Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | Rraboч -yemperatura | МОНТАНАНГИП | PakeT / KORPUES | Baзowый nomer prodikta | ТИПВ | Тела | Агентево | Колист. Каналов | Втипа | Napraheneee - posta | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Техниль | Вернояж | Дрогин ИНЕНА | Eccn | Htsus | Станодар | Ток - | Ток - | Скороп | ТОК - ПИКОВОВ | Верна | На | На | Current - DC Forward (if) (max) | Naprayжeniee - yзolyahip | Vхodы - Стерона 1/СОЗОРОНА 2 | Обжильжим | Я | ИСКОНЕЕ | На | Коэффигиэнт Переносатока (мин) | Коэффигиэнт Передахитока | Klючite / vыklючite -veremymape (typ) | Vce nassheeneee (mmaks) | Оинка | Кваликака |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TLP785F (GRL-F7, F. | - | ![]() | 9435 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Актифен | -55 ° C ~ 110 ° C. | Чereз dыru | 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) | TLP785 | ТОК | 1 | Траншистор | 4-Dip | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP785F (GRL-F7F | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 100% @ 5MA | 200% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | ||||||||||||||
![]() | TLP785F (D4-LF7, f | - | ![]() | 1092 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Актифен | -55 ° C ~ 110 ° C. | Пефер | 4-SMD, крхло | TLP785 | ТОК | 1 | Траншистор | 4-SMD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP785F (D4-LF7F | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | ||||||||||||||
![]() | TLP785F (TP7, ф | - | ![]() | 3430 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -55 ° C ~ 110 ° C. | Пефер | 4-SMD, крхло | TLP785 | ТОК | 1 | Траншистор | 4-SMD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP785F (TP7FTR | Ear99 | 8541.49.8000 | 2000 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | ||||||||||||||
![]() | TLP781F (YH-LF7, F) | - | ![]() | 4883 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Управо | -55 ° C ~ 110 ° C. | Пефер | 4-SMD, крхло | TLP781F | ТОК | 1 | Траншистор | 4-SMD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-tlp781f (yh-lf7f) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 75% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | ||||||||||||||
![]() | TLP781F (D4GR7PSE, ф | - | ![]() | 6924 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -55 ° C ~ 110 ° C. | Чereз dыru | 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) | TLP781F | ТОК | 1 | Траншистор | 4-Dip | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP781F (D4GR7PSEFTR | Ear99 | 8541.49.8000 | 2000 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | ||||||||||||||
![]() | TLP785 (D4-BL, ф | - | ![]() | 2555 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Актифен | -55 ° C ~ 110 ° C. | Чereз dыru | 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) | TLP785 | ТОК | 1 | Траншистор | 4-Dip | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP785 (D4-BLF | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 200% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | ||||||||||||||
![]() | TLP781F (YH, F) | - | ![]() | 4899 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Управо | -55 ° C ~ 110 ° C. | Чereз dыru | 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) | TLP781F | ТОК | 1 | Траншистор | 4-Dip | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-tlp781f (YHF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 75% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | ||||||||||||||
![]() | TLP781F (D4-GR-FD, ф | - | ![]() | 6200 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Управо | -55 ° C ~ 110 ° C. | Чereз dыru | 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) | TLP781F | ТОК | 1 | Траншистор | 4-Dip | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP781F (D4-GR-FDF | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | ||||||||||||||
![]() | TLP781 (D4GRT6-TC, ф | - | ![]() | 4172 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -55 ° C ~ 110 ° C. | Чereз dыru | 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) | TLP781 | ТОК | 1 | Траншистор | 4-Dip | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP781 (D4GRT6-TCFTR | Ear99 | 8541.49.8000 | 2000 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | ||||||||||||||
![]() | TLP781 (D4-GRH, E) | - | ![]() | 4579 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Управо | -55 ° C ~ 110 ° C. | Чereз dыru | 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) | TLP781 | ТОК | 1 | Траншистор | 4-Dip | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP781 (D4-GRHE) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 150% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | ||||||||||||||
![]() | TLP781 (D4-GR-SD, F) | - | ![]() | 8248 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Управо | -55 ° C ~ 110 ° C. | Чereз dыru | 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) | TLP781 | ТОК | 1 | Траншистор | 4-Dip | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP781 (D4-GR-SDF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | ||||||||||||||
![]() | TLP781 (D4-Y, F) | - | ![]() | 4779 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Управо | -55 ° C ~ 110 ° C. | Чereз dыru | 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) | TLP781 | ТОК | 1 | Траншистор | 4-Dip | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP781 (D4-YF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 50% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | ||||||||||||||
![]() | TLP785F (grl, f | - | ![]() | 9716 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Актифен | -55 ° C ~ 110 ° C. | Чereз dыru | 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) | TLP785 | ТОК | 1 | Траншистор | 4-Dip | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP785F (GRLF | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 100% @ 5MA | 200% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | ||||||||||||||
![]() | TLP781F (D4-GB, F) | - | ![]() | 1853 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Управо | -55 ° C ~ 110 ° C. | Чereз dыru | 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) | TLP781F | ТОК | 1 | Траншистор | 4-Dip | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP781F (D4-GBF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | ||||||||||||||
![]() | TLP781F (D4GRL-F7, ф | - | ![]() | 7446 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Управо | -55 ° C ~ 110 ° C. | Чereз dыru | 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) | TLP781F | ТОК | 1 | Траншистор | 4-Dip | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP781F (D4GRL-F7F | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 100% @ 5MA | 200% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | ||||||||||||||
![]() | TLP785F (GRH-F7, ф | - | ![]() | 1720 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Актифен | -55 ° C ~ 110 ° C. | Чereз dыru | 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) | TLP785 | ТОК | 1 | Траншистор | 4-Dip | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP785F (GRH-F7F | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 150% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | ||||||||||||||
![]() | TLP781F (D4-TP7, F) | - | ![]() | 1848 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -55 ° C ~ 110 ° C. | Пефер | 4-SMD, крхло | TLP781F | ТОК | 1 | Траншистор | 4-SMD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP781F (D4-TP7F) Tr | Ear99 | 8541.49.8000 | 2000 | 50 май | 2 мкс, 3 мкс | 80 | 1,15 В. | 60 май | 5000 дней | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | ||||||||||||||
TLP5754H (D4TP4, e | 2.0800 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 125 ° C. | Пефер | 6 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) | TLP5754 | Оптишая | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 6 ТАКОГО | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1500 | 4а, 4а | 4 а | 15ns, 8ns | 1,55 | 20 май | 5000 дней | 35 К/мкс | 150NS, 150NS | 50NS | 15 В ~ 30 | ||||||||||||||||
TLP5752H (D4TP4, e | 1.9700 | ![]() | 6558 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 125 ° C. | Пефер | 6 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) | TLP5752 | Оптишая | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 6 ТАКОГО | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1500 | 2,5А, 2,5а | 2.5A | 15ns, 8ns | 1,55 | 20 май | 5000 дней | 35 К/мкс | 150NS, 150NS | 50NS | 15 В ~ 30 | ||||||||||||||||
TLP5754H (TP4, e | 2.0600 | ![]() | 1648 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 125 ° C. | Пефер | 6 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) | TLP5754 | Оптишая | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 6 ТАКОГО | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1500 | 4а, 4а | 4 а | 15ns, 8ns | 1,55 | 20 май | 5000 дней | 35 К/мкс | 150NS, 150NS | 50NS | 15 В ~ 30 | ||||||||||||||||
TLX9304 (TPL, ф | 3.6000 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | Автомобиль, AEC-Q101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 125 ° C. | Пефер | 6 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм), 5 проводников | TLX9304 | ТОК | 1 | Otkrыtый kollekцyoner | 4,5 В ~ 20. | 6 tyakowых, 5 -йлидирштва | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3000 | 15 май | - | - | 1,56 В. | 25 май | 3750vrms | 1/0 | 15 кв/мкс | 400NS, 550NS | ||||||||||||||||
![]() | TLX9185A (GBTPL, F. | 3.1500 | ![]() | 23 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 125 ° C. | Пефер | 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина | TLX9185 | ТОК | 1 | Траншистор | 6-Sop | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3000 | 50 май | 3 мкс, 5 мкс | 80 | 1,27 | 30 май | 3750vrms | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 5 мкс, 5 мкс | 400 м | Автомобиль | AEC-Q101 | |||||||||||||
TLX9378 (TPL, ф | 3.9000 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | Автомобиль, AEC-Q101 | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 125 ° C. | Пефер | 6 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм), 5 проводников | TLX9378 | ТОК | 1 | Otkrыtый kollekцyoner | 4,5 n 5,5. | 6 tyakowых, 5 -йлидирштва | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3000 | 25 май | 10 марта | 90ns, 30ns | 1,75 - | 25 май | 3750vrms | 1/0 | 15 кв/мкс | 100ns, 100ns | ||||||||||||||||
TLX9310 (TPL, ф | 3.7500 | ![]() | 11 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C. | Пефер | 6 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм), 5 проводников | TLX9310 | ТОК | 1 | ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП | 2,7 В ~ 5,5 В. | 6 tyakowых, 5 -йлидирштва | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3000 | 10 май | 5 марта / с | 11ns, 13ns | 1,55 | 8 май | 3750vrms | 1/0 | 25 кв/мкс | 250NS, 250NS | Автомобиль | AEC-Q101 | ||||||||||||||
![]() | TLP127 (FJDK-TL, U, F. | - | ![]() | 8745 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Управо | -55 ° C ~ 100 ° C. | Пефер | 6-SMD (4 свина), кргло | TLP127 | ТОК | 1 | Дэйрлингтон | 6-mfsop, 4-й лир | - | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP127 (FJDK-Tluf | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 150 май | 40 мкс, 15 мкс | 300 | 1,15 В. | 50 май | 2500vrms | 1000% @ 1MA | - | 50 мкс, 15 мкс | 1,2 В. | ||||||||||||||
![]() | TLP127 (Yask-tpl, f) | - | ![]() | 9683 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -55 ° C ~ 100 ° C. | Пефер | 6-SMD (4 свина), кргло | TLP127 | ТОК | 1 | Дэйрлингтон | 6-mfsop, 4-й лир | - | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP127 (YASK-TPLF) Tr | Ear99 | 8541.49.8000 | 3000 | 150 май | 40 мкс, 15 мкс | 300 | 1,15 В. | 50 май | 2500vrms | 1000% @ 1MA | - | 50 мкс, 15 мкс | 1,2 В. | ||||||||||||||
![]() | TLP127 (MAT-TPL, F) | - | ![]() | 1425 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -55 ° C ~ 100 ° C. | Пефер | 6-SMD (4 свина), кргло | TLP127 | ТОК | 1 | Дэйрлингтон | 6-mfsop, 4-й лир | - | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP127 (MAT-TPLF) Tr | Ear99 | 8541.49.8000 | 3000 | 150 май | 40 мкс, 15 мкс | 300 | 1,15 В. | 50 май | 2500vrms | 1000% @ 1MA | - | 50 мкс, 15 мкс | 1,2 В. | ||||||||||||||
![]() | TLP127 (MBSSM-TPL, F. | - | ![]() | 4766 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -55 ° C ~ 100 ° C. | Пефер | 6-SMD (4 свина), кргло | TLP127 | ТОК | 1 | Дэйрлингтон | 6-mfsop, 4-й лир | - | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP127 (MBSSM-TPLFTR | Ear99 | 8541.49.8000 | 3000 | 150 май | 40 мкс, 15 мкс | 300 | 1,15 В. | 50 май | 2500vrms | 1000% @ 1MA | - | 50 мкс, 15 мкс | 1,2 В. | ||||||||||||||
![]() | TLP127 (tee-tpls, f) | - | ![]() | 6416 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -55 ° C ~ 100 ° C. | Пефер | 6-SMD (4 свина), кргло | TLP127 | ТОК | 1 | Дэйрлингтон | 6-mfsop, 4-й лир | - | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP127 (TEE-TPLSF) Tr | Ear99 | 8541.49.8000 | 3000 | 150 май | 40 мкс, 15 мкс | 300 | 1,15 В. | 50 май | 2500vrms | 1000% @ 1MA | - | 50 мкс, 15 мкс | 1,2 В. | ||||||||||||||
![]() | TLP127 (del-tpl, f) | - | ![]() | 3952 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -55 ° C ~ 100 ° C. | Пефер | 6-SMD (4 свина), кргло | TLP127 | ТОК | 1 | Дэйрлингтон | 6-mfsop, 4-й лир | - | 1 (neograniчennnый) | 264-TLP127 (DEL-TPLF) Tr | Ear99 | 8541.49.8000 | 3000 | 150 май | 40 мкс, 15 мкс | 300 | 1,15 В. | 50 май | 2500vrms | 1000% @ 1MA | - | 50 мкс, 15 мкс | 1,2 В. |
Средний объем RFQ
Стандартный продукт
Мировые производители
На складе