Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | Rraboч -yemperatura | МОНТАНАНГИП | PakeT / KORPUES | Baзowый nomer prodikta | ТИПВ | Тела | Агентево | Колист. Каналов | Втипа | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Техниль | Статус Ройс | Вернояж | Дрогин ИНЕНА | Eccn | Htsus | Станодадж | Ток - | Ток - | ТОК - ПИКОВОВ | Верна | На | На | Current - DC Forward (if) (max) | Naprayжeniee - yзolyahip | На | Current - On State (it (rms)) (MMaks) | Current - Hold (ih) | Обжильжим | Я | ИСКОНЕЕ | На | Коэффигиэнт Переносатока (мин) | Коэффигиэнт Передахитока | Klючite / vыklючite -veremymape (typ) | Vce nassheeneee (mmaks) | САМАМА | Статистский DV/DT (мин) | Ток - С. | Klючite -wreman |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TLP705F (F) | - | ![]() | 2534 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | -40 ° C ~ 100 ° C. | Пефер | 6 SOIC (0,268 дюйма, Ирина 6,80 мм) | TLP705F | Оптишая | В | 1 | 6-Sdip Gull Wing | - | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | - | 450 май | - | - | 5000 дней | 10 кв/мкс | 200ns, 200ns | - | 10 В ~ 20 В. | ||||||||||||||||||
![]() | TLP185 (GRH, SE | - | ![]() | 3142 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -55 ° C ~ 110 ° C. | Пефер | 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина | TLP185 | ТОК | 1 | Траншистор С.Б.А. | 6-Sop | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | TLP185 (Grhse | Ear99 | 8541.49.8000 | 2500 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,25 | 50 май | 3750vrms | 150% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 300 м | ||||||||||||||||
![]() | TLP121 (v4-gr-tpl, f | - | ![]() | 1783 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -55 ° C ~ 100 ° C. | Пефер | 6-SMD (4 свина), кргло | TLP121 | ТОК | 1 | Траншистор | 6-mfsop, 4-й лир | - | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | TLP121 (V4-GR-TPLF | Ear99 | 8541.49.8000 | 3000 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 50 май | 3750vrms | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | ||||||||||||||||
![]() | TLP3032 (S, C, F) | - | ![]() | 4051 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | - | Чereз dыru | 6-dip (0,300 ", 7,62 мм), 5 Свиньдов | TLP3032 | Сэмко, | 1 | Триак | 6-Dip (Cut), 5 SVINцA | - | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | TLP3032 (SCF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | - | 5000 дней | 250 | 100 май | - | В дар | - | 10 май | - | |||||||||||||||||
![]() | TLP785F (GB-LF7, f | - | ![]() | 8031 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Актифен | -55 ° C ~ 110 ° C. | Пефер | 4-SMD, крхло | TLP785 | ТОК | 1 | Траншистор | 4-SMD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP785F (GB-LF7F | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | |||||||||||||||||
![]() | TLP781F (BL-LF7, F) | - | ![]() | 6707 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Управо | -55 ° C ~ 110 ° C. | Пефер | 4-SMD, крхло | TLP781F | ТОК | 1 | Траншистор | 4-SMD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP781F (BL-LF7F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 200% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | |||||||||||||||||
![]() | TLP781F (D4-BL, F) | - | ![]() | 5474 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Управо | -55 ° C ~ 110 ° C. | Чereз dыru | 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) | TLP781F | ТОК | 1 | Траншистор | 4-Dip | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP781F (D4-BLF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 200% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | |||||||||||||||||
![]() | TLP781F (GR-LF7, F) | - | ![]() | 5901 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Управо | -55 ° C ~ 110 ° C. | Пефер | 4-SMD, крхло | TLP781F | ТОК | 1 | Траншистор | 4-SMD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-tlp781f (gr-lf7f) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | |||||||||||||||||
![]() | TLP781 (D4-GR-LF6, f | - | ![]() | 6070 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Управо | -55 ° C ~ 110 ° C. | Пефер | 4-SMD, крхло | TLP781 | ТОК | 1 | Траншистор | 4-SMD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP781 (D4-GR-LF6F | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | |||||||||||||||||
![]() | TLP781F (D4GRH-F7, ф | - | ![]() | 3128 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Управо | -55 ° C ~ 110 ° C. | Чereз dыru | 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) | TLP781F | ТОК | 1 | Траншистор | 4-Dip | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP781F (D4GRH-F7F | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 150% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | |||||||||||||||||
![]() | TLP785F (y, f | - | ![]() | 5182 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Актифен | -55 ° C ~ 110 ° C. | Чereз dыru | 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) | TLP785 | ТОК | 1 | Траншистор | 4-Dip | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP785F (YF | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 50% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | |||||||||||||||||
![]() | TLP785F (GR-LF7, f | - | ![]() | 3252 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Актифен | -55 ° C ~ 110 ° C. | Чereз dыru | 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) | TLP785 | ТОК | 1 | Траншистор | 4-Dip | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP785F (GR-LF7F | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 100% @ 5MA | 200% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | |||||||||||||||||
![]() | TLP785F (GRH, ф | - | ![]() | 1176 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Актифен | -55 ° C ~ 110 ° C. | Чereз dыru | 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) | TLP785 | ТОК | 1 | Траншистор | 4-Dip | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP785F (GRHF | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 150% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | |||||||||||||||||
![]() | TLP781 (D4-GB-TP6, ф | - | ![]() | 7972 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -55 ° C ~ 110 ° C. | Пефер | 4-SMD, крхло | TLP781 | ТОК | 1 | Траншистор | 4-SMD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP781 (D4-GB-TP6FTR | Ear99 | 8541.49.8000 | 2000 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | |||||||||||||||||
![]() | TLP785F (GRH-T7, ф | - | ![]() | 4567 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -55 ° C ~ 110 ° C. | Чereз dыru | 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) | TLP785 | ТОК | 1 | Траншистор | 4-Dip | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP785F (GRH-T7FTR | Ear99 | 8541.49.8000 | 2000 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 150% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | |||||||||||||||||
![]() | TLP785F (D4-GB, F. | - | ![]() | 5988 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Актифен | -55 ° C ~ 110 ° C. | Чereз dыru | 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) | TLP785 | ТОК | 1 | Траншистор | 4-Dip | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP785F (D4-GBF | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | |||||||||||||||||
![]() | TLP781F (D4-Fungb, f | - | ![]() | 2520 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Управо | -55 ° C ~ 110 ° C. | Чereз dыru | 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) | TLP781F | ТОК | 1 | Траншистор | 4-Dip | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP781F (D4-FUNGBF | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | |||||||||||||||||
![]() | TLP781 (GRL-LF6, F) | - | ![]() | 3582 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Управо | -55 ° C ~ 110 ° C. | Пефер | 4-SMD, крхло | TLP781 | ТОК | 1 | Траншистор | 4-SMD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP781 (GRL-LF6F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 100% @ 5MA | 200% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | |||||||||||||||||
![]() | TLP781F (Y-LF7, F) | - | ![]() | 6990 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Управо | -55 ° C ~ 110 ° C. | Пефер | 4-SMD, крхло | TLP781F | ТОК | 1 | Траншистор | 4-SMD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-tlp781f (y-lf7f) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 50% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | |||||||||||||||||
![]() | TLP781F (D4-Y-TP7, f | - | ![]() | 9935 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -55 ° C ~ 110 ° C. | Пефер | 4-SMD, крхло | TLP781F | ТОК | 1 | Траншистор | 4-SMD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP781F (D4-Y-TP7FTR | Ear99 | 8541.49.8000 | 2000 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 50% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | |||||||||||||||||
![]() | TLP785F (D4-TP7, f | - | ![]() | 4889 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -55 ° C ~ 110 ° C. | Пефер | 4-SMD, крхло | TLP785 | ТОК | 1 | Траншистор | 4-SMD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP785F (D4-TP7FTR | Ear99 | 8541.49.8000 | 2000 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | |||||||||||||||||
![]() | TLP781 (D4GRL-TP6, ф | - | ![]() | 4437 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -55 ° C ~ 110 ° C. | Пефер | 4-SMD, крхло | TLP781 | ТОК | 1 | Траншистор | 4-SMD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP781 (D4GRL-TP6FTR | Ear99 | 8541.49.8000 | 2000 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 100% @ 5MA | 200% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | |||||||||||||||||
![]() | TLP781F (D4GRH-T7, ф | - | ![]() | 2497 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -55 ° C ~ 110 ° C. | Чereз dыru | 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) | TLP781F | ТОК | 1 | Траншистор | 4-Dip | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP781F (D4GRH-T7FTR | Ear99 | 8541.49.8000 | 2000 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 150% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | |||||||||||||||||
![]() | TLP785F (y-lf7, f | - | ![]() | 7022 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Актифен | -55 ° C ~ 110 ° C. | Пефер | 4-SMD, крхло | TLP785 | ТОК | 1 | Траншистор | 4-SMD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP785F (Y-LF7F | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 50% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | |||||||||||||||||
![]() | TLP785F (YH, ф | - | ![]() | 9936 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Актифен | -55 ° C ~ 110 ° C. | Чereз dыru | 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) | TLP785 | ТОК | 1 | Траншистор | 4-Dip | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP785F (YHF | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 75% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | |||||||||||||||||
![]() | TLP781 (D4-BLL, F) | - | ![]() | 3063 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Управо | -55 ° C ~ 110 ° C. | Чereз dыru | 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) | TLP781 | ТОК | 1 | Траншистор | 4-Dip | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP781 (D4-BLLF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 200% @ 5MA | 400% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | |||||||||||||||||
![]() | TLP781 (Y-TP6, F) | - | ![]() | 1947 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -55 ° C ~ 110 ° C. | Пефер | 4-SMD, крхло | TLP781 | ТОК | 1 | Траншистор | 4-SMD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-tlp781 (y-tp6f) tr | Ear99 | 8541.49.8000 | 2000 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 50% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | |||||||||||||||||
![]() | TLP781 (GRH-TP6, F) | - | ![]() | 7605 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -55 ° C ~ 110 ° C. | Пефер | 4-SMD, крхло | TLP781 | ТОК | 1 | Траншистор | 4-SMD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP781 (GRH-TP6F) Tr | Ear99 | 8541.49.8000 | 2000 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 150% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | |||||||||||||||||
![]() | TLP781F (GRL, F) | - | ![]() | 3814 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Управо | -55 ° C ~ 110 ° C. | Чereз dыru | 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) | TLP781F | ТОК | 1 | Траншистор | 4-Dip | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-tlp781f (grlf) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 100% @ 5MA | 200% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | |||||||||||||||||
![]() | TLP785 (GRL-TP6, ф | - | ![]() | 4625 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -55 ° C ~ 110 ° C. | Пефер | 4-SMD, крхло | TLP785 | ТОК | 1 | Траншистор | 4-SMD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP785 (GRL-TP6FTR | Ear99 | 8541.49.8000 | 2000 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 100% @ 5MA | 200% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м |
Средний объем RFQ
Стандартный продукт
Мировые производители
На складе