SIC
close

Оптол авертор (15749)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Raboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Агентево Колист. Каналов Втипа Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Ток - Скороп Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip На Current - On State (it (rms)) (MMaks) Current - Hold (ih) Vхodы - Стерона 1/СОЗОРОНА 2 Обжильжим Я Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks) САМАМА Статистский DV/DT (мин) Ток - С. Klючite -wreman
H11C2SD onsemi H11C2SD -
RFQ
 ECAD 4557 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло H11c В 1 Скрип 6-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH H11C2SD-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 1,2 В. 60 май 5300vrms 200 300 май - Не 500 -мкс 20 май -
HCPL-2530#020 Broadcom Limited HCPL-2530#020 -
RFQ
 ECAD 2470 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Пркрэно -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 2 Траншистор 8-Dip СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 8 май - 20 1,5 В. 25 май 5000 дней 7% @ 16ma 50% @ 16ma 200NS, 1,3 мкм -
TLP160J(T7TL,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160J (T7TL, U, C, F. -
RFQ
 ECAD 4923 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Lenta и катахка (tr) Управо TLP160J - 1 (neograniчennnый) 264-TLP160J (T7TLUCFTR Ear99 8541.49.8000 3000
140105146000 Würth Elektronik 140105146000 0,2900
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Wyrt эlektronyk Wl-ocpt Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-LSOP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 5 мкс, 6 мкс 80 1,24 В. 60 май 5000 дней 50% @ 5MA 150% @ 5MA - 300 м
MOC3052SVM onsemi MOC3052SVM 1.1300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 OnSemi - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 6-SMD, кргло MOC305 Я 1 Триак 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH MOC3052SVM-NDR Ear99 8541.49.8000 50 1,18 60 май 4170vrms 600 220 мка (тип) Не 1 кв/мкс 10 май -
HCPL0601 onsemi HCPL0601 3.2300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 OnSemi - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) HCPL06 ТОК 1 Otkrыtый kollekцyoner 4,5 n 5,5. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 50 май 10 марта / с 50NS, 12NS 1,75 - 50 май 3750vrms 1/0 10 кв/мкс 75ns, 75ns
5962-8947702KPA Broadcom Limited 5962-8947702KPA 767.5340
RFQ
 ECAD 8646 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) 5962-8947702 AC, DC 1 Дэйрлингтон 8-Dip СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1 40 май 10 мкс, 0,5 мкс 20 - 1500 - - 4 мкс, 8 мкс -
6N138 Broadcom Limited 6n138 0,9900
RFQ
 ECAD 6819 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) 6n138 ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 8-Dip СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH 516-1007-5 Ear99 8541.49.8000 50 60 май - 7в 1,4 В. 20 май 3750vrms 300% @ 1,6 мая 2600% @ 1,6 мая 1,6 мкс, 10 мкс -
ASSR-V622-302E Broadcom Limited ASSR-V622-302E 4.6200
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Broadcom Limited - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8-SMD, крхло ASSR-V622 ТОК 2 Фото -доктерский 8-Dip Gull Wing СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 20 мк - 7в 1,3 В. 30 май 3750vrms - - 280 мкс, 30 мкс -
4N29 Everlight Electronics Co Ltd 4n29 0,4721
RFQ
 ECAD 4507 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 65 - - 55 1,2 В. 60 май 5000 дней 100% @ 10ma - 5 мкс, 40 мкс (mmaks) 1V
H11G1300 onsemi H11G1300 -
RFQ
 ECAD 6787 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) H11g ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 6-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH H11G1300-NDR Ear99 8541.49.8000 1000 - - 100 1,3 В. 60 май 5300vrms 1000% @ 10ma - 5 мкс, 100 мкс 1V
PC3H7CJ0000F SHARP/Socle Technology PC3H7CJ0000F -
RFQ
 ECAD 8766 0,00000000 Sharp/Socle Technology - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -30 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) ТОК 1 Траншистор 4-минутнг Флат СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 2500vrms 80% @ 1MA 160% @ 1MA - 200 м
PC817X5J000F Sharp Microelectronics PC817X5J000F -
RFQ
 ECAD 7566 0,00000000 Оправовов - Трубка Управо -30 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 425-2189-5 Ear99 8541.49.8000 50 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 5000 дней 80% @ 5MA 230% @ 5MA - 200 м
QT1013T1-W QT Brightek (QTB) QT1013T1-W 0,9200
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 QT Brightek (QTB) Optocoupler Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 4-SMD, крхло QT1013 ТОК 1 Траншистор 4-минутнг Флат СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 2,8 мкс, 4 мкс 80 1,42 В. 50 май 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma 4,8 мкс, 4,2 мкс 400 м
EL121N(B)(TA)-V Everlight Electronics Co Ltd El121n (b) (ta) -v 0,2093
RFQ
 ECAD 3346 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd EL121N Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-Sop (2,54 мм) СКАХАТА 1080 -EL121N (B) (TA) -VTR Ear99 8541.41.0000 3000 50 май 6 мкс, 8 мкс 80 1,2 В. 50 май 3750vrms 130% @ 5MA 260% @ 5MA - 200 м
TLP137(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP137 (TPL, F) -
RFQ
 ECAD 4538 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 5 проводников TLP137 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-mfsop, 5 LIDERSTHASTA - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) TLP137 (TPLF) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 8 мкс, 8 мкс 80 1,15 В. 50 май 3750vrms 100% @ 1MA 1200% @ 1MA 10 мкс, 8 мкс 400 м
CNY17F1SD Fairchild Semiconductor CNY17F1SD 0,2200
RFQ
 ECAD 4268 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло ТОК 1 Траншистор 6-SMD СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 1 мкс, 2 мкс 70В 1,35 В. 100 май 5300vrms 40% @ 10ma 80% @ 10ma 2 мкс, 3 мкс 300 м
PC357M0J000F Sharp Microelectronics PC357M0J000F -
RFQ
 ECAD 7678 0,00000000 Оправовов - Lenta и катахка (tr) Управо -30 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-мину ТОК 1 Траншистор 4-минутнг Флат - 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 3750vrms 80% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 м
VO4257M-X006 Vishay Semiconductor Opto Division VO4257M-X006 -
RFQ
 ECAD 6081 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) VO4257 Bsi, cur, fimko, ur 1 Триак 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 1,2 В. 60 май 5300vrms 700 300 май - Не 5 кв/мкс 3MA -
TLP161J(V4T5TRUC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J (V4T5TRUC, ф -
RFQ
 ECAD 7918 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Lenta и катахка (tr) Управо TLP161 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP161J (V4T5TRUCFTR Ear99 8541.49.8000 3000
H11A2M onsemi H11A2M -
RFQ
 ECAD 8594 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло H11a ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH H11A2MFS Ear99 8541.49.8000 1000 - - 30 1,18 60 май 7500VPK 20% @ 10ma - 2 мкс, 2 мкс 400 м
VOT8024AD Vishay Semiconductor Opto Division WAT8024AD 0,4219
RFQ
 ECAD 6937 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) VOT8024 CQC, CUL, UL, VDE 1 Триак 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 100 1,2 В. 50 май 5300vrms 800 В 100 май 400 мк (typ) В дар 1 кв/мкс 5 май -
TLP161G(U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP161G (U, C, F) -
RFQ
 ECAD 8267 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLP161G В 1 Триак 6-mfsop, 4-й лир СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 150 1,15 В. 50 май 2500vrms 400 70 май 600 мк (теп) В дар 200 -мкс 10 май -
EL215-V Everlight Electronics Co Ltd EL215-V -
RFQ
 ECAD 9429 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) EL215 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 100 - 1,6 мкс, 2,2 мкс 80 1,3 В. 60 май 3750vrms 20% @ 1MA - 3 мкс, 3 мкс 400 м
ACPL-P454-560E Broadcom Limited ACPL-P454-560E 1.4165
RFQ
 ECAD 9092 0,00000000 Broadcom Limited - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SOIC (0,268 дюйма, Ирина 6,80 мм) ACPL-P454 ТОК 1 Траншистор 6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 8 май - 20 1,5 В. 25 май 3750vrms 25% @ 16ma 60% @ 16ma 200NS, 300NS -
IL410-X006 Vishay Semiconductor Opto Division IL410-X006 -
RFQ
 ECAD 4020 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) IL410 Csa, ur 1 Триак СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 1,16 В. 60 май 5300vrms 600 300 май 500 мк В дар 10 кв/мкс 2MA 35 мкс
EL816(S1)(Y)(TD)-V Everlight Electronics Co Ltd El816 (s1) (y) (td) -v -
RFQ
 ECAD 5686 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло EL816 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 50 май 4 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 60 май 5000 дней 150% @ 5MA 300% @ 5MA - 200 м
FODM3052 onsemi FODM3052 -
RFQ
 ECAD 4266 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло FODM30 BSI, CSA, UL 1 Триак 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3000 1,2 В. 60 май 3750vrms 600 70 май 300 мк (typ) Не 1 кв/мкс 10 май -
TLP387(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP387 (TPR, e 0,8700
RFQ
 ECAD 5699 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLP387 ТОК 1 Дэйрлингтон 6 tyakowых, 4 -й лирштва СКАХАТА ROHS COMPRINT Neprigodnnый Ear99 8541.49.8000 3000 150 май 40 мкс, 15 мкс 300 1,25 50 май 5000 дней 1000% @ 1MA - 50 мкс, 15 мкс 1V
EL814S(A)(TA) Everlight Electronics Co Ltd EL814S (A) (TA) -
RFQ
 ECAD 3810 0,00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло AC, DC 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) C120000010 Ear99 8541.49.8000 1000 - 7 мкс, 11 мкс 80 1,2 В. 60 май 5000 дней 50% @ 1MA 150% @ 1MA - 200 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть