SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Тип входа Технология Утверждающее агентство Количество вариантов Тип выхода Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Ток — выходной высокий, низкий Ток — выход/канал Скорость передачи данных Ток – пиковый выход Время подъема/спада (типичное) Напряжение - Выход (Макс.) Напряжение — прямое (Vf) (тип.) Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) Напряжение – изоляция Напряжение – выключенное состояние Текущее состояние включения (It (RMS)) (Макс.) Ток — удержание (Ih) Входы — сторона 1/сторона 2 Переходная устойчивость к синфазному режиму (мин.) Задержка распространения tpLH/tpHL (Макс.) Искажение угла импульса (макс.) Напряжение – выходное питание Текущий коэффициент передачи (мин.) Текущий коэффициент передачи (макс.) Время включения/выключения (типовое) Насыщенность Vce (макс.) Схема пересечения нулей Статическое dV/dt (мин) Ток — триггер светодиода (Ift) (макс.) Время включения
TLP781F(D4GRL-F7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4GRL-F7,F -
запросить цену
ECAD 7446 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Устаревший -55°С ~ 110°С Сквозное отверстие 4-ДИП (0,400", 10,16 мм) ТЛП781Ф округ Колумбия 1 Транзистор 4-ДИП скачать 1 (без блокировки) 264-TLP781F(D4GRL-F7F EAR99 8541.49.8000 100 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,15 В 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 100% при 5 мА 200% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP372(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП372(ЛФ1,Ф) -
запросить цену
ECAD 9841 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Трубка Устаревший ТЛП372 - 1 (без блокировки) 264-ТЛП372(ЛФ1Ф) EAR99 8541.49.8000 50
TLP292-4(LA-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(LA-TR,E 1,8100
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 16-SOIC (ширина 0,179 дюйма, 4,55 мм) ТЛП292 переменный ток, постоянный ток 4 Транзистор 16-СО скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 2000 г. 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 50% при 500 мкА 600% при 500 мкА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
TLP2261(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2261(D4-LF4,E 3.0200
запросить цену
ECAD 2462 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -40°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) ТЛП2261 округ Колумбия 2 Push-Pull, Тотемный столб 2,7 В ~ 5,5 В 8-СО скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) TLP2261(D4-LF4E EAR99 8541.49.8000 75 10 мА 15 МБд 3нс, 3нс 1,5 В 10 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 2/0 20 кВ/мкс 80нс, 80нс
TLP9114B(NIEC-TL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9114B(NIEC-TL,F -
запросить цену
ECAD 6623 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Масса Устаревший - 264-ТЛП9114Б(НИЭК-ТЛФ EAR99 8541.49.8000 1
6N138(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage 6Н138(ТП1,Ф) -
запросить цену
ECAD 1363 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный 0°С ~ 70°С Поверхностный монтаж 8-СМД, Крыло Чайки 6Н138 округ Колумбия 1 Дарлингтон с базой 8-СМД скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 1500 60 мА - 18В 1,65 В 20 мА 2500 В (среднеквадратичное значение) 300% при 1,6 мА - 1 мкс, 4 мкс -
TLP3906(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3906(TPR,E 0,6576
запросить цену
ECAD 1096 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 4 вывода ТЛП3906 округ Колумбия 1 Фотоэлектрический 6-СОП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 3000 12 мкА - 1,65 В 30 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) - - 200 мкс, 300 мкс -
TLP291-4(TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП291-4(ТП,Э) 1,4600
запросить цену
ECAD 2543 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 16-SOIC (ширина 0,179 дюйма, 4,55 мм) ТЛП291 округ Колумбия 4 Транзистор 16-СО скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 2000 г. 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,2 В 50 мА 2500 В (среднеквадратичное значение) 50% при 5 мА 400% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP350H(F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП350Х(Ф) 1,9900
запросить цену
ECAD 7118 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -40°С ~ 125°С Сквозное отверстие 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) ТЛП350 Оптическая связь 1 8-ДИП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 50 3мА, 3мА 2,5 А 15 нс, 8 нс 1,55 В 20 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 20 кВ/мкс 500 нс, 500 нс 350 нс 15 В ~ 30 В
TLP250(D4MBINVT5,F Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП250(Д4МБИНВТ5,Ф -
запросить цену
ECAD 7345 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Лента и катушка (TR) Устаревший ТЛП250 - 1 (без блокировки) 264-ТЛП250(Д4МБИНВТ5ФТР EAR99 8541.49.8000 1500
TLP785F(GR-TP7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(GR-TP7,F -
запросить цену
ECAD 3565 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 4-СМД, Крыло Чайки ТЛП785 округ Колумбия 1 Транзистор 4-СМД скачать 1 (без блокировки) 264-TLP785F(GR-TP7FTR EAR99 8541.49.8000 2000 г. 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,15 В 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 100% при 5 мА 300% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP628M(GB-TP5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M(GB-TP5,E 0,9200
запросить цену
ECAD 8716 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 4-СМД, Крыло Чайки ТЛП628 округ Колумбия 1 Транзистор 4-СМД скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 1500 50 мА 5,5 мкс, 10 мкс 350В 1,25 В 50 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 100% при 5 мА 600% при 5 мА 10 мкс, 10 мкс 400мВ
TLP701HF(D4MBSTP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP701HF(D4MBSTP,F -
запросить цену
ECAD 7855 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Последняя покупка -40°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (ширина 0,268 дюйма, 6,80 мм) Оптическая связь CSA, cUL, UL, VDE 2 6-СДИП скачать 1 400 мА, 400 мА 600 мА 50 нс, 50 ​​нс 1,57 В 25 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 20 кВ/мкс 700 нс, 700 нс 500 нс 10 В ~ 30 В
TLP627M(LF1,E(OX4 Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M(LF1,E(OX4 -
запросить цену
ECAD 6561 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 4-СМД, Крыло Чайки ТЛП627 округ Колумбия 1 Дарлингтон 4-СМД - 1 (без блокировки) 264-TLP627M(LF1E(OX4 EAR99 8541.49.8000 25 150 мА 60 мкс, 30 мкс 300В 1,25 В 50 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 1000% при 1 мА - 110 мкс, 30 мкс 1,2 В
TLP3902(TPR,U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3902(TPR,U,F) 1,0712
запросить цену
ECAD 9472 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 6-SMD (4 вывода), крыло чайки ТЛП3902 округ Колумбия 1 Фотоэлектрический 6-МФСОП, 4 отведения скачать Соответствует RoHS 3 (168 часов) 5А991 8541.49.8000 3000 5мкА - 1,15 В 50 мА 2500 В (среднеквадратичное значение) - - 600 мкс, 2 мс -
TLP570(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП570(ТП1,Ф) -
запросить цену
ECAD 9827 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Лента и катушка (TR) Устаревший ТЛП570 - 1 (без блокировки) 264-ТЛП570(ТП1Ф)ТР EAR99 8541.49.8000 1500
TLP184(TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP184(ТПР,Э) -
запросить цену
ECAD 2556 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -55°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 4 вывода ТЛП184 переменный ток, постоянный ток 1 Транзистор 6-СОП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 3000 50 мА 5 мкс, 9 мкс 80В 1,25 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 50% при 5 мА 400% при 5 мА 9 мкс, 9 мкс 300мВ
TLP155(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP155(TPR,E -
запросить цену
ECAD 6399 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,179 дюйма, ширина 4,55 мм), 5 выводов ТЛП155 Оптическая связь - 1 6-СО, 5 выводов - Соответствует RoHS 1 (без блокировки) TLP155(TPRE EAR99 8541.49.8000 3000 - 600 мА 35 нс, 15 нс 1,57 В 20 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 20 кВ/мкс 200 нс, 200 нс 50 нс 10 В ~ 30 В
TLP2955(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2955(Д4,Ф) -
запросить цену
ECAD 2734 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 125°С Сквозное отверстие 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) ТЛП2955 округ Колумбия 1 Push-Pull, Тотемный столб 3В ~ 20В 8-ДИП скачать 264-ТЛП2955(Д4Ф) EAR99 8541.49.8000 1 25 мА 5 Мбит/с 16нс, 14нс 1,55 В 25 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 1/0 20 кВ/мкс 250 нс, 250 нс
TLP131(GB-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP131(ГБ-ТПР,Ф) -
запросить цену
ECAD 8616 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Разрезанная лента (CT) Устаревший -55°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 5 выводов ТЛП131 округ Колумбия 1 Транзистор с базой 6-МФСОП, 5 отведений скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 3000 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,15 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 100% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP781F(D4GB-TP7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4GB-TP7,F -
запросить цену
ECAD 6460 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 4-СМД, Крыло Чайки ТЛП781Ф округ Колумбия 1 Транзистор 4-СМД скачать 1 (без блокировки) 264-TLP781F(D4GB-TP7FTR EAR99 8541.49.8000 2000 г. 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,15 В 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 100% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP266J(T7,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J(T7,E -
запросить цену
ECAD 5852 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -40°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 4 вывода ТЛП266 CQC, CSA, cUL, UL, VDE 1 Триак 6-СОП - 1 (без блокировки) 264-TLP266J(T7E EAR99 8541.49.8000 125 1,27 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 600 В 70 мА 600 мкА Да 200 В/мкс 10 мА 30 мкс
TLP5702(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702(Е 1.4000
запросить цену
ECAD 100 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -40°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) ТЛП5702 округ Колумбия 1 Push-Pull, Тотемный столб 15 В ~ 30 В 6-СО скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 125 1 А - 15 нс, 8 нс 1,55 В 20 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 1/0 20 кВ/мкс 200 нс, 200 нс
TLP3083F(D4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3083F(D4,Ф 1,7400
запросить цену
ECAD 50 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -40°С ~ 100°С Сквозное отверстие 6-DIP (0,400 дюймов, 10,16 мм), 5 выводов CQC, CSA, cUL, UL, VDE 1 Триак 6-ДИП скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 50 1,15 В 50 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 800 В 100 мА 600 мкА Да 2 кВ/мкс (тип.) 5мА -
TLP531(GR-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531(GR-LF2,Ф) -
запросить цену
ECAD 8920 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Трубка Устаревший ТЛП531 - 1 (без блокировки) 264-ТЛП531(ГР-ЛФ2Ф) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2761(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761(D4-LF4,E -
запросить цену
ECAD 7269 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) ТЛП2761 переменный ток, постоянный ток 1 2,7 В ~ 5,5 В 6-СО скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) TLP2761(D4-LF4E EAR99 8541.49.8000 1500 10 мА 15 МБд 3нс, 3нс 1,5 В 10 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 1/0 20 кВ/мкс 80нс, 80нс
TLP597J(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP597J(Ф) -
запросить цену
ECAD 7997 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший - - - ТЛП597 - - - - Соответствует RoHS Непригодный EAR99 8541.49.8000 50 - - - - - - - - -
4N32(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4Н32(КОРОТКИЙ,Ф) -
запросить цену
ECAD 4608 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Устаревший -55°С ~ 100°С Сквозное отверстие 6-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) 4Н32 округ Колумбия 1 Дарлингтон с базой 6-ДИП скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 50 100 мА - 30 В 1,15 В 80 мА 2500 В (среднеквадратичное значение) 500% при 10 мА - 5 мкс, 100 мкс (макс.)
TLP504A(F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП504А(Ф) -
запросить цену
ECAD 8450 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Устаревший -55°С ~ 100°С Сквозное отверстие 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) ТЛП504 округ Колумбия 2 Транзистор 8-ДИП скачать 1 (без блокировки) ТЛП504АФ EAR99 8541.49.8000 50 50 мА 2 мкс, 3 мкс 55В 1,15 В 60 мА 2500 В (среднеквадратичное значение) 50% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP5702(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702(D4-TP,E -
запросить цену
ECAD 9095 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) ТЛП5702 округ Колумбия 1 Push-Pull, Тотемный столб 15 В ~ 30 В 6-СО скачать 1 (без блокировки) 264-ТЛП5702(Д4-ТПЭТР EAR99 8541.49.8000 1500 50 мА - 15 нс, 8 нс 1,55 В 20 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 1/0 20 кВ/мкс 200 нс, 200 нс
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе