SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta ТИПВ Тела Агентево Колист. Каналов Втипа Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Ток - Ток - Скороп ТИП КАНАЛА ТОК - ПИКОВОВ Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip На Current - On State (it (rms)) (MMaks) Current - Hold (ih) Иолирована Vхodы - Стерона 1/СОЗОРОНА 2 Обжильжим Я ИСКОНЕЕ На Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks) САМАМА Статистский DV/DT (мин) Ток - С. Klючite -wreman
TLP2304(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2304 (TPL, e 1.4100
RFQ
ECAD 4087 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм), 5 проводников TLP2304 ТОК 1 Otkrыtый kollekцyoner 4,5 В ~ 30 В. 6 tyakowых, 5 -йлидирштва СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 15 май 1 март - 1,55 25 май 3750vrms 1/0 20 кв/мкс 550NS, 400NS
TLP2370(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2370 (TPR, e 1.7700
RFQ
ECAD 1016 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм), 5 проводников TLP2370 ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 2,7 В ~ 5,5 В. 6 tyakowых, 5 -йлидирштва СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 10 май 20 марта / с 3ns, 2ns 1,5 В. 8 май 3750vrms 1/0 20 кв/мкс 60NS, 60NS
TLP5705H(D4TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H (D4TP4, e 1.9900
RFQ
ECAD 8441 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 15 В ~ 30 6 ТАКОГО СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 - 37NS, 50NS 1,55 20 май 5000 дней 1/0 50 кв/мкс 200ns, 200ns
TLP5832(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5832 (TP, e 2.8100
RFQ
ECAD 6975 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 110 ° C. Пефер 8 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 4,5 n 5,5. 8 ТАКОГО СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 - 15ns, 8ns 1,4 В. 20 май 5000 дней 1/0 20 кв/мкс 200ns, 200ns
TLP5774H(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5774H (D4-TP, e 2.5100
RFQ
ECAD 4403 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) TLP5774 EmcoSpanavy -a CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 6 ТАКОГО СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 4а, 4а 4 а 56NS, 25NS 1,65 В. 8 май 5000 дней 35 К/мкс 150NS, 150NS 50NS 10 В ~ 30 В.
TLP628M(GB-TP1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M (GB-TP1, e 0,9100
RFQ
ECAD 4514 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 4-SMD (0,300 ", 7,62 ММ) TLP628 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 50 май 5,5 мкс, 10 мкс 350 1,25 50 май 5000 дней 100% @ 5MA 600% @ 5MA 10 мкс, 10 мкс 400 м
TLP2270(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2270 (LF4, e 3.0900
RFQ
ECAD 8042 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 8 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) TLP2270 AC, DC 2 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 2,7 В ~ 5,5 В. 8 ТАКОГО СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 75 10 май 20 марта 1,3ns, 1ns 1,5 В. 8 май 5000 дней 2/0 20 кв/мкс 60NS, 60NS
TLP627M(D4-LF1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M (D4-LF1, e 0,9300
RFQ
ECAD 4484 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD (0,300 ", 7,62 ММ) TLP627 ТОК 1 Дэйрлингтон 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 100 150 май 60 мкс, 30 мкс 300 1,25 50 май 5000 дней 1000% @ 1MA - 110 мкс, 30 мкс 1,2 В.
TLP5772H(D4TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5772H (D4TP4, e 2.6700
RFQ
ECAD 6851 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) TLP5772 ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 15 В ~ 30 6 ТАКОГО СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 - 56NS, 25NS 1,55 8 май 5000 дней 1/0 35 К/мкс 150NS, 150NS
TLP185(V4GRTR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (V4GRTR, SE 0,5900
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLP185 ТОК 1 Траншистор 6-Sop СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,25 50 май 3750vrms 100% @ 5MA 300% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 300 м
DCL541B01(T,E Toshiba Semiconductor and Storage DCL541B01 (t, e 6,3000
RFQ
ECAD 7575 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee DCL541X01 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 110 ° C. Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) О том, как DCL541 МАГЕЙТНАС 4 2,25 -5,5. 16 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 1500 150 мб / с ОДНОАНАПРАВЛЕННА 0,9ns, 0,9ns 5000 дней В дар 3/1 100 кв/мкс 18.3ns, 18.3ns 2.8ns
DCL540D01(T,E Toshiba Semiconductor and Storage DCL540D01 (t, e 6,3000
RFQ
ECAD 7301 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee DCL540X01 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 110 ° C. Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) О том, как DCL540 МАГЕЙТНАС 4 2,25 -5,5. 16 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1500 150 мб / с ОДНОАНАПРАВЛЕННА 0,9ns, 0,9ns 5000 дней В дар 4/0 100 кв/мкс 18.3ns, 18.3ns 2.8ns
TLP781F(D4GRL-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4GRL-T7, ф -
RFQ
ECAD 2410 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) TLP781F ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP781F (D4GRL-T7FTR Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 60 май 5000 дней 100% @ 5MA 200% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLP137(BV-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP137 (BV-TPL, F) -
RFQ
ECAD 1862 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 5 проводников TLP137 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-mfsop, 5 LIDERSTHASTA - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) TLP137 (BV-TPLF) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 8 мкс, 8 мкс 80 1,15 В. 50 май 3750vrms 200% @ 1MA 1200% @ 1MA 10 мкс, 8 мкс 400 м
TLP291-4(V4GBTPE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291-4 (V4GBTPE 1.0600
RFQ
ECAD 4931 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 16 SOIC (0,179 », Ирина 4,55 мм) TLP291 ТОК 4 Траншистор 16-й СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,2 В. 50 май 2500vrms 100% @ 5MA 400% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLP732(D4COS-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (D4COS-LF2, ф -
RFQ
ECAD 9163 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP732 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP732 (D4COS-LF2F Ear99 8541.49.8000 50
TLP183(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 (GB, e 0,5000
RFQ
ECAD 1400 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLP183 ТОК 1 Траншистор 6-Sop СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) TLP183 (GBE Ear99 8541.49.8000 125 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,25 50 май 3750vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 300 м
TLP266J(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J (TPL, e 0,9000
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TLP Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLP266 1 Триак 6-Sop СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 1,27 30 май 3750vrms 600 70 май 600 мк (теп) В дар 200 -мкс 10 май 30 мкс
TLP620-4(D4-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-4 (D4-LF1, F) -
RFQ
ECAD 1651 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 16-SMD TLP620 AC, DC 4 Траншистор 16-SMD СКАХАТА 264-TLP620-4 (D4-LF1F) Ear99 8541.49.8000 1 50 май 2 мкс, 3 мкс 55 1,15 В. 50 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLP182(Y,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182 (y, e 0,5500
RFQ
ECAD 1756 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLP182 AC, DC 1 Траншистор 6-Sop СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) TLP182 (Ye Ear99 8541.49.8000 125 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,25 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 150% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 300 м
TLP124(TPRS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP124 (TPRS, F) -
RFQ
ECAD 5023 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD (4 свина), кргло TLP124 ТОК 1 Траншистор 6-mfsop, 4-й лир - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) TLP124 (TPRSF) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 8 мкс, 8 мкс 80 1,15 В. 50 май 3750vrms 100% @ 1MA 1200% @ 1MA 10 мкс, 8 мкс 400 м
TLP124F Toshiba Semiconductor and Storage TLP124F -
RFQ
ECAD 4843 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD (4 свина), кргло TLP124F ТОК 1 Траншистор 6-mfsop, 4-й лир СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) TLP124 (F) Ear99 8541.49.8000 150 50 май 8 мкс, 8 мкс 80 1,15 В. 50 май 3750vrms 100% @ 1MA 1200% @ 1MA 10 мкс, 8 мкс 400 м
TLP292-4(LA-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (LA-TP, e 1.7900
RFQ
ECAD 1266 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 16 SOIC (0,179 », Ирина 4,55 мм) TLP292 AC, DC 4 Траншистор 16-й СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,25 50 май 3750vrms 50% @ 500 мк 600% @ 500 мк 3 мкс, 3 мкс 300 м
TLP733(D4-C172,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733 (D4-C172, F) -
RFQ
ECAD 3338 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) TLP733 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip - ROHS COMPRINT Neprigodnnый TLP733 (D4-C172F) Ear99 8541.49.8000 1500 50 май 2 мкс, 3 мкс 55 1,15 В. 60 май 4000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLP121(GRH-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 (GRH-TPR, F) -
RFQ
ECAD 4690 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD (4 свина), кргло TLP121 ТОК 1 Траншистор 6-mfsop, 4-й лир - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) TLP121 (GRH-TPRF) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLP293-4(V4GBTRE Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 (V4GBTRE 1.6300
RFQ
ECAD 8493 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 16 SOIC (0,179 », Ирина 4,55 мм) TLP293 ТОК 4 Траншистор 16-й СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,25 50 май 3750vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 300 м
TLP3902(TPL,U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3902 (TPL, U, F) 1.0712
RFQ
ECAD 2518 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 6-SMD (4 свина), кргло TLP3902 ТОК 1 Фото -доктерский 6-mfsop, 4-й лир СКАХАТА ROHS COMPRINT TLP3902 (TPLUF) Ear99 8541.49.8000 3000 5 Мка - 1,15 В. 50 май 2500vrms - - 600 мкс, 2 мс -
TLP2362(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2362 (V4-TPL, e 1.0500
RFQ
ECAD 9559 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. - - TLP2362 ТОК 1 Otkrыtый kollekцyoner 2,7 В ~ 5,5 В. - СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 25 май 10 марта 30ns, 30ns 1,55 25 май 3750vrms 1/0 20 кв/мкс 100ns, 100ns
TLP121(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 (Y, F) -
RFQ
ECAD 5341 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD (4 свина), кргло TLP121 ТОК 1 Траншистор 6-mfsop, 4-й лир - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) TLP121 (YF) Ear99 8541.49.8000 125 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 150% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLP768J(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP768J (S, C, F) -
RFQ
ECAD 7613 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо - - - TLP768 - - - - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) TLP768J (SCF) Ear99 8541.49.8000 50 - - - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе