Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | Rraboч -yemperatura | МОНТАНАНГИП | PakeT / KORPUES | Baзowый nomer prodikta | ТИПВ | Тела | Агентево | Колист. Каналов | Втипа | Napraheneee - posta | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Техниль | Вернояж | Дрогин ИНЕНА | Eccn | Htsus | Станодар | Ток - | Ток - | Скороп | ТОК - ПИКОВОВ | Верна | На | На | Current - DC Forward (if) (max) | Naprayжeniee - yзolyahip | На | Current - On State (it (rms)) (MMaks) | Current - Hold (ih) | Vхodы - Стерона 1/СОЗОРОНА 2 | Обжильжим | Я | ИСКОНЕЕ | На | Коэффигиэнт Переносатока (мин) | Коэффигиэнт Передахитока | Klючite / vыklючite -veremymape (typ) | Vce nassheeneee (mmaks) | САМАМА | Статистский DV/DT (мин) | Ток - С. | Klючite -wreman |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TLP266J (T7, e | - | ![]() | 5852 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 100 ° C. | Пефер | 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина | TLP266 | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | Триак | 6-Sop | - | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP266J (T7E | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 1,27 | 50 май | 3750vrms | 600 | 70 май | 600 мк | В дар | 200 -мкс | 10 май | 30 мкс | |||||||||||||||||||
![]() | TLP250 (D4-LF5, F) | - | ![]() | 3911 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | * | Трубка | Управо | TLP250 | - | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP250 (D4-LF5F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP126 (Fanuc-Tpl, f | - | ![]() | 9475 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | * | Lenta и катахка (tr) | Управо | TLP126 | - | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP126 (Fanuc-Tplftr | Ear99 | 8541.49.8000 | 3000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP351 (D4, Z, F) | - | ![]() | 5056 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | * | Трубка | Управо | TLP351 | - | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP351 (D4ZF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP627F-2 (F) | - | ![]() | 6318 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | * | Трубка | Управо | TLP627 | - | 1 (neograniчennnый) | 264-tlp627f-2 (f) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tlp160g (tee-tpl, f) | - | ![]() | 8847 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | * | Lenta и катахка (tr) | Управо | TLP160 | - | 1 (neograniчennnый) | 264-tlp160g (tee-tplf) tr | Ear99 | 8541.49.8000 | 3000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP265J (T7-TPR, e | - | ![]() | 2647 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 100 ° C. | Пефер | 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина | TLP265 | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | Триак | 6-Sop | - | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP265J (T7-TPRETR | Ear99 | 8541.49.8000 | 3000 | 1,27 | 50 май | 3750vrms | 600 | 70 май | 1MA | Не | 500 v/mks (typ) | 7ma | 100 мкс | |||||||||||||||||||
![]() | TLP785 (BLL, ф | - | ![]() | 1485 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Актифен | -55 ° C ~ 110 ° C. | Чereз dыru | 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) | TLP785 | ТОК | 1 | Траншистор | 4-Dip | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP785 (BLLF | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 200% @ 5MA | 400% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | |||||||||||||||||||
![]() | TLP351F (LF4, Z, F) | - | ![]() | 1346 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | * | Трубка | Управо | TLP351 | - | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP351F (LF4ZF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP571 (LF1, F) | - | ![]() | 9065 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | * | Трубка | Управо | TLP571 | - | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP571 (LF1F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP250F (D4FA1T4S, ф | - | ![]() | 8410 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | * | Lenta и катахка (tr) | Управо | TLP250F | - | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP250F (D4FA1T4SFTR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP351 (LF1, Z, F) | - | ![]() | 6189 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | * | Трубка | Управо | TLP351 | - | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP351 (LF1ZF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP570 (F) | - | ![]() | 5832 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | * | Трубка | Управо | TLP570 | - | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP570 (F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP552 (TP1, F) | - | ![]() | 7024 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | * | Lenta и катахка (tr) | Управо | TLP552 | - | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP552 (TP1F) Tr | Ear99 | 8541.49.8000 | 1500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP250HF (LF4, F) | - | ![]() | 3827 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 125 ° C. | Пефер | 8-SMD, крхло | TLP250 | ТОК | 1 | ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП | 10 В ~ 30 В. | 8-SMD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP250HF (LF4F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 2 а | - | 50ns, 50ns | 1,57 | 5 май | 3750vrms | 1/0 | 40 кв/мкс | 500NS, 500NS | |||||||||||||||||||
![]() | TLP250 (FA-TP1S, F) | - | ![]() | 5611 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | * | Lenta и катахка (tr) | Управо | TLP250 | - | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP250 (FA-TP1SF) Tr | Ear99 | 8541.49.8000 | 1500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP523 (Adchip, F) | - | ![]() | 7158 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | * | Трубка | Управо | TLP523 | - | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP523 (ADCHIPF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP785 (D4GH-F6, ф | - | ![]() | 8482 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Актифен | -55 ° C ~ 110 ° C. | Чereз dыru | 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) | TLP785 | ТОК | 1 | Траншистор | 4-Dip | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP785 (D4GH-F6F | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | |||||||||||||||||||
![]() | TLP532 (GRL, F) | - | ![]() | 2775 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | * | Трубка | Управо | TLP532 | - | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP532 (GRLF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLP2395 (e | - | ![]() | 7558 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 125 ° C. | Пефер | 6 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм), 5 проводников | TLP2395 | ТОК | 1 | ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП | 3 В ~ 20 В. | 6 tyakowых, 5 -йлидирштва | - | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP2395 (e | Ear99 | 8541.49.8000 | 150 | 25 май | 5 марта / с | 15NS, 12NS | 1,5 В. | 20 май | 3750vrms | 1/0 | 20 кв/мкс | 250NS, 250NS | ||||||||||||||||||||
![]() | TLP5701 (D4-LF4, e | 1.3800 | ![]() | 8258 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 110 ° C. | Пефер | 6 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) | TLP5701 | Оптишая | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 6 ТАКОГО | - | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP5701 (D4-LF4E | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 400 май, 400 мая | 600 май | 50ns, 50ns | 1,57 | 25 май | 5000 дней | 20 кв/мкс | 500NS, 500NS | 350ns | 10 В ~ 30 В. | |||||||||||||||||||
![]() | TLP734F (D4-LF4, M, F. | - | ![]() | 1623 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | * | Трубка | Управо | TLP734 | - | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP734F (D4-LF4MF | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP733 (D4-Grl, M, F) | - | ![]() | 6919 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | * | Трубка | Управо | TLP733 | - | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP733 (D4-GRLMF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP750 (F) | - | ![]() | 7129 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | * | Трубка | Управо | TLP750 | - | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP750 (F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP627M (LF1, e | 0,9200 | ![]() | 3910 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Актифен | -55 ° C ~ 110 ° C. | Пефер | 4-SMD, крхло | TLP627 | ТОК | 1 | Дэйрлингтон | 4-SMD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP627M (LF1E | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 150 май | 60 мкс, 30 мкс | 300 | 1,25 | 50 май | 5000 дней | 1000% @ 1MA | - | 110 мкс, 30 мкс | 1,2 В. | |||||||||||||||||||
![]() | TLP351 (D4-LF5, Z, F) | - | ![]() | 2059 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | * | Трубка | Управо | TLP351 | - | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP351 (D4-LF5ZF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP250 (MBS, F) | - | ![]() | 3329 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | * | Трубка | Управо | TLP250 | - | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP250 (MBSF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP160J (V4DMT7TR, F. | - | ![]() | 8342 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | * | Lenta и катахка (tr) | Управо | TLP160 | - | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP160J (V4DMT7TRFTR | Ear99 | 8541.49.8000 | 3000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP532 (BL-TP5, F) | - | ![]() | 2519 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | * | Lenta и катахка (tr) | Управо | TLP532 | - | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP532 (BL-TP5F) Tr | Ear99 | 8541.49.8000 | 1500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP550 (Necic, F) | - | ![]() | 7182 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | * | Трубка | Управо | TLP550 | - | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP550 (NECIN) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 |
Средний объем RFQ
Стандартный продукт
Мировые производители
На складе