SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МООНТАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Тела А. Колист. Каналов Втипа Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ ТЕГИНЕСКАЯ Статус Ройс Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Ток - Ток - Скороп ТОК - ПИКОВОВ Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip На Current - Hold (ih) Vхodы - Стерона 1/СОЗОРОНА 2 Обжильжим Я ИСКОНЕЕ На Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks) САМАМА Статистский DV/DT (мин) Ток - С. Klючite -wreman
MOC8106SR2VM Fairchild Semiconductor MOC8106SR2VM 0,2800
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло ТОК 1 Траншистор 6-SMD СКАХАТА Ear99 8541.49.8000 1 061 50 май 4 мкс, 3,5 мкс (Mmaks) 70В 1,15 В. 60 май 4170vrms 50% @ 10ma 150% @ 10ma 2 мкс, 3 мкс 400 м
FOD4218 Fairchild Semiconductor FOD4218 -
RFQ
ECAD 1869 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) FOD421 CUL, FIMKO, UL 1 Триак 6-Dip СКАХАТА Ear99 8541.49.8000 1 1,28 30 май 5000 дней 800 500 мк Не 10 кв/мкс 1,3 Ма 60 мкс
H11A617C300 Fairchild Semiconductor H11A617C300 -
RFQ
ECAD 2818 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Коробка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2,4 мкс, 2,4 мкс 70В 1,35 В. 50 май 5300vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma - 400 м
CNY174SR2VM Fairchild Semiconductor CNY174SR2VM -
RFQ
ECAD 1027 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Ear99 8541.49.8000 1 50 май 4 мкс, 3,5 мкс (Mmaks) 70В 1,35 В. 60 май 4170vrms 160% @ 10ma 320% @ 10ma 2 мкс, 3 мкс 400 м
MOC8111TM Fairchild Semiconductor MOC8111TM 0,1900
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ТОК 1 Траншистор 6-Dip СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 1000 - 2 мкс, 11 мкс 70В 1,15 В. 90 май 7500VPK 20% @ 10ma - 3 мкс, 18 мкс 400 м
MOC212R2M Fairchild Semiconductor MOC212R2M 1.0000
RFQ
ECAD 9631 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8 лейт СКАХАТА Ear99 8541.49.8000 1 150 май 3,2 мкс, 4,7 мкс 30 1,15 В. 60 май 2500vrms 50% @ 10ma - 7,5 мкс, 5,7 мкс 400 м
FOD2711V Fairchild Semiconductor FOD2711V 0,2900
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор 8-Dip СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 1000 50 май - 30 1,5 - 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma - 400 м
4N38SM Fairchild Semiconductor 4n38sm -
RFQ
ECAD 3219 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Ear99 8541.49.8000 1 008 100 май - 80 1,15 В. 80 май 4170vrms 20% @ 10ma - 5 мкс, 5 мкс 1V
FOD3184V Fairchild Semiconductor FOD3184V 1.5100
RFQ
ECAD 558 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) Оптишая IEC/EN/DIN, UL 1 8-Dip СКАХАТА Ear99 8541.49.8000 199 2,5А, 2,5а 3A 38ns, 24ns 1,43 В. 25 май 5000 дней 35 К/мкс 210NS, 210NS 65NS 15 В ~ 30
H11AA4300 Fairchild Semiconductor H11AA4300 0,3700
RFQ
ECAD 116 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) AC, DC 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 1000 - - 30 1,2 В. 100 май 5300vrms 100% @ 10ma - - 400 м
6N137SD Fairchild Semiconductor 6n137sd 0,9500
RFQ
ECAD 17 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8-SMD, крхло ТОК 1 Otkrыtый kollekцyoner 4,5 n 5,5. 8-SMD СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 10 марта / с 50NS, 12NS 1,4 В. 50 май 2500vrms 1/0 10 кв/мкс (тип) 75ns, 75ns
MOC223VM Fairchild Semiconductor MOC223VM 0,3600
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Коробка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 8 лейт СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 3000 150 май 8 мкс, 110 мкс 30 1,08 60 май 2500vrms 500% @ 1MA - 10 мкс, 125 мкс 1V
H11A817B300W Fairchild Semiconductor H11A817B300W -
RFQ
ECAD 5385 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2,4 мкс, 2,4 мкс 70В 1,2 В. 50 май 5300vrms 130% @ 5MA 260% @ 5MA - 200 м
4N37TM Fairchild Semiconductor 4n37tm -
RFQ
ECAD 1353 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 1000 - - 30 1,18 60 май 4170vrms 100% @ 10ma - 2 мкс, 2 мкс 300 м
FOD3150 Fairchild Semiconductor FOD3150 0,7800
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) Оптишая - 1 8-Dip СКАХАТА Rohs Продан 2156-FOD3150 Ear99 8541.49.8000 387 1a, 1a 1,5а 60NS, 60NS 1,5 В. 25 май 5000 дней 20 кв/мкс 500NS, 500NS 300NS 15 В ~ 30
CNY172SM Fairchild Semiconductor CNY172SM 0,1800
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Ear99 8541.49.8000 1685 50 май 4 мкс, 3,5 мкс (Mmaks) 70В 1,35 В. 60 май 4170vrms 63% @ 10ma 125% @ 10ma 2 мкс, 3 мкс 400 м
H11G1TVM Fairchild Semiconductor H11G1TVM -
RFQ
ECAD 8305 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 6-Dip СКАХАТА Ear99 8541.49.8000 1 - - 100 1,3 В. 60 май 4170vrms 1000% @ 10ma - 5 мкс, 100 мкс 1V
HMA124R1 Fairchild Semiconductor HMA124R1 0,1000
RFQ
ECAD 45 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 1000 80 май 3 мкс, 3 мкс 80 1,3 В (МАКС) 50 май 3750vrms 100% @ 1MA 1200% @ 1MA - 400 м
MOC3042TVM Fairchild Semiconductor MOC3042TVM 0,6600
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) MOC304 IEC/EN/DIN, UL 1 Триак 6-Dip СКАХАТА Ear99 8541.49.8000 496 1,25 60 май 4170vrms 400 400 мк (typ) В дар 1 кв/мкс 10 май -
H11F2 Fairchild Semiconductor H11F2 1.4600
RFQ
ECAD 10 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) H11f ТОК 1 МОСС 6-Dip СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 1000 - - 30 1,3 В. 60 май 5300vrms - - 25 мкс, 25 мкс (MMAKS) -
MOC213R2VM Fairchild Semiconductor MOC213R2VM 0,2500
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 2500 150 май 3,2 мкс, 4,7 мкс 30 1,15 В. 60 май 2500vrms 100% @ 10ma - 7,5 мкс, 5,7 мкс 400 м
CNY173 Fairchild Semiconductor CNY173 0,1900
RFQ
ECAD 1639 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 300 50 май 1 мкс, 2 мкс 70В 1,35 В. 100 май 5300vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 2 мкс, 3 мкс 300 м
4N26M Fairchild Semiconductor 4n26m 0,1700
RFQ
ECAD 2803 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Ear99 8541.49.8000 64 - - 80 1,2 В. 60 май 5000 дней 20% @ 10ma - 3 мкс, 3 мкс 500 м
MOC211M Fairchild Semiconductor MOC211M 0,2500
RFQ
ECAD 358 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8 лейт СКАХАТА Ear99 8541.49.8000 1219 150 май 3,2 мкс, 4,7 мкс 30 1,15 В. 60 май 2500vrms 20% @ 10ma - 7,5 мкс, 5,7 мкс 400 м
MOC3083SR2VM Fairchild Semiconductor MOC3083SR2VM -
RFQ
ECAD 3014 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 6-SMD, кргло MOC308 IEC/EN/DIN, UL 1 Триак 6-SMD СКАХАТА Ear99 8541.49.8000 1 1,3 В. 60 май 4170vrms 800 500 мк (теп) В дар 600 -мкс 5 май -
HCPL2530SM Fairchild Semiconductor HCPL2530SM 1.1300
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло ТОК 2 Траншистор 8-SMD СКАХАТА Ear99 8541.49.8000 266 8 май - 20 1,45 25 май 2500vrms 7% @ 16ma 50% @ 16ma 450NS, 300NS -
FOD2741ATV Fairchild Semiconductor FOD2741ATV 0,7000
RFQ
ECAD 720 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru 8-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ТОК 1 Траншистор 8-Dip СКАХАТА Ear99 8541.49.8000 430 50 май - 30 1,5 - 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma - 400 м
6N135SDV Fairchild Semiconductor 6n135sdv 0,8000
RFQ
ECAD 6 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-SMD СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 1000 8 май - 20 1,45 25 май 2500vrms 7% @ 16ma 50% @ 16ma 450NS, 500NS -
CNY17F4300W Fairchild Semiconductor CNY17F4300W 0,2000
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) ТОК 1 Траншистор 6-Dip СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 1 мкс, 2 мкс 70В 1,35 В. 100 май 5300vrms 160% @ 10ma 320% @ 10ma 2 мкс, 3 мкс 300 м
FODM452R2V Fairchild Semiconductor FODM452R2V 1.0000
RFQ
ECAD 8486 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 5 проводников ТОК 1 Траншистор 5-минутнгн СКАХАТА Ear99 8541.49.8000 1 8 май - 20 1,6 В. 25 май 3750vrms 20% @ 16ma 50% @ 16ma 400NS, 350NS -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе