RFQ
Категория
Связаться с нами

Тел: +86-0755-83501315

Электронная почта:sales@sic-components.com

Иолатор (2050)

Nomerprodookta	ЦEnы (DOLLARR)	Колист	Колист	Млн	В припании	Упако	Степень Продукта	Rraboч -yemperatura	МОНТАНАНГИП	PakeT / KORPUES	Baзowый nomer prodikta	ТИПВ	Колист. Каналов	Втипа	Napraheneee - posta	ПАКЕТИВАЕТСЯ	Техниль	Вернояж	Дрогин ИНЕНА	Eccn	Htsus	Станодар	Ток -	Скороп	Верна	На	На	Current - DC Forward (if) (max)	Naprayжeniee - yзolyahip	Vхodы - Стерона 1/СОЗОРОНА 2	Обжильжим	Я	Коэффигиэнт Переносатока (мин)	Коэффигиэнт Передахитока	Klючite / vыklючite -veremymape (typ)	Vce nassheeneee (mmaks)
TLP781 (BLL, F)	-	RFQ	5143	Toshiba semiconductor и хraneneee	-	Трубка	Управо	-55 ° C ~ 110 ° C.	Чereз dыru	4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ)	TLP781	ТОК	1	Траншистор		4-Dip	СКАХАТА	1 (neograniчennnый)	264-TLP781 (BLLF)	Ear99	8541.49.8000	100	50 май		2 мкс, 3 мкс	80	1,15 В.	60 май	5000 дней				200% @ 5MA	400% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP785F (D4-Y, F.	-	RFQ	7231	Toshiba semiconductor и хraneneee	-	Трубка	Актифен	-55 ° C ~ 110 ° C.	Чereз dыru	4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ)	TLP785	ТОК	1	Траншистор		4-Dip	СКАХАТА	1 (neograniчennnый)	264-TLP785F (D4-YF	Ear99	8541.49.8000	100	50 май		2 мкс, 3 мкс	80	1,15 В.	60 май	5000 дней				50% @ 5MA	150% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781F (GB-TP7, F)	-	RFQ	1387	Toshiba semiconductor и хraneneee	-	Lenta и катахка (tr)	Управо	-55 ° C ~ 110 ° C.	Пефер	4-SMD, крхло	TLP781F	ТОК	1	Траншистор		4-SMD	СКАХАТА	1 (neograniчennnый)	264-TLP781F (GB-TP7F) Tr	Ear99	8541.49.8000	2000	50 май		2 мкс, 3 мкс	80	1,15 В.	60 май	5000 дней				100% @ 5MA	600% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781 (D4-GB-LF6, ф	-	RFQ	3421	Toshiba semiconductor и хraneneee	-	Трубка	Управо	-55 ° C ~ 110 ° C.	Пефер	4-SMD, крхло	TLP781	ТОК	1	Траншистор		4-SMD	СКАХАТА	1 (neograniчennnый)	264-TLP781 (D4-GB-LF6F	Ear99	8541.49.8000	100	50 май		2 мкс, 3 мкс	80	1,15 В.	60 май	5000 дней				100% @ 5MA	600% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781F (D4SANGBT7F	-	RFQ	9601	Toshiba semiconductor и хraneneee	-	Lenta и катахка (tr)	Управо	-55 ° C ~ 110 ° C.	Чereз dыru	4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ)	TLP781F	ТОК	1	Траншистор		4-Dip	СКАХАТА	1 (neograniчennnый)	264-TLP781F (D4SANGBT7FTR	Ear99	8541.49.8000	2000	50 май		2 мкс, 3 мкс	80	1,15 В.	60 май	5000 дней				100% @ 5MA	600% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP785 (D4-BLL, ф	-	RFQ	1299	Toshiba semiconductor и хraneneee	-	Трубка	Актифен	-55 ° C ~ 110 ° C.	Чereз dыru	4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ)	TLP785	ТОК	1	Траншистор		4-Dip	СКАХАТА	1 (neograniчennnый)	264-TLP785 (D4-Bllf	Ear99	8541.49.8000	100	50 май		2 мкс, 3 мкс	80	1,15 В.	60 май	5000 дней				200% @ 5MA	400% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781F (D4-GRH, F)	-	RFQ	3436	Toshiba semiconductor и хraneneee	-	Трубка	Управо	-55 ° C ~ 110 ° C.	Чereз dыru	4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ)	TLP781F	ТОК	1	Траншистор		4-Dip	СКАХАТА	1 (neograniчennnый)	264-TLP781F (D4-GRHF)	Ear99	8541.49.8000	100	50 май		2 мкс, 3 мкс	80	1,15 В.	60 май	5000 дней				150% @ 5MA	300% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP785F (D4GRT7, ф	-	RFQ	8988	Toshiba semiconductor и хraneneee	-	Lenta и катахка (tr)	Актифен	-55 ° C ~ 110 ° C.	Чereз dыru	4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ)	TLP785	ТОК	1	Траншистор		4-Dip	СКАХАТА	1 (neograniчennnый)	264-TLP785F (D4GRT7FTR	Ear99	8541.49.8000	2000	50 май		2 мкс, 3 мкс	80	1,15 В.	60 май	5000 дней				100% @ 5MA	300% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781F (D4YH-LF7, f	-	RFQ	4721	Toshiba semiconductor и хraneneee	-	Трубка	Управо	-55 ° C ~ 110 ° C.	Пефер	4-SMD, крхло	TLP781F	ТОК	1	Траншистор		4-SMD	СКАХАТА	1 (neograniчennnый)	264-TLP781F (D4YH-LF7F	Ear99	8541.49.8000	100	50 май		2 мкс, 3 мкс	80	1,15 В.	60 май	5000 дней				75% @ 5MA	150% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781 (D4-BL-SD, F)	-	RFQ	9452	Toshiba semiconductor и хraneneee	-	Трубка	Управо	-55 ° C ~ 110 ° C.	Чereз dыru	4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ)	TLP781	ТОК	1	Траншистор		4-Dip	СКАХАТА	1 (neograniчennnый)	264-TLP781 (D4-BL-SDF)	Ear99	8541.49.8000	100	50 май		2 мкс, 3 мкс	80	1,15 В.	60 май	5000 дней				200% @ 5MA	600% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP785 (YH-TP6, ф	-	RFQ	3725	Toshiba semiconductor и хraneneee	-	Lenta и катахка (tr)	Актифен	-55 ° C ~ 110 ° C.	Пефер	4-SMD, крхло	TLP785	ТОК	1	Траншистор		4-SMD	СКАХАТА	1 (neograniчennnый)	264-TLP785 (YH-TP6FTR	Ear99	8541.49.8000	2000	50 май		2 мкс, 3 мкс	80	1,15 В.	60 май	5000 дней				75% @ 5MA	150% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781 (TELS-TP6, F)	-	RFQ	2071	Toshiba semiconductor и хraneneee	-	Lenta и катахка (tr)	Управо	-55 ° C ~ 110 ° C.	Пефер	4-SMD, крхло	TLP781	ТОК	1	Траншистор		4-SMD	СКАХАТА	1 (neograniчennnый)	264-TLP781 (TELS-TP6F) Tr	Ear99	8541.49.8000	2000	50 май		2 мкс, 3 мкс	80	1,15 В.	60 май	5000 дней				50% @ 5MA	600% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP785 (D4B-F6, ф	-	RFQ	4369	Toshiba semiconductor и хraneneee	-	Трубка	Актифен	-55 ° C ~ 110 ° C.	Чereз dыru	4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ)	TLP785	ТОК	1	Траншистор		4-Dip	СКАХАТА	1 (neograniчennnый)	264-TLP785 (D4B-F6F	Ear99	8541.49.8000	100	50 май		2 мкс, 3 мкс	80	1,15 В.	60 май	5000 дней				50% @ 5MA	600% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781F (BL-TP7, F)	-	RFQ	3513	Toshiba semiconductor и хraneneee	-	Lenta и катахка (tr)	Управо	-55 ° C ~ 110 ° C.	Пефер	4-SMD, крхло	TLP781F	ТОК	1	Траншистор		4-SMD	СКАХАТА	1 (neograniчennnый)	264-TLP781F (BL-TP7F) Tr	Ear99	8541.49.8000	2000	50 май		2 мкс, 3 мкс	80	1,15 В.	60 май	5000 дней				200% @ 5MA	600% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781F (D4BLL-T7, ф	-	RFQ	8761	Toshiba semiconductor и хraneneee	-	Lenta и катахка (tr)	Управо	-55 ° C ~ 110 ° C.	Чereз dыru	4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ)	TLP781F	ТОК	1	Траншистор		4-Dip	СКАХАТА	1 (neograniчennnый)	264-TLP781F (D4BLL-T7FTR	Ear99	8541.49.8000	2000	50 май		2 мкс, 3 мкс	80	1,15 В.	60 май	5000 дней				200% @ 5MA	400% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781F (GRH-LF7, F)	-	RFQ	9323	Toshiba semiconductor и хraneneee	-	Трубка	Управо	-55 ° C ~ 110 ° C.	Пефер	4-SMD, крхло	TLP781F	ТОК	1	Траншистор		4-SMD	СКАХАТА	1 (neograniчennnый)	264-tlp781f (grh-lf7f)	Ear99	8541.49.8000	100	50 май		2 мкс, 3 мкс	80	1,15 В.	60 май	5000 дней				150% @ 5MA	300% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP785 (D4-TP6, ф	-	RFQ	4964	Toshiba semiconductor и хraneneee	-	Lenta и катахка (tr)	Актифен	-55 ° C ~ 110 ° C.	Пефер	4-SMD, крхло	TLP785	ТОК	1	Траншистор		4-SMD	СКАХАТА	1 (neograniчennnый)	264-TLP785 (D4-TP6FTR	Ear99	8541.49.8000	2000	50 май		2 мкс, 3 мкс	80	1,15 В.	60 май	5000 дней				50% @ 5MA	600% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP785 (Tels-T6, f	-	RFQ	8450	Toshiba semiconductor и хraneneee	-	Lenta и катахка (tr)	Актифен	-55 ° C ~ 110 ° C.	Чereз dыru	4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ)	TLP785	ТОК	1	Траншистор		4-Dip	СКАХАТА	1 (neograniчennnый)	264-TLP785 (TELS-T6FTR	Ear99	8541.49.8000	2000	50 май		2 мкс, 3 мкс	80	1,15 В.	60 май	5000 дней				50% @ 5MA	600% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP785F (D4-Grl, F.	-	RFQ	8739	Toshiba semiconductor и хraneneee	-	Трубка	Актифен	-55 ° C ~ 110 ° C.	Чereз dыru	4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ)	TLP785	ТОК	1	Траншистор		4-Dip	СКАХАТА	1 (neograniчennnый)	264-TLP785F (D4-GRLF	Ear99	8541.49.8000	100	50 май		2 мкс, 3 мкс	80	1,15 В.	60 май	5000 дней				100% @ 5MA	200% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781 (D4-BL, F)	-	RFQ	4491	Toshiba semiconductor и хraneneee	-	Трубка	Управо	-55 ° C ~ 110 ° C.	Чereз dыru	4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ)	TLP781	ТОК	1	Траншистор		4-Dip	СКАХАТА	1 (neograniчennnый)	264-TLP781 (D4-BLF)	Ear99	8541.49.8000	100	50 май		2 мкс, 3 мкс	80	1,15 В.	60 май	5000 дней				200% @ 5MA	600% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP781F (D4BL-LF7, f	-	RFQ	6770	Toshiba semiconductor и хraneneee	-	Трубка	Управо	-55 ° C ~ 110 ° C.	Чereз dыru	4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ)	TLP781F	ТОК	1	Траншистор		4-Dip	СКАХАТА	1 (neograniчennnый)	264-TLP781F (D4BL-LF7F	Ear99	8541.49.8000	100	50 май		2 мкс, 3 мкс	80	1,15 В.	60 май	5000 дней				200% @ 5MA	400% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP627M (D4, e	0,9200	RFQ	6486	Toshiba semiconductor и хraneneee	-	Трубка	Актифен	-55 ° C ~ 110 ° C.	Чereз dыru	4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ)	TLP627	ТОК	1	Дэйрлингтон		4-Dip	СКАХАТА	1 (neograniчennnый)	264-TLP627M (D4E	Ear99	8541.49.8000	100	150 май		60 мкс, 30 мкс	300	1,25	50 май	5000 дней				1000% @ 1MA	-	110 мкс, 30 мкс	1,2 В.
TLP2363 (V4-TPR, e	1.0200	RFQ	5481	Toshiba semiconductor и хraneneee	-	Lenta и катахка (tr)	Актифен	-40 ° C ~ 105 ° C.	Пефер	6 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм), 5 проводников	TLP2363	ТОК	1	Otkrыtый kollekцyoner	2,7 В ~ 5,5 В.	6 tyakowых, 5 -йлидирштва	СКАХАТА	1 (neograniчennnый)		Ear99	8541.49.8000	3000	25 май	10 марта / с	23ns, 7ns		1,5 В.	25 май	3750vrms	1/0	200 К./мкс	80NS, 80NS
TLP127 (OME-TPR, F)	-	RFQ	4020	Toshiba semiconductor и хraneneee	-	Lenta и катахка (tr)	Управо	-55 ° C ~ 100 ° C.	Пефер	6-SMD (4 свина), кргло	TLP127	ТОК	1	Дэйрлингтон		6-mfsop, 4-й лир	-	1 (neograniчennnый)	264-TLP127 (OME-TPRF) Tr	Ear99	8541.49.8000	3000	150 май		40 мкс, 15 мкс	300	1,15 В.	50 май	2500vrms				1000% @ 1MA	-	50 мкс, 15 мкс	1,2 В.
TLP127 (KMC-TPL, F)	-	RFQ	9945	Toshiba semiconductor и хraneneee	-	Lenta и катахка (tr)	Управо	-55 ° C ~ 100 ° C.	Пефер	6-SMD (4 свина), кргло	TLP127	ТОК	1	Дэйрлингтон		6-mfsop, 4-й лир	-	1 (neograniчennnый)	264-TLP127 (KMC-TPLF) Tr	Ear99	8541.49.8000	3000	150 май		40 мкс, 15 мкс	300	1,15 В.	50 май	2500vrms				1000% @ 1MA	-	50 мкс, 15 мкс	1,2 В.
TLP127 (DEL-TPR, F)	-	RFQ	5359	Toshiba semiconductor и хraneneee	-	Lenta и катахка (tr)	Управо	-55 ° C ~ 100 ° C.	Пефер	6-SMD (4 свина), кргло	TLP127	ТОК	1	Дэйрлингтон		6-mfsop, 4-й лир	-	1 (neograniчennnый)	264-TLP127 (DEL-TPRF) Tr	Ear99	8541.49.8000	3000	150 май		40 мкс, 15 мкс	300	1,15 В.	50 май	2500vrms				1000% @ 1MA	-	50 мкс, 15 мкс	1,2 В.
TLP127 (tee-tpl, f)	-	RFQ	6109	Toshiba semiconductor и хraneneee	-	Lenta и катахка (tr)	Управо	-55 ° C ~ 100 ° C.	Пефер	6-SMD (4 свина), кргло	TLP127	ТОК	1	Дэйрлингтон		6-mfsop, 4-й лир	-	1 (neograniчennnый)	264-TLP127 (TEE-TPLF) Tr	Ear99	8541.49.8000	3000	150 май		40 мкс, 15 мкс	300	1,15 В.	50 май	2500vrms				1000% @ 1MA	-	50 мкс, 15 мкс	1,2 В.
TLP187 (V4-TPR, e	-	RFQ	2654	Toshiba semiconductor и хraneneee	-	Lenta и катахка (tr)	Управо	-55 ° C ~ 110 ° C.	Пефер	6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина	TLP187	ТОК	1	Дэйрлингтон		6-Sop	-	1 (neograniчennnый)	264-TLP187 (V4-TPRETR	Ear99	8541.49.8000	3000	150 май		40 мкс, 15 мкс	300	1,25	50 май	3750vrms				1000% @ 1MA	-	50 мкс, 15 мкс	1,2 В.
TLP127 (Taiko-Tpl, f	-	RFQ	8173	Toshiba semiconductor и хraneneee	-	Lenta и катахка (tr)	Управо	-55 ° C ~ 100 ° C.	Пефер	6-SMD (4 свина), кргло	TLP127	ТОК	1	Дэйрлингтон		6-mfsop, 4-й лир	-	1 (neograniчennnый)	264-TLP127 (Taiko-Tplftr	Ear99	8541.49.8000	3000	150 май		40 мкс, 15 мкс	300	1,15 В.	50 май	2500vrms				1000% @ 1MA	-	50 мкс, 15 мкс	1,2 В.
TLP127 (S410, F)	-	RFQ	8567	Toshiba semiconductor и хraneneee	-	Трубка	Управо	-55 ° C ~ 100 ° C.	Пефер	6-SMD (4 свина), кргло	TLP127	ТОК	1	Дэйрлингтон		6-mfsop, 4-й лир	-	1 (neograniчennnый)	264-TLP127 (S410F)	Ear99	8541.49.8000	1	150 май		40 мкс, 15 мкс	300	1,15 В.	50 май	2500vrms				1000% @ 1MA	-	50 мкс, 15 мкс	1,2 В.