RFQ
Категория
Связаться с нами

Тел: +86-0755-83501315

Электронная почта:sales@sic-components.com

Иолатор (2050)

Nomerprodookta	ЦEnы (DOLLARR)	Колист	Колист	Млн	В припании	Упако	Степень Продукта	Rraboч -yemperatura	МОНТАНАНГИП	PakeT / KORPUES	Baзowый nomer prodikta	ТИПВ	Тела	Агентево	Колист. Каналов	Втипа	Napraheneee - posta	ПАКЕТИВАЕТСЯ	Техниль	Статус Ройс	Вернояж	Дрогин ИНЕНА	Eccn	Htsus	Станодадж	Ток -	Ток -	Скороп	ТОК - ПИКОВОВ	Верна	На	На	Current - DC Forward (if) (max)	Naprayжeniee - yзolyahip	Vхodы - Стерона 1/СОЗОРОНА 2	Обжильжим	Я	ИСКОНЕЕ	На	Коэффигиэнт Переносатока (мин)	Коэффигиэнт Передахитока (МАКС)	Klючite / vыklючite -veremymape (typ)	Vce nassheeneee (mmaks)
TLP2710 (D4-TP, e	1,6000	RFQ	2328	Toshiba semiconductor и хraneneee	-	Lenta и катахка (tr)	Актифен	-40 ° C ~ 125 ° C.	Пефер	6 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм)	TLP2710	ТОК			1	ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП	2,7 В ~ 5,5 В.	6 ТАКОГО	СКАХАТА		1 (neograniчennnый)		Ear99	8541.49.8000	1500		10 май	5 марта		11ns, 13ns		1,9 В (MMAKS)	8 май	5000 дней	1/0	25 кв/мкс	250NS, 250NS
TLP351H (TP1, F)	1.6400	RFQ	1209	Toshiba semiconductor и хraneneee	-	Lenta и катахка (tr)	Актифен	-40 ° C ~ 125 ° C.	Пефер	8-SMD, крхло	TLP351		Оптишая	Cqc, cur, ur, vde	1			8-SMD	СКАХАТА	ROHS COMPRINT	Neprigodnnый		Ear99	8541.49.8000	1500	400 май, 400 мая			600 май	50ns, 50ns		1,55	20 май	3750vrms		20 кв/мкс	700NS, 700NS	500NS	10 В ~ 30 В.
TLP2108 (TP, F)	-	RFQ	1847	Toshiba semiconductor и хraneneee	-	Lenta и катахка (tr)	Актифен	-40 ° C ~ 100 ° C.	Пефер	8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм)	TLP2108	ТОК			2	ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП	4,5 В ~ 20.	8 ТАКОГО	СКАХАТА	ROHS COMPRINT	1 (neograniчennnый)		Ear99	8541.49.8000	2500		25 май	5 марта / с		30ns, 30ns		1,65 В.	20 май	2500vrms	2/0	10 кв/мкс	250NS, 250NS
TLP331 (BV-LF2, F)	-	RFQ	6523	Toshiba semiconductor и хraneneee	*	Трубка	Управо				TLP331								-		1 (neograniчennnый)	264-TLP331 (BV-LF2F)	Ear99	8541.49.8000	50
TLP2372 (e	1.9100	RFQ	5123	Toshiba semiconductor и хraneneee	-	Трубка	Актифен	-40 ° C ~ 125 ° C.	Пефер	6 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм), 5 проводников	TLP2372	ТОК			1	ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП	2,2 В ~ 5,5 В.	6 tyakowых, 5 -йлидирштва	СКАХАТА		1 (neograniчennnый)	264-TLP2372 (e	Ear99	8541.49.8000	125		8 май	20 марта / с		2.2NS, 1,6NS		1,53 В.	8 май	3750vrms	1/0	20 кв/мкс	75ns, 75ns
TLP293-4 (V4-GB, e	1.6300	RFQ	4183	Toshiba semiconductor и хraneneee	-	Трубка	Актифен	-55 ° C ~ 125 ° C.	Пефер	16 SOIC (0,179 », Ирина 4,55 мм)	TLP293	ТОК			4	Траншистор		16-й	СКАХАТА	ROHS COMPRINT	1 (neograniчennnый)		Ear99	8541.49.8000	50		50 май			2 мкс, 3 мкс	80	1,25	50 май	3750vrms						100% @ 5MA	600% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	300 м
TLP781F (GB, F)	-	RFQ	5077	Toshiba semiconductor и хraneneee	-	Трубка	Управо	-55 ° C ~ 110 ° C.	Чereз dыru	4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ)	TLP781F	ТОК			1	Траншистор		4-Dip	СКАХАТА		1 (neograniчennnый)	264-TLP781F (GBF)	Ear99	8541.49.8000	100		50 май			2 мкс, 3 мкс	80	1,15 В.	60 май	5000 дней						100% @ 5MA	600% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	400 м
TLP118 (TPL, e	1.8300	RFQ	5	Toshiba semiconductor и хraneneee	-	Lenta и катахка (tr)	Актифен	-40 ° C ~ 125 ° C.	Пефер	6 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм), 5 проводников	TLP118	ТОК			1	Otkrыtый kollekцyoner	4,5 n 5,5.	6 tyakowых, 5 -йлидирштва	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)		Ear99	8541.49.8000	3000		25 май	20 марта / с		30ns, 30ns		1,61 В.	25 май	3750vrms	1/0	15 кв/мкс	60NS, 60NS
TLP5214A (D4-TP, e	7.6900	RFQ	982	Toshiba semiconductor и хraneneee	-	Lenta и катахка (tr)	Актифен	-40 ° C ~ 110 ° C.	Пефер	16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм)	TLP5214		Оптишая		1			16-й	СКАХАТА	ROHS COMPRINT	1 (neograniчennnый)		Ear99	8541.49.8000	1500	3а, 3а			4 а	32NS, 18NS		1,7 В (MMAKS)	25 май	5000 дней		35 К/мкс	150NS, 150NS	50NS	15 В ~ 30
TLP185 (GB-TPL, SE	0,6100	RFQ	7	Toshiba semiconductor и хraneneee	-	Lenta и катахка (tr)	Актифен	-55 ° C ~ 110 ° C.	Пефер	6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина	TLP185	ТОК			1	Траншистор		6-Sop	СКАХАТА	ROHS COMPRINT	1 (neograniчennnый)		Ear99	8541.49.8000	3000		50 май			2 мкс, 3 мкс	80	1,25	50 май	3750vrms						100% @ 5MA	600% @ 5MA	3 мкс, 3 мкс	300 м