SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Тела Агентево Колист. Каналов Втипа Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Ток - Ток - Скороп ТОК - ПИКОВОВ Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip На Current - On State (it (rms)) (MMaks) Current - Hold (ih) Vхodы - Стерона 1/СОЗОРОНА 2 Обжильжим Я ИСКОНЕЕ На Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks) САМАМА Статистский DV/DT (мин) Ток - С. Klючite -wreman
TLP532(GR-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP532 (GR-LF2, F) -
RFQ
ECAD 1206 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP532 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP532 (GR-LF2F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP734(M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734 (M, F) -
RFQ
ECAD 1483 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP734 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP734 (MF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP731(D4-BL-TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP731 (D4-BL-TP1, f -
RFQ
ECAD 7743 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP731 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP731 (D4-BL-TP1F Ear99 8541.49.8000 1500
TLP785F(BLL-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (BLL-T7, ф -
RFQ
ECAD 7721 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) TLP785 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP785F (BLL-T7FTR Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 60 май 5000 дней 200% @ 5MA 400% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLP732(D4GRH-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (D4GRH-LF2, ф -
RFQ
ECAD 1476 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP732 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP732 (D4GRH-LF2F Ear99 8541.49.8000 50
TLP627M(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M (e 0,9000
RFQ
ECAD 8368 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) TLP627 ТОК 1 Дэйрлингтон 4-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP627M (e Ear99 8541.49.8000 100 150 май 60 мкс, 30 мкс 300 1,25 50 май 5000 дней - 1000% @ 1MA 110 мкс, 30 мкс 1,2 В.
TLP571(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP571 (TP1, F) -
RFQ
ECAD 9818 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Lenta и катахка (tr) Управо TLP571 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP571 (TP1F) Tr Ear99 8541.49.8000 1500
TLP371(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP371 (LF1, F) -
RFQ
ECAD 5901 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP371 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP371 (LF1F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP733(D4-GR,M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733 (D4-Gr, M, F) -
RFQ
ECAD 7294 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP733 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP733 (D4-GRMF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP734F(D4-C173,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734F (D4-C173, F) -
RFQ
ECAD 6004 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP734 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP734F (D4-C173F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP750(D4SHR-OT4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP750 (D4SHR-OT4, ф -
RFQ
ECAD 6109 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP750 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP750 (D4SHR-OT4F Ear99 8541.49.8000 50
TLP358(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP358 (D4-TP1, F) -
RFQ
ECAD 1860 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло TLP358 ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 15 В ~ 30 8-SMD СКАХАТА 264-TLP358 (D4-TP1F) Ear99 8541.49.8000 1 5,5 а - 17ns, 17ns 1,57 20 май 3750vrms 1/0 20 кв/мкс 500NS, 500NS
TLP785F(D4-BL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4-BL, ф -
RFQ
ECAD 1512 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) TLP785 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP785F (D4-BLF Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 60 май 5000 дней 200% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLP734F(D4GRLF4,MF Toshiba Semiconductor and Storage TLP734F (D4GRLF4, MF -
RFQ
ECAD 8383 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP734 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP734F (D4GRLF4MF Ear99 8541.49.8000 50
TLP628M(GB-TP1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M (GB-TP1, e 0,9100
RFQ
ECAD 4514 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 4-SMD (0,300 ", 7,62 ММ) TLP628 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 50 май 5,5 мкс, 10 мкс 350 1,25 50 май 5000 дней 100% @ 5MA 600% @ 5MA 10 мкс, 10 мкс 400 м
TLP550(Y-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550 (Y-LF1, F) -
RFQ
ECAD 4671 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP550 - 1 (neograniчennnый) 264-tlp550 (y-lf1f) Ear99 8541.49.8000 50
TLP785(GB,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (GB, ф 0,2214
RFQ
ECAD 1711 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. TLP785 ТОК 1 Траншистор СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP785 (GBF Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 60 май 5000 дней 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLP513(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP513 (LF1, F) -
RFQ
ECAD 2728 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP513 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP513 (LF1F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP2770(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2770 (TP, e 2.2400
RFQ
ECAD 11 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) TLP2770 ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 2,7 В ~ 5,5 В. 6 ТАКОГО СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 10 май 20 марта 1,3ns, 1ns 1,5 В. 8 май 5000 дней 1/0 20 кв/мкс 60NS, 60NS
TLP733F(GB,M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733F (GB, M, F) -
RFQ
ECAD 2930 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP733 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP733F (GBMF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP372(HO,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP372 (HO, F) -
RFQ
ECAD 7776 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP372 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP372 (HOF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP5774H(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5774H (D4, e 2.5100
RFQ
ECAD 5366 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) TLP5774 EmcoSpanavy -a CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 6 ТАКОГО СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 125 4а, 4а 4 а 56NS, 25NS 1,65 В. 8 май 5000 дней 35 К/мкс 150NS, 150NS 50NS 10 В ~ 30 В.
TLP161G(U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP161G (U, C, F) -
RFQ
ECAD 8267 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLP161G В 1 Триак 6-mfsop, 4-й лир СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 150 1,15 В. 50 май 2500vrms 400 70 май 600 мк (теп) В дар 200 -мкс 10 май -
TLP781F(Y-TP7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (Y-TP7, F) -
RFQ
ECAD 1764 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло TLP781F ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-tlp781f (y-tp7f) tr Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 60 май 5000 дней 50% @ 5MA 150% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLP620-2(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2 (D4-TP1, F) -
RFQ
ECAD 7918 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло AC, DC 2 Траншистор 8-SMD СКАХАТА 264-TLP620-2 (D4-TP1F) Ear99 8541.49.8000 1 50 май 2 мкс, 3 мкс 55 1,15 В. 50 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLP117(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP117 (TPR, F) -
RFQ
ECAD 8565 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 105 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 5 проводников TLP117 ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 4,5 n 5,5. 6-mfsop, 5 LIDERSTHASTA СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 5A991 8541.49.8000 3000 10 май 50 млр 3ns, 3ns 1,6 В. 25 май 3750vrms 1/0 10 кв/мкс 20ns, 20ns
TLP628M(GB-LF1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M (GB-LF1, e 0,9200
RFQ
ECAD 5464 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 4-SMD (0,300 ", 7,62 ММ) TLP628 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 100 50 май 5,5 мкс, 10 мкс 350 1,25 50 май 5000 дней 100% @ 5MA 600% @ 5MA 10 мкс, 10 мкс 400 м
TLP785(D4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (D4, ф -
RFQ
ECAD 7573 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) TLP785 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP785 (D4F Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 60 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLP127(TOKUD-TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (Tokud-tpl, f -
RFQ
ECAD 2831 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD (4 свина), кргло TLP127 ТОК 1 Дэйрлингтон 6-mfsop, 4-й лир - 1 (neograniчennnый) 264-TLP127 (Tokud-Tplftr Ear99 8541.49.8000 3000 150 май 40 мкс, 15 мкс 300 1,15 В. 50 май 2500vrms 1000% @ 1MA - 50 мкс, 15 мкс 1,2 В.
TLP785F(Y-TP7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (Y-TP7, ф -
RFQ
ECAD 6359 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло TLP785 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP785F (Y-TP7FTR Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 60 май 5000 дней 50% @ 5MA 150% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе