовов - Lenta и катахка (tr) Управо -30 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло AC, DC 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 5000 дней 50% @ 1MA 150% @ 1MA - 200 м
PS2801C-1-F3-L-A CEL PS2801C-1-F3-LA -
RFQ
 ECAD 4496 0,00000000 СМЕРЕЛЕР - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) ТОК 1 Траншистор 4-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3500 30 май 5 мкс, 7 мкс 80 1,2 В. 30 май 2500vrms 100% @ 5MA 300% @ 5MA 10 мкс, 7 мкс 300 м
H11A3SD onsemi H11A3SD -
RFQ
 ECAD 1982 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло H11a ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH H11A3SD-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 - - 30 1,18 100 май 5300vrms 20% @ 10ma - 2 мкс, 2 мкс 400 м
MOC212R2VM onsemi MOC212R2VM -
RFQ
 ECAD 3532 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) MOC212 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8 лейт СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2500 150 май 3,2 мкс, 4,7 мкс 30 1,15 В. 60 май 2500vrms 50% @ 10ma - 7,5 мкс, 5,7 мкс 400 м
H11A617D3S onsemi H11A617D3S -
RFQ
 ECAD 5340 0,00000000 OnSemi - Коробка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло H11a ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2,4 мкс, 2,4 мкс 70В 1,35 В. 50 май 5300vrms 160% @ 10ma 320% @ 10ma - 400 м
MOC3062SR2VM onsemi MOC3062SR2VM 1.2200
RFQ
 ECAD 945 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 6-SMD, кргло MOC306 IEC/EN/DIN, UL 1 Триак 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 1,3 В. 60 май 4170vrms 600 500 мк (теп) В дар 600 -мкс 10 май -
LOC112S IXYS Integrated Circuits Division Loc112s 3.1100
RFQ
 ECAD 3387 0,00000000 Ixys Integrated Circuits Division - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8-SMD, крхло LOC112 ТОК 1 Фотолктристески, имени 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 - - - 1,2 В. 3750vrms - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть