SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Тела Агентево Колист. Каналов Втипа Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Ток - Ток - Скороп ТОК - ПИКОВОВ Верна На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip Vхodы - Стерона 1/СОЗОРОНА 2 Обжильжим Я ИСКОНЕЕ На Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks)
TLP2710(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2710 (D4-TP, e 1,6000
RFQ
ECAD 2328 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) TLP2710 ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 2,7 В ~ 5,5 В. 6 ТАКОГО СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 10 май 5 марта 11ns, 13ns 1,9 В (MMAKS) 8 май 5000 дней 1/0 25 кв/мкс 250NS, 250NS
TLP351H(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP351H (TP1, F) 1.6400
RFQ
ECAD 1209 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 8-SMD, крхло TLP351 Оптишая Cqc, cur, ur, vde 1 8-SMD СКАХАТА ROHS COMPRINT Neprigodnnый Ear99 8541.49.8000 1500 400 май, 400 мая 600 май 50ns, 50ns 1,55 20 май 3750vrms 20 кв/мкс 700NS, 700NS 500NS 10 В ~ 30 В.
TLP2108(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2108 (TP, F) -
RFQ
ECAD 1847 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) TLP2108 ТОК 2 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 4,5 В ~ 20. 8 ТАКОГО СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2500 25 май 5 марта / с 30ns, 30ns 1,65 В. 20 май 2500vrms 2/0 10 кв/мкс 250NS, 250NS
TLP331(BV-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP331 (BV-LF2, F) -
RFQ
ECAD 6523 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Управо TLP331 - 1 (neograniчennnый) 264-TLP331 (BV-LF2F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP2372(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2372 (e 1.9100
RFQ
ECAD 5123 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм), 5 проводников TLP2372 ТОК 1 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 2,2 В ~ 5,5 В. 6 tyakowых, 5 -йлидирштва СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP2372 (e Ear99 8541.49.8000 125 8 май 20 марта / с 2.2NS, 1,6NS 1,53 В. 8 май 3750vrms 1/0 20 кв/мкс 75ns, 75ns
TLP293-4(V4-GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 (V4-GB, e 1.6300
RFQ
ECAD 4183 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 16 SOIC (0,179 », Ирина 4,55 мм) TLP293 ТОК 4 Траншистор 16-й СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,25 50 май 3750vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 300 м
TLP781F(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (GB, F) -
RFQ
ECAD 5077 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Управо -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) TLP781F ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-TLP781F (GBF) Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,15 В. 60 май 5000 дней 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 400 м
TLP118(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP118 (TPL, e 1.8300
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм), 5 проводников TLP118 ТОК 1 Otkrыtый kollekцyoner 4,5 n 5,5. 6 tyakowых, 5 -йлидирштва СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 25 май 20 марта / с 30ns, 30ns 1,61 В. 25 май 3750vrms 1/0 15 кв/мкс 60NS, 60NS
TLP5214A(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5214A (D4-TP, e 7.6900
RFQ
ECAD 982 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 110 ° C. Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) TLP5214 Оптишая 1 16-й СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 1500 3а, 3а 4 а 32NS, 18NS 1,7 В (MMAKS) 25 май 5000 дней 35 К/мкс 150NS, 150NS 50NS 15 В ~ 30
TLP185(GB-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (GB-TPL, SE 0,6100
RFQ
ECAD 7 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6 SOIC (0,173 ", Ирина 4,40 мм), 4 Свина TLP185 ТОК 1 Траншистор 6-Sop СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 2 мкс, 3 мкс 80 1,25 50 май 3750vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 мкс, 3 мкс 300 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе