SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Тип входа Технология Утверждающее агентство Количество вариантов Тип выхода Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Ток — выходной высокий, низкий Ток — выход/канал Скорость передачи данных Ток – пиковый выход Время подъема/спада (типичное) Напряжение - Выход (Макс.) Напряжение — прямое (Vf) (тип.) Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) Напряжение – изоляция Входы — сторона 1/сторона 2 Переходная устойчивость к синфазному режиму (мин.) Задержка распространения tpLH/tpHL (Макс.) Искажение угла импульса (макс.) Напряжение – выходное питание Текущий коэффициент передачи (мин.) Текущий коэффициент передачи (макс.) Время включения/выключения (типовое) Насыщенность Vce (макс.)
TLP2719(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2719(LF4,E -
запросить цену
ECAD 9289 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -40°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) ТЛП2719 округ Колумбия 1 Транзистор с базой 6-СО скачать 1 (без блокировки) 264-TLP2719(LF4E EAR99 8541.49.8000 125 8мА - 20 В 1,6 В 25 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 20% при 16 мА 55% при 16 мА - -
TLP5774H(D4LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5774H(D4LF4,E 2,6800
запросить цену
ECAD 5798 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -40°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) ТЛП5774 Эмкостная связь CQC, CSA, cUL, UL, VDE 1 6-СО скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 125 4А, 4А 56нс, 25нс 1,65 В 8 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 35 кВ/мкс 150 нс, 150 нс 50 нс 10 В ~ 30 В
TLP781F(D4GRT7,F,W Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4GRT7,F,W -
запросить цену
ECAD 7022 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -55°С ~ 110°С Сквозное отверстие 4-ДИП (0,400", 10,16 мм) ТЛП781Ф округ Колумбия 1 Транзистор 4-ДИП скачать 1 (без блокировки) 264-TLP781F(D4GRT7FWTR EAR99 8541.49.8000 2000 г. 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,15 В 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 100% при 5 мА 300% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP5702(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702(TP,E 1,4400
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) ТЛП5702 округ Колумбия 1 Push-Pull, Тотемный столб 15 В ~ 30 В 6-СО скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 1500 1 А - 15 нс, 8 нс 1,55 В 20 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 1/0 20 кВ/мкс 200 нс, 200 нс
TLP785(D4GH-F6,F Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП785(Д4ГХ-Ф6,Ф -
запросить цену
ECAD 8482 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -55°С ~ 110°С Сквозное отверстие 4-DIP (0,300 дюймов, 7,62 мм) ТЛП785 округ Колумбия 1 Транзистор 4-ДИП скачать 1 (без блокировки) 264-TLP785(D4GH-F6F EAR99 8541.49.8000 100 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,15 В 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 50% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP731(D4-GB-LF4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP731(D4-GB-LF4,F -
запросить цену
ECAD 2820 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Трубка Устаревший ТЛП731 - 1 (без блокировки) 264-TLP731(D4-GB-LF4F EAR99 8541.49.8000 50
TLP759F(D4IMF4,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759F(D4IMF4,J,F -
запросить цену
ECAD 4027 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -55°С ~ 100°С Сквозное отверстие 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) ТЛП759 округ Колумбия 1 Транзистор с базой 8-ДИП скачать 264-TLP759F(D4IMF4JF EAR99 8541.49.8000 1 - - - 1,65 В 25 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 20% при 16 мА - - -
TLP293(BLL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293(BLL-TPL,E 0,5100
запросить цену
ECAD 3760 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 4-SOIC (ширина 0,179 дюйма, 4,55 мм) ТЛП293 округ Колумбия 1 Транзистор 4-СО скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 2500 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 200% при 500 мкА 400% при 500 мкА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
TLP705A(F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП705А(Ф) -
запросить цену
ECAD 8970 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Устаревший -40°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (ширина 0,268 дюйма, 6,80 мм) ТЛП705 Оптическая связь кУЛ, УЛ 1 6-СДИП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 100 400 мА, 400 мА 600 мА 35 нс, 15 нс 1,57 В 25 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 20 кВ/мкс 170 нс, 170 нс 50 нс 10 В ~ 30 В
TLP513(F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП513(Ф) -
запросить цену
ECAD 5066 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Трубка Устаревший ТЛП513 - 1 (без блокировки) 264-ТЛП513(Ф) EAR99 8541.49.8000 50
TLP759(D4MB-F2,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(D4MB-F2,J,F -
запросить цену
ECAD 2825 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -55°С ~ 100°С Сквозное отверстие 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) округ Колумбия 1 Транзистор с базой 8-ДИП скачать 264-TLP759(D4MB-F2JF EAR99 8541.49.8000 1 8мА - 20 В 1,65 В 25 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 20% при 16 мА - - -
TLP388(D4GB-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP388(D4GB-TR,E 0,7800
запросить цену
ECAD 7489 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 4 вывода ТЛП388 округ Колумбия 1 Транзистор 6-СО, 4 вывода скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 3000 50 мА 2 мкс, 3 мкс 350В 1,25 В 50 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 100% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP351(D4,Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП351(Д4,З,Ф) -
запросить цену
ECAD 5056 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Трубка Устаревший ТЛП351 - 1 (без блокировки) 264-ТЛП351(Д4ЗФ) EAR99 8541.49.8000 50
TLP104(E) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП104(Е) 1,5100
запросить цену
ECAD 9716 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -40°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,179 дюйма, ширина 4,55 мм), 5 выводов ТЛП104 округ Колумбия 1 Открытый коллектор 4,5 В ~ 30 В 6-СО, 5 выводов скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 125 8 мА 1 Мбит/с - 1,61 В 25 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 1/0 15 кВ/мкс 550 нс, 400 нс
TLP718(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП718(Д4,Ф) -
запросить цену
ECAD 5191 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (ширина 0,268 дюйма, 6,80 мм) ТЛП718 округ Колумбия 1 Push-Pull, Тотемный столб 4,5 В ~ 20 В 6-СДИП «Крыло чайки» скачать 264-ТЛП718(Д4Ф) EAR99 8541.49.8000 1 25 мА 5 Мбит/с 30 нс, 30 нс 1,6 В 20 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 1/0 10 кВ/мкс 250 нс, 250 нс
TLP127(U,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП127(У,Ф) -
запросить цену
ECAD 7414 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Устаревший -55°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 6-SMD (4 вывода), крыло чайки ТЛП127 округ Колумбия 1 Дарлингтон 6-МФСОП, 4 отведения - 1 (без блокировки) 264-ТЛП127(УФ) EAR99 8541.49.8000 150 150 мА 40 мкс, 15 мкс 300В 1,15 В 50 мА 2500 В (среднеквадратичное значение) 1000% при 1 мА - 50 мкс, 15 мкс 1,2 В
TLP5701(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5701(D4,E 1,2400
запросить цену
ECAD 498 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -40°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) ТЛП5701 округ Колумбия 1 Push-Pull, Тотемный столб 10 В ~ 30 В 6-СО скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) TLP5701(D4E EAR99 8541.49.8000 125 600 мА - 50 нс, 50 ​​нс 1,57 В 25 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 1/0 20 кВ/мкс 500 нс, 500 нс
TLP759(D4KEBIMT1JF Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(D4KEBIMT1JF -
запросить цену
ECAD 7952 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -55°С ~ 100°С Сквозное отверстие 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) округ Колумбия 1 Транзистор с базой 8-ДИП скачать 264-TLP759(D4KEBIMT1JF EAR99 8541.49.8000 1 8мА - 20 В 1,65 В 25 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 20% при 16 мА - - -
TLP2531(MBS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531(МБС,Ф) -
запросить цену
ECAD 6376 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -55°С ~ 100°С Сквозное отверстие 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) ТЛП2531 округ Колумбия 2 Транзистор с базой 8-ДИП скачать 264-TLP2531(МБСФ) EAR99 8541.49.8000 1 8мА - 15 В 1,65 В 25 мА 2500 В (среднеквадратичное значение) 19% при 16 мА 30% при 16 мА 200 нс, 300 нс -
TLP292-4(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(TPR,E 1,7900
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 16-SOIC (ширина 0,179 дюйма, 4,55 мм) ТЛП292 переменный ток, постоянный ток 4 Транзистор 16-СО скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 2000 г. 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 50% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
TLP331(BV-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП331(БВ-ЛФ2,Ф) -
запросить цену
ECAD 6523 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Трубка Устаревший ТЛП331 - 1 (без блокировки) 264-ТЛП331(БВ-ЛФ2Ф) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2766(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2766(ТП,Ф) -
запросить цену
ECAD 2345 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (ширина 0,268 дюйма, 6,80 мм) округ Колумбия 1 Push-Pull, Тотемный столб 2,7 В ~ 5,5 В 6-СДИП «Крыло чайки» скачать 264-ТЛП2766(ТПФ) EAR99 8541.49.8000 1 10 мА 20 Мбит/с 15 нс, 15 нс 1,55 В 25 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 1/0 20 кВ/мкс 55нс, 55нс
TLP3906(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3906(TPR,E 0,6576
запросить цену
ECAD 1096 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 4 вывода ТЛП3906 округ Колумбия 1 Фотоэлектрический 6-СОП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 3000 12 мкА - 1,65 В 30 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) - - 200 мкс, 300 мкс -
TLP2066(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2066(ТПЛ,Ф) -
запросить цену
ECAD 9257 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 5 выводов ТЛП2066 округ Колумбия 1 Push-Pull, Тотемный столб 3 В ~ 3,6 В 6-МФСОП, 5 отведений - 264-ТЛП2066(ТПЛФ) EAR99 8541.49.8000 1 10 мА 20 Мбит/с 5нс, 4нс 1,6 В 25 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 1/0 15 кВ/мкс 60 нс, 60 нс
TLP185(Y-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(Y-TPL,SE 0,6100
запросить цену
ECAD 4922 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 4 вывода ТЛП185 округ Колумбия 1 Транзистор 6-СОП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 3000 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 50% при 5 мА 150% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
TLP105(DPW-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP105(DPW-TPL,Ф) -
запросить цену
ECAD 6810 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 5 выводов ТЛП105 округ Колумбия 1 Push-Pull, Тотемный столб 4,5 В ~ 20 В 6-МФСОП, 5 отведений скачать 264-TLP105(DPW-TPLF) EAR99 8541.49.8000 1 25 мА 5 Мбит/с 30 нс, 30 нс 1,57 В 20 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 1/0 10 кВ/мкс 250 нс, 250 нс
TLP759(D4FA1T1SJ,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(D4FA1T1SJ,F -
запросить цену
ECAD 4617 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -55°С ~ 100°С Сквозное отверстие 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) ТЛП759 округ Колумбия 1 Транзистор с базой 8-ДИП скачать 264-TLP759(D4FA1T1SJF EAR99 8541.49.8000 1 8мА - - 1,65 В 25 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 20% при 16 мА - - -
TLP9104A(FD-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104A(ФД-ТЛ,Ф) -
запросить цену
ECAD 2021 год 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Масса Устаревший - 264-ТЛП9104А(ФД-ТЛФ) EAR99 8541.49.8000 1
TLP781(TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП781(ТР6,Ф) -
запросить цену
ECAD 3754 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 4-СМД, Крыло Чайки ТЛП781 округ Колумбия 1 Транзистор 4-СМД скачать 1 (без блокировки) 264-ТЛП781(ТП6Ф)ТР EAR99 8541.49.8000 2000 г. 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,15 В 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 50% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP5752(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5752(TP,E 2.5800
запросить цену
ECAD 7033 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) ТЛП5752 Оптическая связь CQC, CSA, cUL, UL 1 6-СО скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 1500 2,5 А, 2,5 А 2,5 А 15 нс, 8 нс 1,55 В 20 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 35 кВ/мкс 150 нс, 150 нс 50 нс 15 В ~ 30 В
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе