SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Тип входа Технология Утверждающее агентство Количество вариантов Тип выхода Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Ток — выходной высокий, низкий Ток — выход/канал Скорость передачи данных Ток – пиковый выход Время подъема/спада (типичное) Напряжение - Выход (Макс.) Напряжение — прямое (Vf) (тип.) Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) Напряжение – изоляция Напряжение – выключенное состояние Текущее состояние включения (It (RMS)) (Макс.) Ток — удержание (Ih) Входы — сторона 1/сторона 2 Скорость к синфазным переходным процессам (мин.) Задержка распространения tpLH/tpHL (Макс.) Искажение угла импульса (макс.) Напряжение – выходное питание Текущий коэффициент передачи (мин.) Текущий коэффициент передачи (макс.) Время включения/выключения (типовое) Насыщенность Vce (макс.) Схема пересечения нулей Статическое dV/dt (мин) Ток — триггер светодиода (Ift) (макс.) Время включения
TLP251(F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП251(Ф) -
запросить цену
ECAD 1349 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Устаревший -20°С ~ 85°С Сквозное отверстие 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) ТЛП251 Оптическая связь УР 1 8-ДИП - Соответствует RoHS 1 (без блокировки) ТЛП251Ф EAR99 8541.49.8000 50 100 мА, 100 мА 400 мА - 1,6 В 20 мА 2500 В (среднеквадратичное значение) 5кВ/мкс 1 мкс, 1 мкс - 10 В ~ 30 В
TLP9121A(HNEGBTL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9121A(HNEGBTL,F -
запросить цену
ECAD 3405 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Масса Устаревший - 264-TLP9121A(HNEGBTLF EAR99 8541.49.8000 1
TLP185(YH-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(YH-TPL,SE 0,4500
запросить цену
ECAD 2619 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 4 вывода ТЛП185 округ Колумбия 1 Транзистор 6-СОП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 3000 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 75% при 5 мА 150% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
TLX9185(KMGBTL,F(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9185(КМГБТЛ,Ф(О) -
запросить цену
ECAD 5179 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 4 вывода TLX9185 округ Колумбия 1 Транзистор 6-СОП - 264-TLX9185(KMGBTLF(О EAR99 8541.49.8000 1 50 мА 3 мкс, 5 мкс 80В 1,27 В 30 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 20% при 5 мА 600% при 5 мА 5 мкс, 5 мкс 400мВ
TLP161J(T5TR,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J(T5TR,U,C,F -
запросить цену
ECAD 6551 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Лента и катушка (TR) Устаревший TLP161J - 1 (без блокировки) 264-TLP161J(T5TRUCFTR EAR99 8541.49.8000 3000
TLP5774H(D4TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5774H(D4TP4,E 2,6800
запросить цену
ECAD 4338 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) ТЛП5774 Эмкостная связь CQC, CSA, cUL, UL, VDE 1 6-СО скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 1500 4А, 4А 56нс, 25нс 1,65 В 8 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 35 кВ/мкс 150 нс, 150 нс 50 нс 10 В ~ 30 В
TLP5701(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5701(D4,E 1,2400
запросить цену
ECAD 498 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -40°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) ТЛП5701 округ Колумбия 1 Push-Pull, Тотемный столб 10 В ~ 30 В 6-СО скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) TLP5701(D4E EAR99 8541.49.8000 125 600 мА - 50 нс, 50 ​​нс 1,57 В 25 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 1/0 20 кВ/мкс 500 нс, 500 нс
TLP155(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP155(TPR,E -
запросить цену
ECAD 6399 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,179 дюйма, ширина 4,55 мм), 5 выводов ТЛП155 Оптическая связь - 1 6-СО, 5 выводов - Соответствует RoHS 1 (без блокировки) TLP155(TPRE EAR99 8541.49.8000 3000 - 600 мА 35 нс, 15 нс 1,57 В 20 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 20 кВ/мкс 200 нс, 200 нс 50 нс 10 В ~ 30 В
TLP734F(D4-GR,M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734F(D4-GR,M,F) -
запросить цену
ECAD 3504 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Трубка Устаревший ТЛП734 - 1 (без блокировки) 264-ТЛП734Ф(Д4-ГРМФ) EAR99 8541.49.8000 50
TLP292-4(LA-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(LA-TR,E 1,8100
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 16-SOIC (ширина 0,179 дюйма, 4,55 мм) ТЛП292 переменный ток, постоянный ток 4 Транзистор 16-СО скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 2000 г. 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 50% при 500 мкА 600% при 500 мкА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
TLP5754(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5754(TP4,E 2.8500
запросить цену
ECAD 8639 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) ТЛП5754 Оптическая связь CQC, CSA, cUL, UL, VDE 1 6-СО скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 1500 3А, 3А 15 нс, 8 нс 1,55 В 20 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 35 кВ/мкс 150 нс, 150 нс 50 нс 15 В ~ 30 В
TLP785(D4-Y-T6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(D4-Y-T6,F -
запросить цену
ECAD 4691 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 110°С Сквозное отверстие 4-DIP (0,300 дюймов, 7,62 мм) ТЛП785 округ Колумбия 1 Транзистор 4-ДИП скачать 1 (без блокировки) 264-TLP785(D4-Y-T6FTR EAR99 8541.49.8000 2000 г. 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,15 В 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 50% при 5 мА 150% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP781F(D4-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4-LF7,Ф) -
запросить цену
ECAD 6163 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Устаревший -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 4-СМД, Крыло Чайки ТЛП781Ф округ Колумбия 1 Транзистор 4-СМД скачать 1 (без блокировки) 264-ТЛП781Ф(Д4-ЛФ7Ф) EAR99 8541.49.8000 100 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,15 В 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 50% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP628M(TP1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M(TP1,E 0,9100
запросить цену
ECAD 7614 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 4-СМД (0,300", 7,62 мм) ТЛП628 округ Колумбия 1 Транзистор 4-СМД скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 1500 50 мА 5,5 мкс, 10 мкс 350В 1,25 В 50 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 50% при 5 мА 600% при 5 мА 10 мкс, 10 мкс 400мВ
TLP748J(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP748J(Д4,Ф) 1,8600
запросить цену
ECAD 3983 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -40°С ~ 100°С Сквозное отверстие 6-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) ТЛП748 БСИ, СЕМКО, УР, VDE 1 СКР 6-ДИП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 50 1,15 В 50 мА 4000 В (среднеквадратичное значение) 600 В 150 мА 1 мА Нет 5 В/мкс 10 мА 15 мкс
TLP785(GRH,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(GRH,F -
запросить цену
ECAD 6028 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -55°С ~ 110°С Сквозное отверстие 4-DIP (0,300 дюймов, 7,62 мм) ТЛП785 округ Колумбия 1 Транзистор 4-ДИП скачать 1 (без блокировки) 264-TLP785(GRHF EAR99 8541.49.8000 100 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,15 В 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 150% при 5 мА 300% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP121(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121(GR,F) -
запросить цену
ECAD 9097 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -55°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 6-SMD (4 вывода), крыло чайки ТЛП121 округ Колумбия 1 Транзистор 6-МФСОП, 4 отведения - Соответствует RoHS 1 (без блокировки) ТЛП121(ГРФ) EAR99 8541.49.8000 50 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,15 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 100% при 5 мА 300% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP2770(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2770(Е 2.2400
запросить цену
ECAD 2675 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Активный -40°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) ТЛП2770 округ Колумбия 1 Push-Pull, Тотемный столб 2,7 В ~ 5,5 В 6-СО скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) TLP2770(Е(О EAR99 8541.49.8000 125 10 мА 20 МБд 1,3 нс, 1 нс 1,5 В 8мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 1/0 20 кВ/мкс 60 нс, 60 нс
TLP705A(F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП705А(Ф) -
запросить цену
ECAD 8970 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Устаревший -40°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (ширина 0,268 дюйма, 6,80 мм) ТЛП705 Оптическая связь кУЛ, УЛ 1 6-СДИП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 100 400 мА, 400 мА 600 мА 35 нс, 15 нс 1,57 В 25 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 20 кВ/мкс 170 нс, 170 нс 50 нс 10 В ~ 30 В
TLP290(GR-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП290(ГР-ТП,Э) -
запросить цену
ECAD 3608 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 4-SOIC (ширина 0,179 дюйма, 4,55 мм) ТЛП290 переменный ток, постоянный ток 1 Транзистор 4-СО скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 2500 50 мА 4 мкс, 7 мкс 80В 1,25 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 100% при 5 мА 300% при 5 мА 7 мкс, 7 мкс 300мВ
TLP2200(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП2200(ТП1,Ф) -
запросить цену
ECAD 5811 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 8-СМД, Крыло Чайки ТЛП2200 округ Колумбия 1 Три штата 4,5 В ~ 20 В 8-СМД скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 1500 25 мА 2,5 МБд 35 нс, 20 нс 1,55 В 10 мА 2500 В (среднеквадратичное значение) 1/0 1кВ/мкс 400 нс, 400 нс
4N35(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4Н35(КОРОТКИЙ,Ф) -
запросить цену
ECAD 2000 г. 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Устаревший -55°С ~ 100°С Сквозное отверстие 6-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) 4Н35 округ Колумбия 1 Транзистор с базой 6-ДИП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 50 100 мА - 30В 1,15 В 60 мА 2500 В (среднеквадратичное значение) 40% при 10 мА - 3 мкс, 3 мкс 300мВ
TLP9121A(ASTGBTL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9121A(ASTGBTL,F -
запросить цену
ECAD 6517 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Масса Устаревший - 264-TLP9121A(ASTGBTLF EAR99 8541.49.8000 1
TLP626(FUJI,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП626(ФУДЗИ,Ф) -
запросить цену
ECAD 6112 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -55°С ~ 100°С Сквозное отверстие 4-DIP (0,300 дюймов, 7,62 мм) переменный ток, постоянный ток 1 Транзистор 4-ДИП скачать 264-ТЛП626(ФУДЖИФ) EAR99 8541.49.8000 1 50 мА 8 мкс, 8 мкс 55В 1,15 В 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 100% при 1 мА 1200% при 1 мА 10 мкс, 8 мкс 400мВ
TLP2748(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2748(TP,E 1.1500
запросить цену
ECAD 3907 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) ТЛП2748 округ Колумбия 1 Push-Pull, Тотемный столб 4,5 В ~ 30 В 6-СО скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 1500 50 мА - 3нс, 3нс 1,55 В 15 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 1/0 30 кВ/мкс 120 нс, 120 нс
TLP627M(D4-TP5,E Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП627М(Д4-ТП5,Э 0,3090
запросить цену
ECAD 3 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 4-СМД, Крыло Чайки ТЛП627 округ Колумбия 1 Дарлингтон 4-СМД скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 1500 150 мА 60 мкс, 30 мкс 300В 1,25 В 50 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 1000% при 1 мА - 110 мкс, 30 мкс 1,2 В
TLP371(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП371(ТП1,Ф) -
запросить цену
ECAD 2803 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -55°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 6-СМД, Крыло Чайки ТЛП371 округ Колумбия 1 Дарлингтон с базой 6-СМД скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 1500 150 мА 40 мкс, 15 мкс 300В 1,15 В 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 1000% при 1 мА - 50 мкс, 15 мкс 1,2 В
TLP2704(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2704(D4,E 1,4400
запросить цену
ECAD 125 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -40°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) ТЛП2704 округ Колумбия 1 Открытый коллектор 4,5 В ~ 30 В 6-СО скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) TLP2704(D4E EAR99 8541.49.8000 125 15 мА - - 1,55 В 20 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 1/0 20 кВ/мкс 400 нс, 550 нс
TLP785(D4YH-F6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(D4YH-F6,F -
запросить цену
ECAD 8254 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -55°С ~ 110°С Сквозное отверстие 4-DIP (0,300 дюймов, 7,62 мм) ТЛП785 округ Колумбия 1 Транзистор 4-ДИП скачать 1 (без блокировки) 264-TLP785(D4YH-F6F EAR99 8541.49.8000 100 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,15 В 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 75% при 5 мА 150% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP525G(FUJT,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP525G(ФУДЖТ,Ф) -
запросить цену
ECAD 7033 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 100°С Сквозное отверстие 4-DIP (0,300 дюймов, 7,62 мм) ТЛП525 CSA, cUL, UL 1 Триак 4-ДИП скачать 264-ТЛП525Г(ФУДЖТФ) EAR99 8541.49.8000 1 1,15 В 50 мА 2500 В (среднеквадратичное значение) 400 В 100 мА 600 мкА Нет 200 В/мкс 10 мА -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе