SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Агентево Колист. Каналов Втипа ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Ток - Vremeni / vremeny -vremeneni (typ) На На Current - DC Forward (if) (max) Naprayжeniee - yзolyahip На Current - On State (it (rms)) (MMaks) Current - Hold (ih) Коэффигиэнт Переносатока (мин) Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) Klючite / vыklючite -veremymape (typ) Vce nassheeneee (mmaks) САМАМА Статистский DV/DT (мин) Ток - С. Klючite -wreman
CNY17-2. Vishay Semiconductor Opto Division CNY17-2. 0,6600
RFQ
ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка В аспекте -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) CNY17 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
ILQ615-4-LB Vishay Semiconductor Opto Division ILQ615-4-FUNT -
RFQ
ECAD 1806 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я ILQ615 МАССА Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 16-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТОК 4 Траншистор 16-Dip - 751-ILQ615-4-FAYNT Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,15 В. 60 май 5300vrms 160% @ 10ma 320% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс -
TCDT1122G Vishay Semiconductor Opto Division TCDT1122G 0,7200
RFQ
ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) TCD1122 ТОК 1 Траншистор 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 50 май - 70В 1,25 60 май 5000 дней 63% @ 10ma 125% @ 10ma - 300 м
TCMT1101 Vishay Semiconductor Opto Division TCMT1101 0,6200
RFQ
ECAD 5 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) TCMT1101 ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 5,5 мкс, 7 мкс 70В 1,35 В. 60 май 3750vrms 40% @ 10ma 80% @ 10ma 9,5 мкс, 8,5 мкс 300 м
TCDT1123 Vishay Semiconductor Opto Division TCDT1123 -
RFQ
ECAD 4681 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) TCDT11 ТОК 1 Траншистор 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 4,2 мкс, 4,7 мкс 70В 1,25 60 май 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma 7 мкс, 5 мкс 300 м
SFH1690BT Vishay Semiconductor Opto Division SFH1690BT 0,8900
RFQ
ECAD 3 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH1690 ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 3 мкс, 4 мкс 70В 1,15 В. 50 май 3750vrms 100% @ 5MA 300% @ 5MA 5 мкс, 3 мкс 400 м
ILD55 Vishay Semiconductor Opto Division ILD55 2.6900
RFQ
ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ILD55 ТОК 2 Дэйрлингтон 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 50 125 май 10 мкс, 35 мкс 55 1,25 60 май 5300vrms 100% @ 10ma - - 1V
VO3020-X006 Vishay Semiconductor Opto Division VO3020-X006 -
RFQ
ECAD 4192 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Управо -40 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) Vo302 CQC, CSA, CUL, FIMKO, UL, VDE 1 Триак 6-Dip - 751-VO3020-X006 Ear99 8541.49.8000 2000 1,3 В. 50 май 5000 дней 400 100 май 200 мка (теп) Не 100 вар/мкс 30 май -
SFH6286-3 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6286-3 1.2500
RFQ
ECAD 7570 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH6286 AC, DC 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 3,5 мкс, 5 мкс 55 1,1 В. 50 май 5300vrms 100% @ 1MA 320% @ 1MA 6 мкс, 5,5 мкс 400 м
SFH6156-3 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6156-3 0,8000
RFQ
ECAD 15 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH6156 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,25 60 май 5300vrms 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
SFH615A-1X001 Vishay Semiconductor Opto Division SFH615A-1X001 0,2798
RFQ
ECAD 3409 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) SFH615 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,35 В. 60 май 5300vrms 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
CNY17-2X019T Vishay Semiconductor Opto Division CNY17-2X019T 0,2939
RFQ
ECAD 7393 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY17 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
CNY17-2X007 Vishay Semiconductor Opto Division CNY17-2x007 0,7100
RFQ
ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CNY17 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,39 В. 60 май 5000 дней 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
VO3023-X017T Vishay Semiconductor Opto Division VO3023-X017T 0,3432
RFQ
ECAD 1588 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я Vo3023 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло CQC, CSA, CUL, FIMKO, UL, VDE 1 Триак 6-SMD СКАХАТА 751-VO3023-X017TTR Ear99 8541.49.8000 1000 1,3 В. 50 май 5000 дней 400 100 май 200 мка (теп) Не 100 вар/мкс 5 май -
SFH617A-4X001 Vishay Semiconductor Opto Division SFH617A-4X001 1.0300
RFQ
ECAD 9292 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) SFH617 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 4000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,35 В. 60 май 5300vrms 160% @ 10ma 320% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
VOS617A-9X001T Vishay Semiconductor Opto Division VOS617A-9X001T 0,6400
RFQ
ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) VOS617 ТОК 1 Траншистор 4-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 3 мкс, 3 мкс 80 1,18 50 май 3750vrms 200% @ 5MA 400% @ 5MA 6 мкс, 4 мкс 400 м
SFH6286-4 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6286-4 1.2600
RFQ
ECAD 1953 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH6286 AC, DC 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 3,5 мкс, 5 мкс 55 1,1 В. 50 май 5300vrms 160% @ 1MA 500% @ 1MA 6 мкс, 5,5 мкс 400 м
4N33-X007 Vishay Semiconductor Opto Division 4n33-x007 -
RFQ
ECAD 5674 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло 4n33 ТОК 1 Дэйрлингтон С.Бах 6-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 2000 100 май - 30 1,25 60 май 5300vrms 500% @ 10ma - 5 мкс, 100 мкс (MMAKS) 1в (тип)
ILD66-4X007T Vishay Semiconductor Opto Division ILD66-4X007T -
RFQ
ECAD 8279 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 8-SMD, крхло ILD66 ТОК 2 Дэйрлингтон 8-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 - 200 мкс, 200 мкс (MMAKS) 60 1,25 60 май 5300vrms 500% @ 2MA - - 1V
SFH615AY-X007T Vishay Semiconductor Opto Division SFH615AY-X007T -
RFQ
ECAD 3902 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH615 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май - 70В 1,25 60 май 5300vrms 50% @ 5MA 150% @ 5MA 2 мкс, 25 мкс 400 м
VOL618A-2X001T Vishay Semiconductor Opto Division Vol618a-2x001t 0,5000
RFQ
ECAD 4 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло Vol618 ТОК 1 Траншистор 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 3,5 мкс, 5 мкс 80 1,16 В. 60 май 5000 дней 63% @ 1MA 125% @ 1MA 6 мкс, 5,5 мкс 400 м
SFH618A-5X007T Vishay Semiconductor Opto Division SFH618A-5X007T 1.1600
RFQ
ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH618 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 3,5 мкс, 5 мкс 55 1,1 В. 60 май 5300vrms 250% @ 1MA 500% @ 1MA 6 мкс, 5,5 мкс 400 м
TCDT1103G Vishay Semiconductor Opto Division TCDT1103G 0,6800
RFQ
ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Чereз dыru 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) TCDT1103 ТОК 1 Траншистор 6-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 50 50 май 7 мкс, 6,7 мкс 32V 1,25 60 май 5000 дней 100% @ 10ma 200% @ 10ma 11 мкс, 7 мкс 300 м
SFH6916-X001 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6916-X001 1.1382
RFQ
ECAD 2328 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 16 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) SFH6916 ТОК 4 Траншистор 16-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 50 май 1 мкс, 30 мкс 70В 1,15 В. 50 май 3750vrms 50% @ 5MA 300% @ 5MA 15 мкс, 500NS 400 м
TCLT1115 Vishay Semiconductor Opto Division TCLT1115 0,2596
RFQ
ECAD 6728 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 6 SoiC (0,295 ", шIrInA 7,50 мм), 5 проводников TCLT1115 ТОК 1 Траншистор С.Б.А. 6-Sop, 5 PIN СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 3000 50 май 3 мкс, 4,7 мкс 70В 1,25 60 май 5000 дней 50% @ 5MA 150% @ 5MA 6 мкс, 5 мкс 300 м
IL255-X007T Vishay Semiconductor Opto Division IL255-X007T -
RFQ
ECAD 3560 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 6-SMD, кргло IL255 AC, DC 1 Траншистор С.Б.А. 6-SMD - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 - - 30 1,4 В. 130 май 5300vrms 20% @ 10ma - - 400 м
SFH1617A-2X017T Vishay Semiconductor Opto Division SFH1617A-2X017T 0,4044
RFQ
ECAD 4460 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 110 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH1617 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,35 В. 60 май 5000 дней 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
SFH6186-2T Vishay Semiconductor Opto Division SFH6186-2T 1.0100
RFQ
ECAD 5030 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Пефер 4-SMD, крхло SFH6186 ТОК 1 Траншистор 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 1000 50 май 3,5 мкс, 5 мкс 55 1,1 В. 60 май 5300vrms 63% @ 1MA 125% @ 1MA 6 мкс, 5,5 мкс 400 м
SFH615A-4 Vishay Semiconductor Opto Division SFH615A-4 0,8000
RFQ
ECAD 884 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) SFH615 ТОК 1 Траншистор 4-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 100 50 май 2 мкс, 2 мкс 70В 1,35 В. 60 май 5300vrms 160% @ 10ma 320% @ 10ma 3 мкс, 2,3 мкс 400 м
ILCT6 Vishay Semiconductor Opto Division Ilct6 -
RFQ
ECAD 5776 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Управо -55 ° C ~ 100 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) Ilct6 ТОК 2 Траншистор 8-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.8000 2000 30 май - 30 1,25 60 май 5300vrms 20% @ 10ma - 3 мкс, 3 мкс 400 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе