Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | Rraboч -yemperatura | МОНТАНАНГИП | PakeT / KORPUES | Baзowый nomer prodikta | ТИПВ | Агентево | Колист. Каналов | Втипа | Napraheneee - posta | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Техниль | Статус Ройс | Вернояж | Дрогин ИНЕНА | Eccn | Htsus | Станодадж | Ток - | Скороп | Верна | На | На | Current - DC Forward (if) (max) | Naprayжeniee - yзolyahip | На | Current - On State (it (rms)) (MMaks) | Current - Hold (ih) | Vхodы - Стерона 1/СОЗОРОНА 2 | Обжильжим | Я | Коэффигиэнт Переносатока (мин) | Коэффигиэнт Передахитока | Klючite / vыklючite -veremymape (typ) | Vce nassheeneee (mmaks) | САМАМА | Статистский DV/DT (мин) | Ток - С. | Klючite -wreman |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TLP3073 (LF1, ф | 2.0100 | ![]() | 2749 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 100 ° C. | Пефер | 6-SMD (5 проводока), крхло-а-ай | TLP3073 | CQC, cur, ur | 1 | Триак | 6 tyakowых, 5 -йлидирштва | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,15 В. | 50 май | 5000 дней | 800 В | 100 май | 1ma (typ) | Не | 2 кв/мкс (тип) | 5 май | - | |||||||||||||||
TLP155E (TPL, E) | 1.0800 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 100 ° C. | Пефер | 6 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм), 5 проводников | TLP155 | ТОК | 1 | ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП | 10 В ~ 30 В. | 6 tyakowых, 5 -йлидирштва | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3000 | - | 35NS, 15NS | 1,55 | 20 май | 3750vrms | 1/0 | 15 кв/мкс | 170ns, 170ns | |||||||||||||||||
![]() | TLP3073 (TP1, ф | 2.0100 | ![]() | 2537 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 100 ° C. | Пефер | 6-SMD (5 проводока), крхло-а-ай | TLP3073 | CQC, cur, ur | 1 | Триак | 6 tyakowых, 5 -йлидирштва | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1500 | 1,15 В. | 50 май | 5000 дней | 800 В | 100 май | 1ma (typ) | Не | 2 кв/мкс (тип) | 5 май | - | |||||||||||||||
![]() | TLP759 (J, F) | - | ![]() | 5085 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Управо | -55 ° C ~ 100 ° C. | Чereз dыru | 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) | TLP759 | ТОК | 1 | Траншистор | 8-Dip | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | Neprigodnnый | TLP759 (JF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 8 май | - | 20 | 1,65 В. | 25 май | 5000 дней | 20% @ 16ma | - | 200NS, 300NS | - | ||||||||||||||
![]() | TLP2116 (F) | - | ![]() | 6702 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Управо | -40 ° C ~ 100 ° C. | Пефер | 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) | TLP2116 | ТОК | 2 | ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП | 4,5 n 5,5. | 8 ТАКОГО | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | TLP2116F | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 10 май | 15 марта | 15NS, 15NS | 1,65 В. | 20 май | 2500vrms | 2/0 | 10 кв/мкс | 75ns, 75ns | ||||||||||||||
![]() | TLP183 (GB, e | 0,5000 | ![]() | 1400 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Актифен | -55 ° C ~ 125 ° C. | Пефер | 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина | TLP183 | ТОК | 1 | Траншистор | 6-Sop | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | TLP183 (GBE | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,25 | 50 май | 3750vrms | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 300 м | ||||||||||||||
![]() | TLP182 (e | 0,5700 | ![]() | 125 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Актифен | -55 ° C ~ 125 ° C. | Пефер | 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина | TLP182 | AC, DC | 1 | Траншистор | 6-Sop | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,25 | 50 май | 3750vrms | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 300 м | |||||||||||||||
![]() | TLP734 (D4-C172, F) | - | ![]() | 4589 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 100 ° C. | Чereз dыru | 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) | TLP734 | ТОК | 1 | Траншистор | 6-Dip | - | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | TLP734 (D4-C172F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1500 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 55 | 1,15 В. | 60 май | 4000 дней | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | ||||||||||||||
![]() | TLP266J (e | 0,8800 | ![]() | 125 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | TLP | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 100 ° C. | Пефер | 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина | TLP266 | 1 | Триак | 6-Sop | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 1,27 | 30 май | 3750vrms | 600 | 70 май | 600 мк (теп) | В дар | 200 -мкс | 10 май | 30 мкс | ||||||||||||||||
![]() | TLP290 (GB, SE | 0,5100 | ![]() | 2539 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | В аспекте | -55 ° C ~ 110 ° C. | Пефер | 4 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм) | TLP290 | AC, DC | 1 | Траншистор | 4 thacogogo | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.49.8000 | 175 | 50 май | 4 мкс, 7 мкс | 80 | 1,25 | 50 май | 3750vrms | 100% @ 5MA | 400% @ 5MA | 7 мкс, 7 мкс | 300 м | |||||||||||||||
![]() | TLP266J (TPR, e | 0,9000 | ![]() | 6709 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | TLP | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 100 ° C. | Пефер | 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина | TLP266 | 1 | Триак | 6-Sop | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3000 | 1,27 | 30 май | 3750vrms | 600 | 70 май | 600 мк (теп) | В дар | 200 -мкс | 10 май | 30 мкс | ||||||||||||||||
TLP751 (LF2, F) | - | ![]() | 5641 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | -55 ° C ~ 100 ° C. | Чereз dыru | 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) | TLP751 | ТОК | 1 | Траншистор С.Б.А. | 8-Dip | - | ROHS COMPRINT | Neprigodnnый | TLP751 (LF2F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 8 май | - | 15 | 1,65 В. | 25 май | 5000 дней | 10% @ 16ma | - | 200NS, 1 мкс | - | |||||||||||||||
TLP2303 (TPL, e | 0,8300 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 125 ° C. | Пефер | 6 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм), 5 проводников | TLP2303 | ТОК | 1 | Траншистор | 6 tyakowых, 5 -йлидирштва | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3000 | 80 май | - | 18В | - | 20 май | 3750vrms | 500% @ 5MA | - | - | - | ||||||||||||||||
![]() | TLP3031 (S, C, F) | - | ![]() | 8120 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | - | Чereз dыru | 6-dip (0,300 ", 7,62 мм), 5 Свиньдов | TLP3031 | Сэмко, | 1 | Триак | 6-Dip (Cut), 5 SVINцA | - | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | TLP3031 (SCF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | - | 5000 дней | 250 | 100 май | - | В дар | - | 15 май | - | |||||||||||||||
![]() | TLP127TPRUF | - | ![]() | 7557 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -55 ° C ~ 100 ° C. | Пефер | 6-SMD (4 свина), кргло | TLP127 | ТОК | 1 | Дэйрлингтон | 6-mfsop, 4-й лир | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3000 | 150 май | 40 мкс, 15 мкс | 300 | 1,15 В. | 50 май | 2500vrms | 1000% @ 1MA | - | 50 мкс, 15 мкс | 1,2 В. | |||||||||||||||
![]() | TLP124 (TPRS, F) | - | ![]() | 5023 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -55 ° C ~ 100 ° C. | Пефер | 6-SMD (4 свина), кргло | TLP124 | ТОК | 1 | Траншистор | 6-mfsop, 4-й лир | - | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | TLP124 (TPRSF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3000 | 50 май | 8 мкс, 8 мкс | 80 | 1,15 В. | 50 май | 3750vrms | 100% @ 1MA | 1200% @ 1MA | 10 мкс, 8 мкс | 400 м | ||||||||||||||
TLP292-4 (V4GBTRE | 1.7900 | ![]() | 2512 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -55 ° C ~ 125 ° C. | Пефер | 16 SOIC (0,179 », Ирина 4,55 мм) | TLP292 | AC, DC | 4 | Траншистор | 16-й | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2000 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,25 | 50 май | 3750vrms | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 300 м | ||||||||||||||||
![]() | TLP2601 (f) | - | ![]() | 8371 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | Чereз dыru | 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) | TLP2601 | ТОК | 1 | Otkrыtый -kollekshyoner, шottkki зathat | 4,5 n 5,5. | 8-Dip | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 25 май | 10 марта | 30ns, 30ns | 1,65 В. | 20 май | 2500vrms | 1/0 | 1 кв/мкс | 75ns, 75ns | |||||||||||||||
TLP292-4 (LA-TP, e | 1.7900 | ![]() | 1266 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -55 ° C ~ 125 ° C. | Пефер | 16 SOIC (0,179 », Ирина 4,55 мм) | TLP292 | AC, DC | 4 | Траншистор | 16-й | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2000 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,25 | 50 май | 3750vrms | 50% @ 500 мк | 600% @ 500 мк | 3 мкс, 3 мкс | 300 м | ||||||||||||||||
![]() | TLP525GF | 1.1600 | ![]() | 29 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Управо | -40 ° C ~ 100 ° C. | Чereз dыru | 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) | TLP525 | В | 1 | Триак | 4-Dip | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | TLP525G (F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 1,15 В. | 50 май | 2500vrms | 400 | 100 май | 200 мка (теп) | Не | 200 -мкс | 10 май | - | ||||||||||||||
TLP291-4 (V4GBTPE | 1.0600 | ![]() | 4931 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -55 ° C ~ 110 ° C. | Пефер | 16 SOIC (0,179 », Ирина 4,55 мм) | TLP291 | ТОК | 4 | Траншистор | 16-й | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2000 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,2 В. | 50 май | 2500vrms | 100% @ 5MA | 400% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | ||||||||||||||||
TLP293-4 (V4latpe | 1.6400 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -55 ° C ~ 125 ° C. | Пефер | 16 SOIC (0,179 », Ирина 4,55 мм) | TLP293 | ТОК | 4 | Траншистор | 16-й | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2000 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,25 | 50 май | 3750vrms | 50% @ 500 мк | 600% @ 500 мк | 3 мкс, 3 мкс | 300 м | ||||||||||||||||
![]() | TLP785F (BLL-T7, ф | - | ![]() | 7721 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -55 ° C ~ 110 ° C. | Чereз dыru | 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) | TLP785 | ТОК | 1 | Траншистор | 4-Dip | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP785F (BLL-T7FTR | Ear99 | 8541.49.8000 | 2000 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 200% @ 5MA | 400% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | |||||||||||||||
![]() | TLP385 (D4Y-TPL, e | 0,5600 | ![]() | 1433 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -55 ° C ~ 110 ° C. | Пефер | 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина | TLP385 | ТОК | 1 | Траншистор | 6 tyakowых, 4 -й лирштва | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3000 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,25 | 50 май | 5000 дней | 50% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 300 м | |||||||||||||||
![]() | TLP183 (BLL, e | 0,5100 | ![]() | 28 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Актифен | -55 ° C ~ 125 ° C. | Пефер | 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина | TLP183 | ТОК | 1 | Траншистор | 6-Sop | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | TLP183 (Blle | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,25 | 50 май | 3750vrms | 200% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 300 м | ||||||||||||||
![]() | TLP768J (S, C, F) | - | ![]() | 7613 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | - | - | - | TLP768 | - | - | - | - | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | TLP768J (SCF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||
![]() | TLP124 (TPL, F) | - | ![]() | 1975 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -55 ° C ~ 100 ° C. | Пефер | 6-SMD (4 свина), кргло | TLP124 | ТОК | 1 | Траншистор | 6-mfsop, 4-й лир | - | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | TLP124 (TPLF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3000 | 50 май | 8 мкс, 8 мкс | 80 | 1,15 В. | 50 май | 3750vrms | 100% @ 1MA | 1200% @ 1MA | 10 мкс, 8 мкс | 400 м | ||||||||||||||
![]() | TLP160G (T5-TPL, U, F. | - | ![]() | 6220 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | * | Lenta и катахка (tr) | Управо | TLP160G | - | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP160G (T5-TPLUFTR | Ear99 | 8541.49.8000 | 3000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP385 (GR-TPL, e | 0,5600 | ![]() | 1320 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -55 ° C ~ 110 ° C. | Пефер | 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина | TLP385 | ТОК | 1 | Траншистор | 6 tyakowых, 4 -й лирштва | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3000 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,25 | 50 май | 5000 дней | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 300 м | |||||||||||||||
![]() | TLP121 (TPR, F) | - | ![]() | 7190 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -55 ° C ~ 100 ° C. | Пефер | 6-SMD (4 свина), кргло | TLP121 | ТОК | 1 | Траншистор | 6-mfsop, 4-й лир | - | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | TLP121 (TPRF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3000 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 50 май | 3750vrms | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м |
Средний объем RFQ
Стандартный продукт
Мировые производители
На складе