SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Тела Агентево Колист. Каналов Втипа Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Ток - Ток - Скороп ТОК - ПИКОВОВ Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip На Current - On State (it (rms)) (MMaks) Current - Hold (ih) Vхodы - Стерона 1/СОЗОРОНА 2 Обжильжим Я ИСКОНЕЕ На Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nasseniee (mmaks) САМАМА Статистский DV/DT (мин) Ток - С. Klючite -wreman Оинка Кваликака
TLP781F(D4FUNBLL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (d4funbll, f -
RFQ
ECAD 3703 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Управо -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) TLP781F ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP781F (D4funbllf Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 60 май 5000 дней 200% @ 5MA 400% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLP781F(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (BL, F) -
RFQ
ECAD 2145 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Управо -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) TLP781F ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP781F (BLF) Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 60 май 5000 дней 200% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLP127(MAT-M-TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (MAT-M-TPL, f -
RFQ
ECAD 8990 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD (4 свина), кргло TLP127 ТОК 1 Дэйрлингтон 6-mfsop, 4-й лир - 1 (neograniчennnый) 264-TLP127 (MAT-M-TPLFTR Ear99 8541.49.8000 3000 150 май 40 мкс, 15 мкс 300 1,15 В. 50 май 2500vrms 1000% @ 1MA - 50 мкс, 15 мкс 1,2 В.
TLP127(TOKUD-TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (Tokud-tpl, f -
RFQ
ECAD 2831 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD (4 свина), кргло TLP127 ТОК 1 Дэйрлингтон 6-mfsop, 4-й лир - 1 (neograniчennnый) 264-TLP127 (Tokud-Tplftr Ear99 8541.49.8000 3000 150 май 40 мкс, 15 мкс 300 1,15 В. 50 май 2500vrms 1000% @ 1MA - 50 мкс, 15 мкс 1,2 В.
TLP127(CANO-U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (Cano-U, F) -
RFQ
ECAD 6413 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD (4 свина), кргло TLP127 ТОК 1 Дэйрлингтон 6-mfsop, 4-й лир - 1 (neograniчennnый) 264-TLP127 (CANO-UF) Ear99 8541.49.8000 1 150 май 40 мкс, 15 мкс 300 1,15 В. 50 май 2500vrms 1000% @ 1MA - 50 мкс, 15 мкс 1,2 В.
TLP127(NS-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (NS-TPL, F) -
RFQ
ECAD 2554 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD (4 свина), кргло TLP127 ТОК 1 Дэйрлингтон 6-mfsop, 4-й лир - 1 (neograniчennnый) 264-TLP127 (NS-TPLF) Tr Ear99 8541.49.8000 3000 150 май 40 мкс, 15 мкс 300 1,15 В. 50 май 2500vrms 1000% @ 1MA - 50 мкс, 15 мкс 1,2 В.
TLX9905(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9905 (TPL, ф 4.0500
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLX9905 ТОК 1 Фото -доктерский 6-Sop СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 - - 1,65 В. 30 май 3750vrms - - 300 мкс, 1 мс - Автомобиль AEC-Q101
TLX9906(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9906 (TPL, ф 4.0500
RFQ
ECAD 9 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLX9906 ТОК 1 Фото -доктерский 6-Sop СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 - - 1,65 В. 30 май 3750vrms - - 200 мкс, 200 мкс - Автомобиль AEC-Q101
TLP351(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP351 (TP1, F) 1.7300
RFQ
ECAD 6243 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло TLP351 Оптишая - 1 8-SMD СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 400 май, 400 мая 600 май 50ns, 50ns 1,55 20 май 3750vrms 10 кв/мкс 700NS, 700NS - 10 В ~ 30 В.
TLP291(GB,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 (GB, E) -
RFQ
ECAD 3061 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм) TLP291 ТОК 1 Траншистор 4 thacogogo СКАХАТА Ear99 8541.49.8000 175 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,25 50 май 3750vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 300 м
TLP360J(D4-CANO) Toshiba Semiconductor and Storage TLP360J (D4-Cano) -
RFQ
ECAD 8335 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) TLP360 CQC, CUL, UL, VDE 1 Триак 4-Dip - 264-TLP360J (D4-CANO) Ear99 8541.49.8000 1 1,15 В. 50 май 5000 дней 600 100 май 1MA Не 500 v/mks (typ) 10 май 30 мкс
TLP525G(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP525G (LF1, F) -
RFQ
ECAD 3080 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD (0,300 ", 7,62 ММ) TLP525 CSA, CUL, UL 1 Триак 4-SMD СКАХАТА 264-TLP525G (LF1F) Ear99 8541.49.8000 1 1,15 В. 50 май 2500vrms 400 100 май 600 мк Не 200 -мкс 10 май -
TLP190B(TPL,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP190B (TPL, U, C, F) -
RFQ
ECAD 7752 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 6-SMD (4 свина), кргло TLP190 ТОК 1 Фото -доктерский 6-mfsop, 4-й лир СКАХАТА 264-tlp190b (tplucf) Ear99 8541.49.8000 1 12 Мка - 1,4 В. 50 май 2500vrms - - 200 мкс, 1 мс -
TLX9291(FDKGBTLF(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9291 (fdkgbtlf (o -
RFQ
ECAD 7115 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * МАССА Управо - 264-TLX9291 (FDKGBTLF (o Ear99 8541.49.8000 1
TLP5701(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5701 (TP4, e 1.3600
RFQ
ECAD 2161 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) TLP5701 Оптишая CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 6 ТАКОГО СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 400 май, 400 мая 600 май 50ns, 50ns 1,57 25 май 5000 дней 20 кв/мкс 500NS, 500NS 350ns 10 В ~ 30 В.
TLP3083F(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3083F (ф 1.7400
RFQ
ECAD 44 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-dip (0,400 ", 10,16 мм), 5 Свиньдов CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 Триак 6-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP3083F (ф Ear99 8541.49.8000 50 1,15 В. 50 май 5000 дней 800 В 100 май 600 мк В дар 2 кв/мкс (тип) 5 май -
TLP716F(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP716F (F) -
RFQ
ECAD 7837 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SOIC (0,268 дюйма, Ирина 6,80 мм) ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 4,5 n 5,5. 6-Sdip Gull Wing СКАХАТА 264-tlp716f (f) Ear99 8541.49.8000 1 10 май 15 марта 15NS, 15NS 1,65 В. 20 май 5000 дней 1/0 10 кв/мкс 75ns, 75ns
TLP9118(MBHA-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9118 (MBHA-TL, F) -
RFQ
ECAD 4507 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * МАССА Управо - 264-TLP9118 (MBHA-TLF) Ear99 8541.49.8000 1
TLP701A(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP701A (D4-TP, F) -
RFQ
ECAD 8536 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SOIC (0,268 дюйма, Ирина 6,80 мм) TLP701 Оптишая CSA, CUL, UL, VDE 1 6-Sdip Gull Wing СКАХАТА 264-TLP701A (D4-TPF) Ear99 8541.49.8000 1 400 май, 400 мая 600 май 50ns, 50ns 1,57 25 май 5000 дней 20 кв/мкс 500NS, 500NS 350ns 10 В ~ 30 В.
TLP9121A(MBHAGBTLF Toshiba Semiconductor and Storage TLP9121A (MBHAGBTLF -
RFQ
ECAD 1213 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * МАССА Управо - 264-TLP9121A (MBHAGBTLF Ear99 8541.49.8000 1
TLP9148J(PSD-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9148J (PSD-TL, F) -
RFQ
ECAD 2942 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * МАССА Управо - 264-TLP9148J (PSD-TLF) Ear99 8541.49.8000 1
TLX9185(OGI-TL,F(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9185 (OGI-TL, F (O -
RFQ
ECAD 4186 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * МАССА Управо - 264-TLX9185 (OGI-TLF (o Ear99 8541.49.8000 1
TLP620-2(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2 (D4-TP1, F) -
RFQ
ECAD 7918 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло AC, DC 2 Траншистор 8-SMD СКАХАТА 264-TLP620-2 (D4-TP1F) Ear99 8541.49.8000 1 50 май 2 мкс, 3 мкс 55 1,15 В. 50 май 5000 дней 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLP701F(ABB-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP701F (ABB-TP, F) -
RFQ
ECAD 6890 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6 SOIC (0,268 дюйма, Ирина 6,80 мм) TLP701 Оптишая ТУВ 1 6-Sdip Gull Wing СКАХАТА 264-TLP701F (ABB-TPF) Ear99 8541.49.8000 1 - 600 май - - 5000 дней 10 кв/мкс 700NS, 700NS - 10 В ~ 30 В.
TLP759(D4HITIM,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (D4Hitim, J, F. -
RFQ
ECAD 2380 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-Dip СКАХАТА 264-TLP759 (D4HITIMJF Ear99 8541.49.8000 1 8 май - 20 1,65 В. 25 май 5000 дней 20% @ 16ma - - -
TLP190B(COSTPLUC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP190B (CoStpluc, f -
RFQ
ECAD 3149 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 6-SMD (4 свина), кргло TLP190 ТОК 1 Фото -доктерский 6-mfsop, 4-й лир СКАХАТА 264-TLP190B (OSTPLUCF Ear99 8541.49.8000 1 12 Мка - 1,4 В. 50 май 2500vrms - - 200 мкс, 1 мс -
TLP759(MBS-IT,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (MBS-IT, J, F) -
RFQ
ECAD 1082 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) TLP759 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 8-Dip СКАХАТА 264-TLP759 (MBS-ITJF) Ear99 8541.49.8000 1 8 май - - 1,65 В. 25 май 5000 дней 20% @ 16ma - - -
TLP358(TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP358 (TP5, F) -
RFQ
ECAD 9877 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло TLP358 ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 15 В ~ 30 8-SMD СКАХАТА 264-TLP358 (TP5F) Ear99 8541.49.8000 1 5,5 а - 17ns, 17ns 1,57 20 май 3750vrms 1/0 20 кв/мкс 500NS, 500NS
TLP626(BV-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 (BV-LF2, F) -
RFQ
ECAD 9710 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) TLP626 AC, DC 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА 264-TLP626 (BV-LF2F) Ear99 8541.49.8000 1 50 май 8 мкс, 8 мкс 55 1,15 В. 60 май 5000 дней 200% @ 1MA 1200% @ 1MA 10 мкс, 8 мкс 400 м
TLX9185(TOJ2GBTF(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9185 (TOJ2GBTF (o -
RFQ
ECAD 3905 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLX9185 ТОК 1 Траншистор 6-Sop - 264-TLX9185 (TOJ2GBTF (o Ear99 8541.49.8000 1 50 май 3 мкс, 5 мкс 80 1,27 30 май 3750vrms 20% @ 5MA 600% @ 5MA 5 мкс, 5 мкс 400 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе