- RFQ
- Категория
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- Японский
- корейский
- арабский
- Ирландский
- Греческий
- турецкий
- Итальянский
- Датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Лак
- Баск
- Каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаос
- албанский
- Амхарский
- Армянский
- Азербайджани
- Белорус
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- Себуано
- Чичева
- Корсикан
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинец
- Финский
- фризский
- Галиц
- Грузинец
- Гуджарати
- Гаитянский
- Хауса
- Гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- Яванский
- Каннада
- Казах
- Кхмер
- Курдский
- Кыргиз
- латинский
- Латвиан
- литовский
- Люксембу ..
- македонский
- Малагасийский
- малайский
- Малаялам
- Мальтийский
- маори
- Маратхи
- Монгольский
- Бирманский
- Непальский
- норвежский
- Пушту
- Персидский
- Пенджаби
- сербский
- Сезото
- Сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомалийский
- Самоан
- Шотландцы гэльские
- Шона
- Синди
- Сунданец
- суахили
- Таджик
- Тамильский
- телугу
- Тайский
- Украинский
- Урду
- Узбек
- вьетнамский
- валлийский
- Xhosa
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Kinyarwanda
- Татар
- Ария
- туркменский
- Уйгур
Иолатор (2050)
| Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | Rraboч -yemperatura | МОНТАНАНГИП | PakeT / KORPUES | Baзowый nomer prodikta | ТИПВ | Агентево | Колист. Каналов | Втипа | Napraheneee - posta | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Техниль | Статус Ройс | Вернояж | Дрогин ИНЕНА | Eccn | Htsus | Станодар | Ток - | Скороп | Верна | На | На | Current - DC Forward (if) (max) | Naprayжeniee - yзolyahip | На | Current - On State (it (rms)) (MMaks) | Current - Hold (ih) | Vхodы - Стерона 1/СОЗОРОНА 2 | Обжильжим | Я | Коэффигиэнт Переносатока (мин) | Коэффигиэнт Передахитока | Klючite / vыklючite -veremymape (typ) | Vce nassheeneee (mmaks) | САМАМА | Статистский DV/DT (мин) | Ток - С. | Klючite -wreman |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP124 (TPL-PP, F) | - |  | 5763 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -55 ° C ~ 100 ° C. | Пефер | 6-SMD (4 свина), кргло | TLP124 | ТОК | 1 | Траншистор | 6-mfsop, 4-й лир | - | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | TLP124 (TPL-PPF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3000 | 50 май | 8 мкс, 8 мкс | 80 | 1,15 В. | 3750vrms | 100% @ 1MA | 1200% @ 1MA | 10 мкс, 8 мкс | 400 м | |||||||||||||||
 | TLP290 (Y-TP, SE | 0,4200 | | 8907 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -55 ° C ~ 110 ° C. | Пефер | 4 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм) | TLP290 | AC, DC | 1 | Траншистор | 4 thacogogo | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2500 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,25 | 50 май | 3750vrms | 50% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 300 м | |||||||||||||||
| TLP120 (TPR, F) | - | | 1673 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -55 ° C ~ 100 ° C. | Пефер | 6-SMD (4 свина), кргло | TLP120 | AC, DC | 1 | Траншистор | 6-mfsop, 4-й лир | - | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | TLP120 (TPRF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3000 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 50 май | 3750vrms | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | ||||||||||||||
 | TLP385 (D4GH-TL, e | 0,5400 | | 4173 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -55 ° C ~ 110 ° C. | Пефер | 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина | TLP385 | ТОК | 1 | Траншистор | 6 tyakowых, 4 -й лирштва | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3000 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,25 | 50 май | 5000 дней | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 300 м | |||||||||||||||
 | TLP2366 (V4-TPR, e | 0,5069 | | 9459 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 125 ° C. | Пефер | 6 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм), 5 проводников | TLP2366 | ТОК | 1 | ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП | 2,7 В ~ 5,5 В. | 6 tyakowых, 5 -йлидирштва | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | TLP2366 (V4-TPRE | Ear99 | 8541.49.8000 | 3000 | 10 май | 20 марта | 15NS, 15NS | 1,61 В. | 25 май | 3750vrms | 1/0 | 20 кв/мкс | 40ns, 40ns | ||||||||||||||
| TLP550 (Y, F) | - | | 7449 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | * | Трубка | Управо | TLP550 | - | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP550 (YF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP781 (D4GRH-LF6, ф | - | | 2418 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Управо | -55 ° C ~ 110 ° C. | Пефер | 4-SMD, крхло | TLP781 | ТОК | 1 | Траншистор | 4-SMD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP781 (D4GRH-LF6F | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 150% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | |||||||||||||||
 | TLP734F (D4-C174, F) | - | | 1372 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 100 ° C. | Чereз dыru | 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) | TLP734 | ТОК | 1 | Траншистор | 6-Dip | - | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | TLP734F (D4-C174F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1500 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 55 | 1,15 В. | 60 май | 4000 дней | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | ||||||||||||||
| TLP293 (grl-tpl, e | 0,5000 | | 4454 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -55 ° C ~ 125 ° C. | Пефер | 4 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм) | TLP293 | ТОК | 1 | Траншистор | 4 thacogogo | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2500 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,25 | 50 май | 3750vrms | 100% @ 500 мк | 200% @ 500 мк | 3 мкс, 3 мкс | 300 м | |||||||||||||||
| TLP2303 (TPR, e | 0,8300 | | 3645 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 125 ° C. | Пефер | 6 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм), 5 проводников | TLP2303 | ТОК | 1 | Траншистор | 6 tyakowых, 5 -йлидирштва | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3000 | 80 май | - | 18В | - | 20 май | 3750vrms | 500% @ 5MA | - | - | - | |||||||||||||||
| TLP121 (GRL-TPL, F) | - | | 8219 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -55 ° C ~ 100 ° C. | Пефер | 6-SMD (4 свина), кргло | TLP121 | ТОК | 1 | Траншистор | 6-mfsop, 4-й лир | - | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | TLP121 (GRL-TPLF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3000 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 50 май | 3750vrms | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | ||||||||||||||
| TLP290 (GR-TP, SE | 0,5100 | | 6444 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -55 ° C ~ 110 ° C. | Пефер | 4 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм) | TLP290 | AC, DC | 1 | Траншистор | 4 thacogogo | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2500 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,25 | 50 май | 3750vrms | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 300 м | |||||||||||||||
| TLP2366 (E) | 1.4200 | | 107 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 125 ° C. | Пефер | 6 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм), 5 проводников | TLP2366 | ТОК | 1 | ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП | 2,7 В ~ 5,5 В. | 6 tyakowых, 5 -йлидирштва | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 10 май | 20 марта | 15NS, 15NS | 1,61 В. | 25 май | 3750vrms | 1/0 | 20 кв/мкс | 40ns, 40ns | |||||||||||||||
| TLP131 (gr, f) | - | | 3937 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | -55 ° C ~ 100 ° C. | Пефер | 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 5 проводников | TLP131 | ТОК | 1 | Траншистор С.Б.А. | 6-mfsop, 5 LIDERSTHASTA | - | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | TLP131 (GRF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 50 май | 3750vrms | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | ||||||||||||||
 | 4n37 (Короккил, f) | - | | 1571 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | -55 ° C ~ 100 ° C. | Чereз dыru | 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) | 4n37 | ТОК | 1 | Траншистор С.Б.А. | 6-Dip | - | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | 4n37 (shortf) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 100 май | - | 30 | 1,15 В. | 60 май | 2500vrms | 100% @ 10ma | - | 3 мкс, 3 мкс | 300 м | ||||||||||||||
 | TLP5772 (e | 2.3800 | | 9395 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 110 ° C. | Пефер | 6 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) | TLP5772 | ТОК | 1 | ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП | 10 В ~ 30 В. | 6 ТАКОГО | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | - | 15ns, 8ns | 1,65 В. | 8 май | 5000 дней | 1/0 | 35 К/мкс | 150NS, 150NS | ||||||||||||||||
| 4n30 (Короктки, f) | - | | 6210 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | -55 ° C ~ 100 ° C. | Чereз dыru | 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) | 4n30 | ТОК | 1 | Дэйрлингтон С.Бах | 6-Dip | - | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | 4n30 (shortf) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 100 май | - | 30 | 1,15 В. | 80 май | 2500vrms | - | - | 5 мкс, 40 мкс (mmaks) | 1V | ||||||||||||||
 | TLP748J (TP1, F) | 1.8600 | | 12 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 100 ° C. | Пефер | 6-SMD, кргло | TLP748 | BSI, SEMKO, UR | 1 | Скрип | 6-SMD | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1500 | 1,15 В. | 50 май | 4000 дней | 600 | 150 май | 1MA | Не | 5 В/мкс | 10 май | 15 мкс | |||||||||||||||
 | TLPN137 (F) | 1.5600 | | 8 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | Чereз dыru | 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) | TLPN137 | ТОК | 1 | Otkrыtый kollekцyoner | 4,5 n 5,5. | 8-Dip | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 май | 10 марта | 3ns, 12ns | 1,55 | 20 май | 5000 дней | 1/0 | 10 кв/мкс | 75ns, 75ns | |||||||||||||||
| TLP185 (GRL, SE | - | | 5327 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -55 ° C ~ 110 ° C. | Пефер | 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина | TLP185 | ТОК | 1 | Траншистор С.Б.А. | 6-Sop | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | TLP185 (grlse | Ear99 | 8541.49.8000 | 3000 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,25 | 50 май | 3750vrms | 100% @ 5MA | 200% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 300 м | ||||||||||||||
 | TLP3064 (D4TP1S, C, F. | 1.8700 | | 1 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 100 ° C. | Чereз dыru | 6-dip (0,300 ", 7,62 мм), 5 Свиньдов | TLP3064 | cur, ur, vde | 1 | Триак | 6-Dip (Cut), 5 SVINцA | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1500 | 1,4 В. | 30 май | 5000 дней | 600 | 100 май | 600 мк (теп) | В дар | 200 -мкс | 3MA | - | |||||||||||||||
 | TLP183 (GRH, e | 0,5000 | | 9795 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Актифен | -55 ° C ~ 125 ° C. | Пефер | 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина | TLP183 | ТОК | 1 | Траншистор | 6-Sop | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | TLP183 (Grhe | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,25 | 50 май | 3750vrms | 150% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 300 м | ||||||||||||||
| TLP350 (D4-TP1, Z, F) | - | | 7497 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | * | Lenta и катахка (tr) | Управо | TLP350 | - | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP350 (D4-TP1ZF) Tr | Ear99 | 8541.49.8000 | 1500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP385 (D4GB-TL, e | 0,5500 | | 3486 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -55 ° C ~ 110 ° C. | Пефер | 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина | TLP385 | ТОК | 1 | Траншистор | 6 tyakowых, 4 -й лирштва | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3000 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,25 | 50 май | 5000 дней | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 300 м | |||||||||||||||
 | TLP292-4 (GB, e | 1.7900 | | 2865 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Актифен | -55 ° C ~ 125 ° C. | Пефер | 16 SOIC (0,179 », Ирина 4,55 мм) | TLP292 | AC, DC | 4 | Траншистор | 16-й | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,25 | 50 май | 3750vrms | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 300 м | |||||||||||||||
| TLP785 (BL, ф | 0,2214 | | 6329 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Актифен | -55 ° C ~ 110 ° C. | TLP785 | ТОК | 1 | Траншистор | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP785 (BLF | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 200% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | ||||||||||||||||||
| TLP716F (TP, F) | - | | 8437 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | -40 ° C ~ 100 ° C. | Пефер | 6 SOIC (0,268 дюйма, Ирина 6,80 мм) | ТОК | 1 | ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП | 4,5 n 5,5. | 6-Sdip Gull Wing | СКАХАТА | 264-TLP716F (TPF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 10 май | 15 марта | 15NS, 15NS | 1,65 В. | 20 май | 5000 дней | 1/0 | 10 кв/мкс | 75ns, 75ns | |||||||||||||||||
| TLP267J (e | 1.0100 | | 125 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 100 ° C. | Пефер | 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина | TLP267 | CQC, cur, ur | 1 | Триак | 6-Sop | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 1,27 | 30 май | 3750vrms | 600 | 70 май | 200 мка (теп) | Не | 500 v/mks (typ) | 3MA | 100 мкс | |||||||||||||||
| TLP291 (V4GRTP, SE | 0,6000 | | 7762 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -55 ° C ~ 110 ° C. | Пефер | 4 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм) | TLP291 | ТОК | 1 | Траншистор | 4 thacogogo | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2500 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,25 | 50 май | 3750vrms | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 300 м | |||||||||||||||
| TLP291 (TP, SE | 0,6000 | | 1495 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -55 ° C ~ 110 ° C. | Пефер | 4 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм) | TLP291 | ТОК | 1 | Траншистор | 4 thacogogo | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2500 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,25 | 50 май | 3750vrms | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 300 м |
2000+
Средний объем RFQ
30 000 000
Стандартный продукт
2800+
Мировые производители
15 000 м2
На складе
Список желаний (0 пунктов)