SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Тип входа Технология Утверждающее агентство Количество вариантов Тип выхода Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Ток — выходной высокий, низкий Ток — выход/канал Скорость передачи данных Ток – пиковый выход Время подъема/спада (типичное) Напряжение - Выход (Макс.) Напряжение — прямое (Vf) (тип.) Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) Напряжение – изоляция Напряжение – выключенное состояние Текущее состояние включения (It (RMS)) (Макс.) Ток — удержание (Ih) Входы — сторона 1/сторона 2 Переходная устойчивость к синфазному режиму (мин.) Задержка распространения tpLH/tpHL (Макс.) Искажение угла импульса (макс.) Напряжение – выходное питание Текущий коэффициент передачи (мин.) Текущий коэффициент передачи (макс.) Время включения/выключения (типовое) Насыщенность Vce (макс.) Схема пересечения нулей Статическое dV/dt (мин) Ток — триггер светодиода (Ift) (макс.) Время включения
TLP626-4(F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП626-4(Ф) -
запросить цену
ECAD 5003 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Последняя покупка -55°С ~ 100°С Сквозное отверстие 16-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) ТЛП626 переменный ток, постоянный ток 4 Транзистор 16-ДИП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 25 50 мА 8 мкс, 8 мкс 55В 1,15 В 50 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 100% при 1 мА 1200% при 1 мА 10 мкс, 8 мкс 400мВ
TLP352(F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП352(Ф) 1,9900
запросить цену
ECAD 3 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -40°С ~ 125°С Сквозное отверстие 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) ТЛП352 Оптическая связь CSA, cUL, UL 1 8-ДИП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) ТЛП352Ф EAR99 8541.49.8000 50 2А, 2А 2,5 А 15 нс, 8 нс 1,55 В 20 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 20 кВ/мкс 200 нс, 200 нс 50 нс 15 В ~ 30 В
TLP185(GB-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GB-TPL,SE 0,6100
запросить цену
ECAD 7 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 4 вывода ТЛП185 округ Колумбия 1 Транзистор 6-СОП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 3000 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 100% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
TLP785F(GRH-F7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(GRH-F7,F -
запросить цену
ECAD 1720 г. 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -55°С ~ 110°С Сквозное отверстие 4-ДИП (0,400", 10,16 мм) ТЛП785 округ Колумбия 1 Транзистор 4-ДИП скачать 1 (без блокировки) 264-TLP785F(GRH-F7F EAR99 8541.49.8000 100 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,15 В 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 150% при 5 мА 300% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
4N27(SHORT-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4Н27(КОРОТКИЙ-ТП1,Ф) -
запросить цену
ECAD 6824 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -55°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 6-СМД, Крыло Чайки 4Н27 округ Колумбия 1 Транзистор с базой 6-СМД - Соответствует RoHS 1 (без блокировки) 4Н27(КОРОТКИЙ-ТП1Ф) EAR99 8541.49.8000 1500 100 мА 2 мкс, 2 мкс 30В 1,15 В 80 мА 2500 В (среднеквадратичное значение) 20% при 10 мА - - 500мВ
TLP2710(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2710(D4-LF4,E 1,6000
запросить цену
ECAD 3036 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -40°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) ТЛП2710 округ Колумбия 1 Push-Pull, Тотемный столб 2,7 В ~ 5,5 В 6-СО скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 125 10 мА 5 МБд 11 нс, 13 нс 1,9 В (макс.) 8мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 1/0 25 кВ/мкс 250 нс, 250 нс
TLP785F(BLL-F7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(БЛЛ-Ф7,Ф -
запросить цену
ECAD 2014 год 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -55°С ~ 110°С Сквозное отверстие 4-ДИП (0,400", 10,16 мм) ТЛП785 округ Колумбия 1 Транзистор 4-ДИП скачать 1 (без блокировки) 264-ТЛП785Ф(БЛЛ-Ф7Ф EAR99 8541.49.8000 100 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,15 В 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 200% при 5 мА 400% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP350(D4-LF1,Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП350(Д4-ЛФ1,З,Ф) -
запросить цену
ECAD 5424 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Трубка Устаревший ТЛП350 - 1 (без блокировки) 264-ТЛП350(Д4-ЛФ1ЗФ) EAR99 8541.49.8000 50
TLP781(D4-GR-FD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(Д4-ГР-ФД,Ф) -
запросить цену
ECAD 2489 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Устаревший -55°С ~ 110°С Сквозное отверстие 4-DIP (0,300 дюймов, 7,62 мм) ТЛП781 округ Колумбия 1 Транзистор 4-ДИП скачать 1 (без блокировки) 264-ТЛП781(Д4-ГР-ФДФ) EAR99 8541.49.8000 100 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,15 В 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 100% при 5 мА 300% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP759(MBJ-IGM,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(MBJ-IGM,J,F -
запросить цену
ECAD 5035 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -55°С ~ 100°С Сквозное отверстие 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) округ Колумбия 1 Транзистор с базой 8-ДИП скачать 264-TLP759(MBJ-IGMJF EAR99 8541.49.8000 1 8мА - 20 В 1,65 В 25 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 20% при 16 мА - - -
TLP2761F(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761F(Д4,Ф) -
запросить цену
ECAD 9878 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) ТЛП2761 переменный ток, постоянный ток 1 Push-Pull, Тотемный столб 2,7 В ~ 5,5 В 6-СО - Соответствует RoHS 1 (без блокировки) ТЛП2761Ф(Д4Ф) EAR99 8541.49.8000 50 10 мА 15 МБд 3нс, 3нс 1,5 В 10 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 1/0 20 кВ/мкс 80нс, 80нс
TLP785F(GRL-F7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(ГРЛ-Ф7,Ф -
запросить цену
ECAD 9435 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -55°С ~ 110°С Сквозное отверстие 4-ДИП (0,400", 10,16 мм) ТЛП785 округ Колумбия 1 Транзистор 4-ДИП скачать 1 (без блокировки) 264-ТЛП785Ф(ГРЛ-Ф7Ф EAR99 8541.49.8000 100 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,15 В 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 100% при 5 мА 200% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP127(PSE-TPL,U,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(PSE-TPL,U,F -
запросить цену
ECAD 1770 г. 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -55°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 6-SMD (4 вывода), крыло чайки ТЛП127 округ Колумбия 1 Дарлингтон 6-МФСОП, 4 отведения - 1 (без блокировки) 264-TLP127(PSE-TPLUFTR EAR99 8541.49.8000 3000 150 мА 40 мкс, 15 мкс 300В 1,15 В 50 мА 2500 В (среднеквадратичное значение) 1000% при 1 мА - 50 мкс, 15 мкс 1,2 В
TLP531(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531(Д,Ф) -
запросить цену
ECAD 2336 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Трубка Устаревший ТЛП531 - 1 (без блокировки) 264-ТЛП531(ЯФ) EAR99 8541.49.8000 50
TLP385(Y,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(Y,E 0,5500
запросить цену
ECAD 2132 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 4 вывода ТЛП385 округ Колумбия 1 Транзистор 6-СО, 4 вывода скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) TLP385(ДА EAR99 8541.49.8000 125 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 50% при 5 мА 150% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
TLP361J(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP361J(Ф) -
запросить цену
ECAD 8284 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -40°С ~ 100°С Сквозное отверстие 4-DIP (0,300 дюймов, 7,62 мм) ТЛП361 УР 1 Триак 4-ДИП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 100 1,15 В 50 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 600 В 100 мА 600 мкА (тип.) Да 200 В/мкс 10 мА 30 мкс
TLP385(GB-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(GB-TPR,E 0,5500
запросить цену
ECAD 1431 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 4 вывода ТЛП385 округ Колумбия 1 Транзистор 6-СО, 4 вывода скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 3000 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 100% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
TLP185(BL-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(BL-TPL,SE 0,6000
запросить цену
ECAD 5987 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 4 вывода ТЛП185 округ Колумбия 1 Транзистор 6-СОП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 3000 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 200% при 5 мА 400% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
TLP9121A(HNEGBTL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9121A(HNEGBTL,F -
запросить цену
ECAD 3405 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Масса Устаревший - 264-TLP9121A(HNEGBTLF EAR99 8541.49.8000 1
TLP124(BV-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП124(БВ-ТПР,Ф) -
запросить цену
ECAD 9071 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -55°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 6-SMD (4 вывода), крыло чайки ТЛП124 округ Колумбия 1 Транзистор 6-МФСОП, 4 отведения скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 3000 50 мА 8 мкс, 8 мкс 80В 1,15 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 200% при 1 мА 1200% при 1 мА 10 мкс, 8 мкс 400мВ
6N138F Toshiba Semiconductor and Storage 6Н138Ф -
запросить цену
ECAD 4239 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Устаревший 0°С ~ 70°С Сквозное отверстие 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) 6Н138 округ Колумбия 1 Дарлингтон с базой 8-ДИП скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 50 60 мА - 18В 1,65 В 20 мА 2500 В (среднеквадратичное значение) 300% при 1,6 мА - 1 мкс, 4 мкс -
TLP2391(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2391(ТПЛ,Е 1,3100
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,179 дюйма, ширина 4,55 мм), 5 выводов ТЛП2391 переменный ток, постоянный ток 1 Push-Pull, Тотемный столб 2,7 В ~ 5,5 В 6-СО, 5 выводов скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 3000 10 мА 10 МБд 3нс, 3нс 1,55 В 10 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 1/0 20 кВ/мкс 100 нс, 100 нс
TLP626(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП626(ТП1,Ф) -
запросить цену
ECAD 1950 год 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -55°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 4-СМД, Крыло Чайки ТЛП626 переменный ток, постоянный ток 1 Транзистор 4-СМД скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 1500 50 мА 8 мкс, 8 мкс 55В 1,15 В 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 100% при 1 мА 1200% при 1 мА 10 мкс, 8 мкс 400мВ
TLP2116(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2116(ТП,Ф) -
запросить цену
ECAD 5260 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) ТЛП2116 округ Колумбия 2 Push-Pull, Тотемный столб 4,5 В ~ 5,5 В 8-СО скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 2500 10 мА 15 МБд 15 нс, 15 нс 1,65 В 20 мА 2500 В (среднеквадратичное значение) 2/0 10 кВ/мкс 75нс, 75нс
TLP250(FA-TP1S,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП250(ФА-ТП1С,Ф) -
запросить цену
ECAD 5611 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Лента и катушка (TR) Устаревший ТЛП250 - 1 (без блокировки) 264-ТЛП250(ФА-ТП1СФ)ТР EAR99 8541.49.8000 1500
TLP628MX2 Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП628MX2 -
запросить цену
ECAD 4261 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -55°С ~ 125°С Сквозное отверстие 4-DIP (0,300 дюймов, 7,62 мм) ТЛП628 округ Колумбия 1 Транзистор 4-ДИП - 1 (без блокировки) 264-TLP628MX2 EAR99 8541.49.8000 50 50 мА 5,5 мкс, 10 мкс 350В 1,25 В 50 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 50% при 5 мА 600% при 5 мА 10 мкс, 10 мкс 400мВ
TLP731(D4-BL-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP731(D4-BL-LF2,F -
запросить цену
ECAD 4488 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Трубка Устаревший ТЛП731 - 1 (без блокировки) 264-ТЛП731(Д4-БЛ-ЛФ2Ф EAR99 8541.49.8000 50
TLP385(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП385(ТПЛ,Э 0,5500
запросить цену
ECAD 5885 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 4 вывода ТЛП385 округ Колумбия 1 Транзистор 6-СО, 4 вывода скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 3000 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 50% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
TLP781F(D4-FUN,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4-FUN,Ф) -
запросить цену
ECAD 1717 г. 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Устаревший -55°С ~ 110°С Сквозное отверстие 4-ДИП (0,400", 10,16 мм) ТЛП781Ф округ Колумбия 1 Транзистор 4-ДИП скачать 1 (без блокировки) 264-ТЛП781Ф(Д4-ФУНФ) EAR99 8541.49.8000 100 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,15 В 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 50% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP292-4(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(TPR,E 1,7900
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 16-SOIC (ширина 0,179 дюйма, 4,55 мм) ТЛП292 переменный ток, постоянный ток 4 Транзистор 16-СО скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 2000 г. 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 50% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе