SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Тип входа Технология Утверждающее агентство Количество вариантов Тип выхода Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Ток — выходной высокий, низкий Ток — выход/канал Скорость передачи данных Ток – пиковый выход Время подъема/спада (типичное) Напряжение - Выход (Макс.) Напряжение — прямое (Vf) (тип.) Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) Напряжение – изоляция Напряжение – выключенное состояние Текущее состояние включения (It (RMS)) (Макс.) Ток — удержание (Ih) Входы — сторона 1/сторона 2 Переходная устойчивость к синфазному режиму (мин.) Задержка распространения tpLH/tpHL (Макс.) Искажение угла импульса (макс.) Напряжение – выходное питание Текущий коэффициент передачи (мин.) Текущий коэффициент передачи (макс.) Время включения/выключения (типовое) Насыщенность Vce (макс.) Схема пересечения нулей Статическое dV/dt (мин) Ток — триггер светодиода (Ift) (макс.) Время включения
TLP630(GB-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП630(ГБ-ТП1,Ф) -
запросить цену
ECAD 9493 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -55°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 6-СМД (0,300", 7,62 мм) переменный ток, постоянный ток 1 Транзистор с базой 6-СМД - 264-ТЛП630(ГБ-ТП1Ф) EAR99 8541.49.8000 1 50 мА 2 мкс, 3 мкс 55В 1,15 В 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 100% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP628M(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M(ГБ,Е 0,9100
запросить цену
ECAD 5715 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -55°С ~ 125°С Сквозное отверстие 4-DIP (0,300 дюймов, 7,62 мм) ТЛП628 округ Колумбия 1 Транзистор 4-ДИП скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 100 50 мА 5,5 мкс, 10 мкс 350В 1,25 В 50 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 100% при 5 мА 600% при 5 мА 10 мкс, 10 мкс 400мВ
TLP620-2(GB-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП620-2(ГБ-ТП1,Ф) -
запросить цену
ECAD 8683 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -55°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 8-СМД, Крыло Чайки ТЛП620 переменный ток, постоянный ток 2 Транзистор 8-СМД скачать 264-ТЛП620-2(ГБ-ТП1Ф) EAR99 8541.49.8000 1 50 мА 2 мкс, 3 мкс 55В 1,15 В 50 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 100% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP5212(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5212(D4-TP,E 5.4900
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) ТЛП5212 Оптическая связь CQC, CSA, cUL, UL, VDE 1 16-СО скачать EAR99 8541.49.8000 1500 2А, 2А 2,5 А 57нс, 56нс 1,67 В 25 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 25 кВ/мкс 250 нс, 250 нс 50 нс 15 В ~ 30 В
TLP105(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП105(ТПЛ,Ф) -
запросить цену
ECAD 3574 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 5 выводов ТЛП105 округ Колумбия 1 Push-Pull, Тотемный столб 4,5 В ~ 20 В 6-МФСОП, 5 отведений скачать 264-ТЛП105(ТПЛФ) EAR99 8541.49.8000 1 25 мА 5 Мбит/с 30 нс, 30 нс 1,57 В 20 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 1/0 10 кВ/мкс 250 нс, 250 нс
TLP700F(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП700Ф(Д4-ТП,Ф) -
запросить цену
ECAD 1418 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (ширина 0,268 дюйма, 6,80 мм) ТЛП700 Оптическая связь - 1 6-СДИП «Крыло чайки» скачать 264-ТЛП700Ф(Д4-ТПФ) EAR99 8541.49.8000 1 - - - 5000 В (среднеквадратичное значение) 15 кВ/мкс 500 нс, 500 нс - 15 В ~ 30 В
TLP531(BL-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531(BL-LF1,Ф) -
запросить цену
ECAD 2671 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Трубка Устаревший ТЛП531 - 1 (без блокировки) 264-ТЛП531(БЛ-ЛФ1Ф) EAR99 8541.49.8000 50
TLP358(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП358(ЛФ5,Ф) -
запросить цену
ECAD 9888 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 100°С Сквозное отверстие 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) ТЛП358 Оптическая связь CSA, cUL, UL, VDE 1 8-ДИП скачать 264-ТЛП358(ЛФ5Ф) EAR99 8541.49.8000 1 5А, 5А 17нс, 17нс 1,57 В 20 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 20 кВ/мкс 500 нс, 500 нс 250 нс 15 В ~ 30 В
TLP781(D4-TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП781(Д4-ТП6,Ф) -
запросить цену
ECAD 2044 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 4-СМД, Крыло Чайки ТЛП781 округ Колумбия 1 Транзистор 4-СМД скачать 1 (без блокировки) 264-ТЛП781(Д4-ТП6Ф)ТР EAR99 8541.49.8000 2000 г. 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,15 В 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 50% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP781F(BLL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(БЛЛ,Ф) -
запросить цену
ECAD 8371 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Устаревший -55°С ~ 110°С Сквозное отверстие 4-ДИП (0,400", 10,16 мм) ТЛП781Ф округ Колумбия 1 Транзистор 4-ДИП скачать 1 (без блокировки) 264-ТЛП781Ф(БЛЛФ) EAR99 8541.49.8000 100 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,15 В 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 200% при 5 мА 400% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP109(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP109(Е 1,2800
запросить цену
ECAD 9923 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -55°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,179 дюйма, ширина 4,55 мм), 5 выводов ТЛП109 округ Колумбия 1 Транзистор 6-СО, 5 выводов скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 5А991 8541.49.8000 125 8мА - 20 В 1,64 В 20 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 20% при 16 мА - 800 нс, 800 нс (макс.) -
TLP250(D4-LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП250(Д4-ЛФ5,Ф) -
запросить цену
ECAD 3911 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Трубка Устаревший ТЛП250 - 1 (без блокировки) 264-ТЛП250(Д4-ЛФ5Ф) EAR99 8541.49.8000 50
TLP9104(OGI-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104(ОГИ-ТЛ,Ф) -
запросить цену
ECAD 2225 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Масса Устаревший - 264-ТЛП9104(ОГИ-ТЛФ) EAR99 8541.49.8000 1
TLP3910(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3910(TP,E 3.3300
запросить цену
ECAD 2010 год 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) ТЛП3910 округ Колумбия 2 Фотоэлектрический 6-СО скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 1500 - - 24В 3,3 В 30 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) - - 300 мкс, 100 мкс -
TLP161G(IFT7,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP161G(IFT7,U,C,F -
запросить цену
ECAD 8697 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Лента и катушка (TR) Устаревший ТЛП161 - 1 (без блокировки) 264-TLP161G(IFT7UCFTR EAR99 8541.49.8000 3000
TLP716(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП716(Д4-ТП,Ф) -
запросить цену
ECAD 7993 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (ширина 0,268 дюйма, 6,80 мм) ТЛП716 округ Колумбия 1 Push-Pull, Тотемный столб 4,5 В ~ 5,5 В 6-СДИП «Крыло чайки» скачать 264-ТЛП716(Д4-ТПФ) EAR99 8541.49.8000 1 10 мА 15 МБд 15 нс, 15 нс 1,65 В 20 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 1/0 10 кВ/мкс 75нс, 75нс
TLP292(BL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292(BL-TPL,E 0,5600
запросить цену
ECAD 307 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 4-SOIC (ширина 0,179 дюйма, 4,55 мм) ТЛП292 переменный ток, постоянный ток 1 Транзистор 4-СО скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 2500 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 200% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
TLP532(FANUC1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP532(ФАНУК1,Ф) -
запросить цену
ECAD 9186 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Трубка Устаревший ТЛП532 - 1 (без блокировки) 264-ТЛП532(ФАНУК1Ф) EAR99 8541.49.8000 50
TLP531(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531(БЛ,Ф) -
запросить цену
ECAD 1240 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Трубка Устаревший ТЛП531 - 1 (без блокировки) 264-ТЛП531(БЛФ) EAR99 8541.49.8000 50
TLP734(D4GRLF5,M,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP734(D4GRLF5,M,F -
запросить цену
ECAD 6034 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Трубка Устаревший ТЛП734 - 1 (без блокировки) 264-ТЛП734(Д4ГРЛФ5МФ EAR99 8541.49.8000 50
TLP385(GRL-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(GRL-TPR,E 0,5600
запросить цену
ECAD 4446 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 4 вывода ТЛП385 округ Колумбия 1 Транзистор 6-СО, 4 вывода скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 3000 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 100% при 5 мА 200% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
TLP626(F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП626(Ф) -
запросить цену
ECAD 6179 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Устаревший -55°С ~ 100°С Сквозное отверстие 4-DIP (0,300 дюймов, 7,62 мм) ТЛП626 переменный ток, постоянный ток 1 Транзистор 4-ДИП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 100 50 мА 8 мкс, 8 мкс 55В 1,15 В 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 100% при 1 мА 1200% при 1 мА 10 мкс, 8 мкс 400мВ
TLP531(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531(GR,F) -
запросить цену
ECAD 4494 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Трубка Устаревший ТЛП531 - 1 (без блокировки) 264-ТЛП531(ГРФ) EAR99 8541.49.8000 50
TLP759(D4-LF2,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(D4-LF2,J,F) -
запросить цену
ECAD 6708 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -55°С ~ 100°С Сквозное отверстие 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) ТЛП759 округ Колумбия 1 Транзистор с базой 8-ДИП скачать 264-TLP759(D4-LF2JF) EAR99 8541.49.8000 1 8мА - - 1,65 В 25 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 20% при 16 мА - - -
TLP781F(GRH-TP7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(GRH-TP7,Ф) -
запросить цену
ECAD 8632 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 4-СМД, Крыло Чайки ТЛП781Ф округ Колумбия 1 Транзистор 4-СМД скачать 1 (без блокировки) 264-TLP781F(GRH-TP7F)TR EAR99 8541.49.8000 2000 г. 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,15 В 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 150% при 5 мА 300% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP631(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631(БЛ,Ф) -
запросить цену
ECAD 9685 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Устаревший -55°С ~ 100°С Сквозное отверстие 6-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) ТЛП631 округ Колумбия 1 Транзистор с базой 6-ДИП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 50 50 мА 2 мкс, 3 мкс 55В 1,15 В 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 200% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP785F(YH-TP7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(YH-TP7,F -
запросить цену
ECAD 5112 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 4-СМД, Крыло Чайки ТЛП785 округ Колумбия 1 Транзистор 4-СМД скачать 1 (без блокировки) 264-TLP785F(YH-TP7FTR EAR99 8541.49.8000 2000 г. 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,15 В 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 75% при 5 мА 150% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP268J(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP268J(ТПЛ,Е 0,9900
запросить цену
ECAD 2880 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 4 вывода ТЛП268 CQC, cUR, UR 1 Триак 6-СОП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 3000 1,27 В 30 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 600 В 70 мА 200 мкА (тип.) Да 500 В/мкс (тип.) 3мА 100 мкс
TLP620(F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП620(Ф) -
запросить цену
ECAD 7538 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -55°С ~ 100°С Сквозное отверстие 4-DIP (0,300 дюймов, 7,62 мм) ТЛП620 переменный ток, постоянный ток 1 Транзистор 4-ДИП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 100 50 мА 2 мкс, 3 мкс 55В 1,15 В 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 50% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP388(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP388(TPR,E 0,8000
запросить цену
ECAD 6169 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 4 вывода ТЛП388 округ Колумбия 1 Транзистор 6-СО, 4 вывода скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 3000 50 мА 2 мкс, 3 мкс 350В 1,25 В 50 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 50% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе