SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Тип входа Технология Утверждающее агентство Количество вариантов Тип выхода Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Ток — выходной высокий, низкий Ток — выход/канал Скорость передачи данных Ток – пиковый выход Время подъема/спада (типичное) Напряжение - Выход (Макс.) Напряжение — прямое (Vf) (тип.) Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) Напряжение – изоляция Напряжение – выключенное состояние Текущее состояние включения (It (RMS)) (Макс.) Ток — удержание (Ih) Входы — сторона 1/сторона 2 Переходная устойчивость к синфазному режиму (мин.) Задержка распространения tpLH/tpHL (Макс.) Искажение угла импульса (макс.) Напряжение – выходное питание Текущий коэффициент передачи (мин.) Текущий коэффициент передачи (макс.) Время включения/выключения (типовое) Насыщенность Vce (макс.) Схема пересечения нулей Статическое dV/dt (мин) Ток — триггер светодиода (Ift) (макс.) Время включения Оценка Квалификация
TLP700(GEHC,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП700(ГЭХК,Ф) -
запросить цену
ECAD 5009 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (ширина 0,268 дюйма, 6,80 мм) ТЛП700 Оптическая связь CSA, cUL, UL, VDE 1 6-СДИП «Крыло чайки» скачать 264-TLP700(GEHCF) EAR99 8541.49.8000 1 1,5 А, 1,5 А 50 нс, 50 ​​нс 1,57 В 20 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 15 кВ/мкс 500 нс, 500 нс - 15 В ~ 30 В
TLP124F Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП124Ф -
запросить цену
ECAD 4843 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Устаревший -55°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 6-SMD (4 вывода), крыло чайки ТЛП124Ф округ Колумбия 1 Транзистор 6-МФСОП, 4 отведения скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) ТЛП124(Ф) EAR99 8541.49.8000 150 50 мА 8 мкс, 8 мкс 80В 1,15 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 100% при 1 мА 1200% при 1 мА 10 мкс, 8 мкс 400мВ
TLP785F(D4Y-F7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4Y-F7,Ф -
запросить цену
ECAD 8840 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -55°С ~ 110°С Сквозное отверстие 4-ДИП (0,400", 10,16 мм) ТЛП785 округ Колумбия 1 Транзистор 4-ДИП скачать 1 (без блокировки) 264-TLP785F(D4Y-F7F EAR99 8541.49.8000 100 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,15 В 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 50% при 5 мА 150% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP293-4(LGBTR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4(ЛГБТР,Э 1,6300
запросить цену
ECAD 8340 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 16-SOIC (ширина 0,179 дюйма, 4,55 мм) ТЛП293 округ Колумбия 4 Транзистор 16-СО скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 2000 г. 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 100% при 500 мкА 600% при 500 мкА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
TLP291(GRH-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(GRH-TP,SE 0,5900
запросить цену
ECAD 9517 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 4-SOIC (ширина 0,179 дюйма, 4,55 мм) ТЛП291 округ Колумбия 1 Транзистор 4-СО скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 2500 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 150% при 5 мА 300% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
TLP5751(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5751(D4,E 2.4300
запросить цену
ECAD 9678 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -40°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) ТЛП5751 Оптическая связь CQC, CSA, cUL, UL, VDE 1 6-СО скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 125 1А, 1А 15 нс, 8 нс 1,55 В 20 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 35 кВ/мкс 150 нс, 150 нс 50 нс 15 В ~ 30 В
TLX9185(TOJ2GBTF(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9185(TOJ2GBTF(O -
запросить цену
ECAD 3905 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 4 вывода TLX9185 округ Колумбия 1 Транзистор 6-СОП - 264-TLX9185(TOJ2GBTF(О EAR99 8541.49.8000 1 50 мА 3 мкс, 5 мкс 80В 1,27 В 30 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 20% при 5 мА 600% при 5 мА 5 мкс, 5 мкс 400мВ
TLX9906(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9906(ТПЛ,Ф 4.0500
запросить цену
ECAD 9 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 4 вывода TLX9906 округ Колумбия 1 Фотоэлектрический 6-СОП скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 3000 - - 1,65 В 30 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) - - 200 мкс, 200 мкс - Автомобильная промышленность АЭК-Q101
TLP161J(V4DMT7TRCF Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J(V4DMT7TRCF -
запросить цену
ECAD 8447 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Лента и катушка (TR) Устаревший ТЛП161 - 1 (без блокировки) 264-TLP161J(V4DMT7TRCFTR EAR99 8541.49.8000 3000
TLP631(GB-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП631(ГБ-ТП1,Ф) -
запросить цену
ECAD 7347 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Лента и катушка (TR) Устаревший ТЛП631 - 1 (без блокировки) 264-ТЛП631(ГБ-ТП1Ф)ТР EAR99 8541.49.8000 1500
TLX9291(FDKGBTLF(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9291(FDKGBTLF(O -
запросить цену
ECAD 7115 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Масса Устаревший - 264-TLX9291(FDKGBTLF(О EAR99 8541.49.8000 1
TLP504A-2(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП504А-2(ГБ,Ф) -
запросить цену
ECAD 9831 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Устаревший -55°С ~ 100°С Сквозное отверстие 16-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) ТЛП504 округ Колумбия 4 Транзистор 16-ДИП скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 25 50 мА 2 мкс, 3 мкс 55В 1,15 В 50 мА 2500 В (среднеквадратичное значение) 100% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP620-4(F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП620-4(Ф) -
запросить цену
ECAD 4048 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Устаревший -55°С ~ 100°С Сквозное отверстие 16-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) ТЛП620 переменный ток, постоянный ток 4 Транзистор 16-ДИП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 25 50 мА 2 мкс, 3 мкс 55В 1,15 В 50 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 50% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP5752H(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5752H(LF4,E 1,9500
запросить цену
ECAD 5896 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -40°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) ТЛП5752 Оптическая связь CQC, CSA, cUL, UL, VDE 1 6-СО скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 125 2,5 А, 2,5 А 2,5 А 15 нс, 8 нс 1,55 В 20 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 35 кВ/мкс 150 нс, 150 нс 50 нс 15 В ~ 30 В
TLP121(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП121(ТПР,Ф) -
запросить цену
ECAD 7190 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -55°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 6-SMD (4 вывода), крыло чайки ТЛП121 округ Колумбия 1 Транзистор 6-МФСОП, 4 отведения - Соответствует RoHS 1 (без блокировки) ТЛП121(ТПРФ) EAR99 8541.49.8000 3000 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,15 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 50% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP385(GRH-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(GRH-TPL,E 0,5600
запросить цену
ECAD 8469 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 4 вывода ТЛП385 округ Колумбия 1 Транзистор 6-СО, 4 вывода скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 3000 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 150% при 5 мА 300% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
TLP2366(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2366(TPR,E 0,4841
запросить цену
ECAD 1284 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,179 дюйма, ширина 4,55 мм), 5 выводов ТЛП2366 округ Колумбия 1 Push-Pull, Тотемный столб 2,7 В ~ 5,5 В 6-СО, 5 выводов скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 3000 10 мА 20 МБд 15 нс, 15 нс 1,61 В 25 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 1/0 20 кВ/мкс 40 нс, 40 нс
TLP292-4(V4-GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(V4-GB,E 1,7900
запросить цену
ECAD 6099 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -55°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 16-SOIC (ширина 0,179 дюйма, 4,55 мм) ТЛП292 переменный ток, постоянный ток 4 Транзистор 16-СО скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 50 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 100% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
TLP3083F(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3083F(Ф 1,7400
запросить цену
ECAD 44 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -40°С ~ 100°С Сквозное отверстие 6-DIP (0,400 дюймов, 10,16 мм), 5 выводов CQC, CSA, cUL, UL, VDE 1 Триак 6-ДИП скачать 1 (без блокировки) 264-TLP3083F(Ф EAR99 8541.49.8000 50 1,15 В 50 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 800 В 100 мА 600 мкА Да 2 кВ/мкс (тип.) 5мА -
TLP781F(D4-FUNGR,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4-FUNGR,F -
запросить цену
ECAD 7829 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Устаревший -55°С ~ 110°С Сквозное отверстие 4-ДИП (0,400", 10,16 мм) ТЛП781Ф округ Колумбия 1 Транзистор 4-ДИП скачать 1 (без блокировки) 264-ТЛП781Ф(Д4-ФУНГРФ EAR99 8541.49.8000 100 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,15 В 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 100% при 5 мА 300% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP781(BLL-TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП781(БЛЛ-ТП6,Ф) -
запросить цену
ECAD 7168 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 4-СМД, Крыло Чайки ТЛП781 округ Колумбия 1 Транзистор 4-СМД скачать 1 (без блокировки) 264-ТЛП781(БЛЛ-ТП6Ф)ТР EAR99 8541.49.8000 2000 г. 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,15 В 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 200% при 5 мА 400% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP781(D4BLL-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4BLL-LF6,F -
запросить цену
ECAD 7971 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Устаревший -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 4-СМД, Крыло Чайки ТЛП781 округ Колумбия 1 Транзистор 4-СМД скачать 1 (без блокировки) 264-TLP781(D4BLL-LF6F EAR99 8541.49.8000 100 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,15 В 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 200% при 5 мА 400% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP759(MBS-IT,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(MBS-IT,J,F) -
запросить цену
ECAD 1082 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -55°С ~ 100°С Сквозное отверстие 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) ТЛП759 округ Колумбия 1 Транзистор с базой 8-ДИП скачать 264-TLP759(MBS-ITJF) EAR99 8541.49.8000 1 8мА - - 1,65 В 25 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 20% при 16 мА - - -
TLP2768F(F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП2768Ф(Ф) -
запросить цену
ECAD 7185 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (ширина 0,268 дюйма, 6,80 мм) округ Колумбия 1 Открытый коллектор, резьба Шоттки 2,7 В ~ 5,5 В 6-СДИП «Крыло чайки» скачать 264-ТЛП2768Ф(Ф) EAR99 8541.49.8000 1 25 мА 20 МБд 30 нс, 30 нс 1,55 В 25 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 1/0 20 кВ/мкс 60 нс, 60 нс
TLP250(D4INV-TP5,F Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП250(Д4ИНВ-ТП5,Ф -
запросить цену
ECAD 1059 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Лента и катушка (TR) Устаревший ТЛП250 - 1 (без блокировки) 264-ТЛП250(Д4ИНВ-ТП5ФТР EAR99 8541.49.8000 1500
TLP292-4(LA-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(LA-TP,E 1,7900
запросить цену
ECAD 1266 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 16-SOIC (ширина 0,179 дюйма, 4,55 мм) ТЛП292 переменный ток, постоянный ток 4 Транзистор 16-СО скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 2000 г. 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 50% при 500 мкА 600% при 500 мкА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
TLP385(D4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП385(Д4-ТПЛ,Э 0,5400
запросить цену
ECAD 3 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 4 вывода ТЛП385 округ Колумбия 1 Транзистор 6-СО, 4 вывода скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 3000 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 50% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
TLP732(D4-GRL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732(Д4-ГРЛ,Ф) -
запросить цену
ECAD 7537 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Трубка Устаревший ТЛП732 - 1 (без блокировки) 264-ТЛП732(Д4-ГРЛФ) EAR99 8541.49.8000 50
TLP293-4(4LGBTPE Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП293-4(4ЛГБТПЭ 1,6300
запросить цену
ECAD 4797 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 16-SOIC (ширина 0,179 дюйма, 4,55 мм) ТЛП293 округ Колумбия 4 Транзистор 16-СО скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 2000 г. 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 100% при 500 мкА 600% при 500 мкА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
TLP290(BLL-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП290(БЛЛ-ТП,Э) -
запросить цену
ECAD 2482 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 4-SOIC (ширина 0,179 дюйма, 4,55 мм) ТЛП290 переменный ток, постоянный ток 1 Транзистор 4-СО скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 2500 50 мА 4 мкс, 7 мкс 80В 1,25 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 200% при 5 мА 400% при 5 мА 7 мкс, 7 мкс 300мВ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе