SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Тип входа Технология Утверждающее агентство Количество вариантов Тип выхода Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Ток — выходной высокий, низкий Ток — выход/канал Скорость передачи данных Ток — пиковый выход Время подъема/спада (типичное) Напряжение - Выход (Макс.) Напряжение — прямое (Vf) (тип.) Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) Напряжение – изоляция Напряжение – выключенное состояние Текущее состояние включения (It (RMS)) (Макс.) Ток — удержание (Ih) Входы — сторона 1/сторона 2 Переходная устойчивость к синфазному режиму (мин.) Задержка распространения tpLH/tpHL (Макс.) Искажение угла импульса (макс.) Напряжение – выходное питание Текущий коэффициент передачи (мин.) Текущий коэффициент передачи (макс.) Время включения/выключения (типовое) Насыщенность Vce (макс.) Схема пересечения нулей Статическое dV/dt (мин) Ток — триггер светодиода (Ift) (макс.) Время включения
TLP759(MBJ-IGM,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(MBJ-IGM,J,F -
запросить цену
ECAD 5035 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -55°С ~ 100°С Сквозное отверстие 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) округ Колумбия 1 Транзистор с базой 8-ДИП скачать 264-TLP759(MBJ-IGMJF EAR99 8541.49.8000 1 8мА - 20 В 1,65 В 25 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 20% при 16 мА - - -
TLP182(GB-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182(GB-TPL,E 0,5700
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 4 вывода ТЛП182 переменный ток, постоянный ток 1 Транзистор 6-СОП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 3000 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 100% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
TLP3083(TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3083(TP1,F 1,9500
запросить цену
ECAD 670 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 6-SMD (5 выводов), крыло чайки ТЛП3083 CQC, CSA, cUL, UL 1 Триак 6-СО, 5 выводов скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 1500 1,15 В 50 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 800 В 100 мА 600 мкА (тип.) Да 2 кВ/мкс (тип.) 5мА -
TLP733F(D4-C172,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733F(D4-C172,Ф) -
запросить цену
ECAD 9187 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 100°С Сквозное отверстие 6-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) ТЛП733 округ Колумбия 1 Транзистор с базой 6-ДИП - Соответствует RoHS Непригодный ТЛП733Ф(Д4-К172Ф) EAR99 8541.49.8000 1500 50 мА 2 мкс, 3 мкс 55В 1,15 В 60 мА 4000 В (среднеквадратичное значение) 50% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP385(Y,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(Y,E 0,5500
запросить цену
ECAD 2132 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 4 вывода ТЛП385 округ Колумбия 1 Транзистор 6-СО, 4 вывода скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) TLP385(ДА EAR99 8541.49.8000 125 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 50% при 5 мА 150% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
TLP385(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП385(ТПЛ,Э 0,5500
запросить цену
ECAD 5885 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 4 вывода ТЛП385 округ Колумбия 1 Транзистор 6-СО, 4 вывода скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 3000 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 50% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
TLP570(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП570(ТП1,Ф) -
запросить цену
ECAD 9827 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Лента и катушка (TR) Устаревший ТЛП570 - 1 (без блокировки) 264-ТЛП570(ТП1Ф)ТР EAR99 8541.49.8000 1500
TLP358(D4-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП358(Д4-ЛФ1,Ф) -
запросить цену
ECAD 2941 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 8-СМД, Крыло Чайки ТЛП358 округ Колумбия 1 Push-Pull, Тотемный столб 15 В ~ 30 В 8-СМД скачать 264-ТЛП358(Д4-ЛФ1Ф) EAR99 8541.49.8000 1 5,5 А - 17нс, 17нс 1,57 В 20 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 1/0 20 кВ/мкс 500 нс, 500 нс
TLP385(D4-BL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(D4-BL,E 0,5500
запросить цену
ECAD 8372 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 4 вывода ТЛП385 округ Колумбия 1 Транзистор 6-СО, 4 вывода скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) ТЛП385(Д4-БЛЕ EAR99 8541.49.8000 125 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 200% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
TLP385(D4YH-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(D4YH-TR,E 0,5500
запросить цену
ECAD 6869 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 4 вывода ТЛП385 округ Колумбия 1 Транзистор 6-СО, 4 вывода скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 3000 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 75% при 5 мА 150% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
TLP626(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП626(ТП1,Ф) -
запросить цену
ECAD 1950 год 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -55°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 4-СМД, Крыло Чайки ТЛП626 переменный ток, постоянный ток 1 Транзистор 4-СМД скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 1500 50 мА 8 мкс, 8 мкс 55В 1,15 В 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 100% при 1 мА 1200% при 1 мА 10 мкс, 8 мкс 400мВ
TLP2761F(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761F(Д4,Ф) -
запросить цену
ECAD 9878 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) ТЛП2761 переменный ток, постоянный ток 1 Push-Pull, Тотемный столб 2,7 В ~ 5,5 В 6-СО - Соответствует RoHS 1 (без блокировки) ТЛП2761Ф(Д4Ф) EAR99 8541.49.8000 50 10 мА 15 МБд 3нс, 3нс 1,5 В 10 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 1/0 20 кВ/мкс 80нс, 80нс
TLP785(D4GH-F6,F Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП785(Д4ГХ-Ф6,Ф -
запросить цену
ECAD 8482 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -55°С ~ 110°С Сквозное отверстие 4-DIP (0,300 дюймов, 7,62 мм) ТЛП785 округ Колумбия 1 Транзистор 4-ДИП скачать 1 (без блокировки) 264-TLP785(D4GH-F6F EAR99 8541.49.8000 100 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,15 В 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 50% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP351(D4,Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП351(Д4,З,Ф) -
запросить цену
ECAD 5056 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Трубка Устаревший ТЛП351 - 1 (без блокировки) 264-ТЛП351(Д4ЗФ) EAR99 8541.49.8000 50
TLP383(D4YH-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP383(D4YH-TL,E 0,6000
запросить цену
ECAD 3131 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 4 вывода ТЛП383 округ Колумбия 1 Транзистор 6-СО, 4 вывода скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 3000 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 50% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
TLP732(D4GRL-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP732(D4GRL-LF2,F -
запросить цену
ECAD 4287 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Трубка Устаревший ТЛП732 - 1 (без блокировки) 264-ТЛП732(Д4ГРЛ-ЛФ2Ф EAR99 8541.49.8000 50
TLP351(LF1,Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП351(ЛФ1,З,Ф) -
запросить цену
ECAD 6189 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Трубка Устаревший ТЛП351 - 1 (без блокировки) 264-ТЛП351(ЛФ1ЗФ) EAR99 8541.49.8000 50
TLP160G(T7-TPL,U,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G(T7-TPL,U,F -
запросить цену
ECAD 4558 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Лента и катушка (TR) Устаревший ТЛП160Г - 1 (без блокировки) 264-TLP160G(T7-TPLUFTR EAR99 8541.49.8000 3000
TLP2409(F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП2409(Ф) -
запросить цену
ECAD 1952 год 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -55°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) ТЛП2409 округ Колумбия 1 Транзистор 8-СО скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) ТЛП2409Ф EAR99 8541.49.8000 100 16 мА - 20 В 1,57 В 25 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 20% при 16 мА - 800 нс, 800 нс (макс.) -
TLP627-2(SANYD,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП627-2(САНИД,Ф) -
запросить цену
ECAD 2936 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Трубка Устаревший ТЛП627 - 1 (без блокировки) 264-ТЛП627-2(САНИДФ) EAR99 8541.49.8000 50
TLP781F(D4-GRL,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4-GRL,E) -
запросить цену
ECAD 1801 г. 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Устаревший -55°С ~ 110°С Сквозное отверстие 4-ДИП (0,400", 10,16 мм) ТЛП781Ф округ Колумбия 1 Транзистор 4-ДИП скачать 1 (без блокировки) 264-ТЛП781Ф(Д4-ГРЛЕ) EAR99 8541.49.8000 100 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,15 В 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 100% при 5 мА 200% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP785F(D4YHF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4YHF7,Ф -
запросить цену
ECAD 8839 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -55°С ~ 110°С Сквозное отверстие 4-ДИП (0,400", 10,16 мм) ТЛП785 округ Колумбия 1 Транзистор 4-ДИП скачать 1 (без блокировки) 264-TLP785F(D4YHF7F EAR99 8541.49.8000 100 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,15 В 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 75% при 5 мА 150% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP161G(IFT7,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP161G(IFT7,U,C,F -
запросить цену
ECAD 8697 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Лента и катушка (TR) Устаревший ТЛП161 - 1 (без блокировки) 264-TLP161G(IFT7UCFTR EAR99 8541.49.8000 3000
TLP5754(D4-TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5754(D4-TP4,E 2,9200
запросить цену
ECAD 738 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) ТЛП5754 Оптическая связь CQC, CSA, cUL, UL, VDE 1 6-СО скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 1500 3А, 3А 15 нс, 8 нс 1,55 В 20 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 35 кВ/мкс 150 нс, 150 нс 50 нс 15 В ~ 30 В
TLP504A(F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП504А(Ф) -
запросить цену
ECAD 8450 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Устаревший -55°С ~ 100°С Сквозное отверстие 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) ТЛП504 округ Колумбия 2 Транзистор 8-ДИП скачать 1 (без блокировки) ТЛП504АФ EAR99 8541.49.8000 50 50 мА 2 мкс, 3 мкс 55В 1,15 В 60 мА 2500 В (среднеквадратичное значение) 50% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP785(GR-TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП785(ГР-ТП6,Ф) 0,6400
запросить цену
ECAD 71 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 4-СМД, Крыло Чайки ТЛП785 округ Колумбия 1 Транзистор 4-СМД скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 2000 г. 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,15 В 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 100% при 5 мА 300% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP628MF(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628MF(Е 0,9100
запросить цену
ECAD 5073 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -55°С ~ 125°С Сквозное отверстие 4-ДИП (0,400", 10,16 мм) ТЛП628 округ Колумбия 1 Транзистор 4-ДИП скачать 1 (без блокировки) 264-ТЛП628МФ(Е EAR99 8541.49.8000 100 50 мА 5,5 мкс, 10 мкс 350В 1,25 В 50 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 50% при 5 мА 600% при 5 мА 10 мкс, 10 мкс 400мВ
TLP781F(D4-GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(Д4-ГБ,Ф) -
запросить цену
ECAD 1853 г. 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Устаревший -55°С ~ 110°С Сквозное отверстие 4-ДИП (0,400", 10,16 мм) ТЛП781Ф округ Колумбия 1 Транзистор 4-ДИП скачать 1 (без блокировки) 264-ТЛП781Ф(Д4-ГБФ) EAR99 8541.49.8000 100 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,15 В 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 100% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP2066(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2066(ТПР,Ф) -
запросить цену
ECAD 4049 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 5 выводов ТЛП2066 округ Колумбия 1 Push-Pull, Тотемный столб 3 В ~ 3,6 В 6-МФСОП, 5 отведений - 264-ТЛП2066(ТПРФ) EAR99 8541.49.8000 1 10 мА 20 Мбит/с 5нс, 4нс 1,6 В 25 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 1/0 15 кВ/мкс 60нс, 60нс
TLP9114B(TOJS-TL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9114B(TOJS-TL,F -
запросить цену
ECAD 1713 г. 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Масса Устаревший - 264-TLP9114B(TOJS-TLF EAR99 8541.49.8000 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе