SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti SkoRoSTHPEREDAчI (MB/S, MT/S, MHZ)
SFUI032GJ1AE1TO-I-NC-2A1-STD Swissbit SFUI032GJ1AE1TO-I-NC-2A1-STD 390.0000
RFQ
ECAD 5823 0,00000000 Swissbit U-500 МАССА В аспекте Модул SFUI032 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B1A 8523.51.0000 1 Flash - nand (SLC) 32 gb -
MTA72ASS16G72LZ-3G2F1 Micron Technology Inc. MTA72ASS16G72LZ-3G2F1 1.0000
RFQ
ECAD 2220 0,00000000 Micron Technology Inc. DDR4 SDRAM Коробка Актифен 288-lrdimm - DOSTISH 557-MTA72ASS16G72LZ-3G2F1 1 DDR4 SDRAM 128 gb 3200
4RCD0229KB1ATG8 Renesas Electronics America Inc 4RCD0229KB1ATG8 10.8550
RFQ
ECAD 4597 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Lenta и катахка (tr) Актифен 253-LFBGA, FCCSPBGA 4RCD0229 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 800-4RCD0229KB1ATG8TR 2000 DDR4 SDRAM - 2667
SGN08G72G1BB2SA-DCWRT Swissbit SGN08G72G1BB2SA-DCWRT -
RFQ
ECAD 3232 0,00000000 Swissbit - Поднос Управо 204-So-udimm - Rohs3 1 (neograniчennnый) 1052-1129 Ear99 8473.30.1140 100 DDR3 SDRAM 8 gb 1600
MT36VDDF25672Y-40BF3 Micron Technology Inc. MT36VDDF25672Y-40BF3 -
RFQ
ECAD 4653 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 184-RDIMM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR SDRAM 2 гр 400
MT9HTF3272PKY-53EB2 Micron Technology Inc. MT9HTF3272PKY-53EB2 80.7591
RFQ
ECAD 5698 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Пркрэно 244-Minirdimm СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 256 мБ 533
WD3UE01GX809-1333K-PE Wintec Industries WD3UE01GX809-1333K-PE -
RFQ
ECAD 5654 0,00000000 Wintec Industries - Поднос Управо 240-й днаний - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 10 DDR3 SDRAM 1 год 1333
MT9HVF6472PZ-667H1 Micron Technology Inc. MT9HVF6472PZ-667H1 -
RFQ
ECAD 2925 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Актифен 240-RDIMM MT9HVF6472 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 100 DDR2 SDRAM 512 мБ 667
AW48P64F8BNK0M ATP Electronics, Inc. AW48P64F8BNK0M 224 8155
RFQ
ECAD 2658 0,00000000 ATP Electronics, Inc. - Поднос Актифен 240-й днаний AW48P64 - Rohs3 DOSTISH Ear99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 16 гр 1600
AL24P72L8BLK0M ATP Electronics, Inc. AL24P72L8BLK0M 149 3800
RFQ
ECAD 6179 0,00000000 ATP Electronics, Inc. - МАССА Актифен 240-RDIMM Al24 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 1 DDR3L SDRAM 8 gb 1600
75.A833R.G000C Adafruit Industries LLC 75.A833R.G000C -
RFQ
ECAD 6281 0,00000000 Adafruit Industries LLC - МАССА Управо - 1582-75.A833R.G000C 1
MT9HTF12872FY-80EE1D4 Micron Technology Inc. MT9HTF12872FY-80EE1D4 -
RFQ
ECAD 3304 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 240-FBDIMM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1 год 800
MTA8ATF2G64AZ-2G6E1 Micron Technology Inc. MTA8ATF2G64AZ-2G6E1 -
RFQ
ECAD 3810 0,00000000 Micron Technology Inc. DDR4 SDRAM МАССА Управо 288-й MTA8ATF2 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 557-MTA8ATF2G64AZ-2G6E1 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 16 гр 2666
MTA8ATF1G64AZ-3G2J3 Micron Technology Inc. MTA8ATF1G64AZ-3G2J3 -
RFQ
ECAD 5614 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Актифен 288-й MTA8ATF1 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 557-MTA8ATF1G64AZ-3G2J3 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 8 gb 3200
SQR-SD5N32G4K8SNBB Advantech Corp SQR-SD5N32G4K8SNBB 122.3800
RFQ
ECAD 5123 0,00000000 Advantech Corp SQR-SD5N МАССА Актифен 262-Sodimm - 2084-SQR-SD5N32G4K8SNBB 1 DDR5 SDRAM 32 gb 4800
AW12M64B8BLH9MW ATP Electronics, Inc. AW12M64B8BLH9MW 69 6426
RFQ
ECAD 1014 0,00000000 ATP Electronics, Inc. - Поднос Актифен - AW12M64 - Rohs3 DOSTISH Ear99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 4 гб 1333
MT16VDDT12864AG-335F3 Micron Technology Inc. MT16VDDT12864AG-335F3 -
RFQ
ECAD 1143 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Пркрэно 184-Udimm СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 1 год 333
MT18HTF25672AY-40EA1 Micron Technology Inc. MT18HTF25672AY-40EA1 944.1480
RFQ
ECAD 9439 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Пркрэно 240-й днаний СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 2 гр 400
MT36VDDF25672Y-265D2 Micron Technology Inc. MT36VDDF25672Y-265D2 -
RFQ
ECAD 6661 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 184-RDIMM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 2 гр 266
MT9VDVF6472Y-335F4 Micron Technology Inc. MT9VDVF6472Y-335F4 148.7609
RFQ
ECAD 6628 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Пркрэно 184-RDIMM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 512 мБ 333
111049-1 iFixit 111049-1 -
RFQ
ECAD 8670 0,00000000 ifixit - МАССА Актифен 204-Dimm IF111 - Neprigodnnый Neprigodnnый Ear99 8473.30.1140 1 DDR3 SDRAM 16 гр 1866
VR5DU286418FBZ Viking Technology VR5DU286418FBZ -
RFQ
ECAD 2074 0,00000000 Веса - Коробка Управо 200-sodimm СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.32.0032 60 DDR2 SDRAM 1 год 800
A4G08QE8BLPBME ATP Electronics, Inc. A4G08QE8BLPBME 118.3396
RFQ
ECAD 7591 0,00000000 ATP Electronics, Inc. - МАССА Актифен 260-й A4G08 - Rohs3 DOSTISH Ear99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 8 gb 2133
MT36JDZS2G72PZ-1G6E1 Micron Technology Inc. MT36JDZS2G72PZ-1G6E1 -
RFQ
ECAD 4346 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-RDIMM СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8473.30.1140 100 DDR3 SDRAM 16 гр 1600
MT18JSF51272PZ-1G4D1 Micron Technology Inc. MT18JSF51272PZ-1G4D1 -
RFQ
ECAD 1791 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 240-RDIMM СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 4 гб 1333
SQR-SD4M-16G2K1SNB Advantech Corp SQR-SD4M-16G2K1SNB -
RFQ
ECAD 1940 0,00000000 Advantech Corp - МАССА Управо 260-Sodimm SQR-SD4 - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B2A 8471.70.9000 1 DDR4 SDRAM 16 гр 2133
MT9HTF12872AY-667A3 Micron Technology Inc. MT9HTF12872AY-667A3 -
RFQ
ECAD 1385 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Пркрэно 240-й днаний СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1 год 667
AY12P7258BLK0M ATP Electronics, Inc. AY12P7258BLK0M 63 7469
RFQ
ECAD 9385 0,00000000 ATP Electronics, Inc. - МАССА Актифен 204-Minirdimm AY12P7258 - Rohs3 DOSTISH Ear99 8473.30.1140 50 4 гб
MT36HTS51272Y-53EA2 Micron Technology Inc. MT36HTS51272Y-53EA2 2.0000
RFQ
ECAD 2638 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Пркрэно 240-FBDIMM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 4 гб 533
MT18KDF51272AZ-1G4M1 Micron Technology Inc. MT18KDF51272AZ-1G4M1 -
RFQ
ECAD 1860 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Управо 240-й днаний - Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 4 гб 1333
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе