SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Raзmer / yзmerenee ТИП Baзowый nomer prodikta МАССА Napraheneee - posta Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Форм -Фактор Скороп СКОРЕСТА - НАПИАНА ТОК - МАКС
MTFDHBA1T0TCK-1AT1AABLA Micron Technology Inc. MTFDHBA1T0TCK-1AT1AABLA -
RFQ
ECAD 7656 0,00000000 Micron Technology Inc. 2200 МАССА Управо - - Nvme MTFDHBA1 - - Rohs3 3 (168 чASOW) 3A991B1A 8471.70.6000 180 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 1 М.2 Модуль 3 гб/с 1,6 -gb/s -
MTFDHBA1T0TCK-1AT1AABYY Micron Technology Inc. MTFDHBA1T0TCK-1AT1AABYY -
RFQ
ECAD 1659 0,00000000 Micron Technology Inc. 2200 МАССА Управо - - Nvme MTFDHBA1 - - Rohs3 3 (168 чASOW) 3A991B1A 8471.70.6000 5 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 1 М.2 Модуль 3 гб/с 1,6 -gb/s -
MTFDHBA1T0TCK-2AT1AABDA Micron Technology Inc. MTFDHBA1T0TCK-2AT1AABDA -
RFQ
ECAD 2170 0,00000000 Micron Technology Inc. 2200 МАССА Управо - - Nvme MTFDHBA1 - - Rohs3 3 (168 чASOW) 3A991B1A 8471.70.6000 180 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 1 М.2 Модуль 3 гб/с 1,6 -gb/s -
MTFDHBA256TCK-1AS15ABFA Micron Technology Inc. MTFDHBA256TCK-1AS15ABFA -
RFQ
ECAD 4734 0,00000000 Micron Technology Inc. 2200 МАССА Управо - - Nvme MTFDHBA256 - - Rohs3 3 (168 чASOW) 3A991B1A 8471.70.6000 180 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 256 gb М.2 Модуль 3 гб/с 1,6 -gb/s -
MTFDHBA256TCK-1AS15ABYY Micron Technology Inc. Mtfdhba256tck-1as15abyy -
RFQ
ECAD 6438 0,00000000 Micron Technology Inc. 2200 МАССА Управо - - Nvme MTFDHBA256 - - Rohs3 3 (168 чASOW) 3A991B1A 8471.70.6000 10 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 256 gb М.2 Модуль 3 гб/с 1,6 -gb/s -
MTFDHBA256TCK-1AS1AABFA Micron Technology Inc. MTFDHBA256TCK-1AS1AABFA -
RFQ
ECAD 1634 0,00000000 Micron Technology Inc. 2200 МАССА Управо - - Nvme MTFDHBA256 - - Rohs3 3 (168 чASOW) 3A991B1A 8471.70.6000 180 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 256 gb М.2 Модуль 3 гб/с 1,6 -gb/s -
MTFDHBA256TCK-1AS1AABHA Micron Technology Inc. MTFDHBA256TCK-1AS1AABHA -
RFQ
ECAD 4296 0,00000000 Micron Technology Inc. 2200 МАССА Управо - - Nvme MTFDHBA256 - - Rohs3 3 (168 чASOW) 3A991B1A 8471.70.6000 180 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 256 gb М.2 Модуль 3 гб/с 1,6 -gb/s -
MTFDHBA256TCK-2AS1AABDA Micron Technology Inc. MTFDHBA256TCK-2AS1AABDA 87.8250
RFQ
ECAD 9579 0,00000000 Micron Technology Inc. 2200 МАССА Актифен - - Nvme MTFDHBA256 - - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8471.70.6000 180 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 256 gb М.2 Модуль 3 гб/с 1,6 -gb/s -
MTFDHBA512TCK-1AS15ABHA Micron Technology Inc. MTFDHBA512TCK-1AS15ABHA -
RFQ
ECAD 2118 0,00000000 Micron Technology Inc. 2200 МАССА Управо - - Nvme - - Rohs3 3 (168 чASOW) Управо 180 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 512 gb М.2 Модуль 3 гб/с 1,6 -gb/s -
MTFDHBA512TCK-1AS15ABYY Micron Technology Inc. Mtfdhba512tck-1as15abyy -
RFQ
ECAD 3483 0,00000000 Micron Technology Inc. 2200 МАССА Управо - - Nvme MTFDHBA512 - - Rohs3 3 (168 чASOW) 3A991B1A 8471.70.6000 10 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 512 gb М.2 Модуль 3 гб/с 1,6 -gb/s -
MTFDHBA512TCK-1AS1AABLA Micron Technology Inc. MTFDHBA512TCK-1AS1AABLA -
RFQ
ECAD 8656 0,00000000 Micron Technology Inc. 2200 МАССА Управо - - Nvme MTFDHBA512 - - Rohs3 3 (168 чASOW) 3A991B1A 8471.70.6000 180 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 512 gb М.2 Модуль 3 гб/с 1,6 -gb/s -
MTFDHBK1T0TDP-1AT12AIYY Micron Technology Inc. Mtfdhbk1t0tdp-1at12aiyy 469.1300
RFQ
ECAD 6239 0,00000000 Micron Technology Inc. 2100AI МАССА Актифен -40 ° C ~ 95 ° C. - Nvme MTFDHBK1 - СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8471.70.6000 1 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 1 М.2 Модуль 2 гб/с 1,75 gb/s -
MTFDHBK256TDP-1AT12AIYY Micron Technology Inc. MTFDHBK256TDP-1AT12AIY 163,5000
RFQ
ECAD 44 0,00000000 Micron Technology Inc. 2100AI МАССА Актифен -40 ° C ~ 95 ° C. - Nvme MTFDHBK256 - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B1A 8471.70.6000 1 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 256 gb М.2 Модуль 2 гб/с 850 мБ/с -
MTFDHBL064TDQ-AAT12ATYYES Micron Technology Inc. Mtfdhbl064tdq-aat12atyyes 59 5400
RFQ
ECAD 9930 0,00000000 Micron Technology Inc. M500IT МАССА Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - Nvme MTFDHBL064 - - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8471.70.6000 1 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 64 -й BGA 550 мБ/с 200 мБ/с -
MTFDHBL128TDP-1AT12AIYY Micron Technology Inc. MTFDHBL128TDP-1AT12AIYY 66.1654
RFQ
ECAD 2364 0,00000000 Micron Technology Inc. 2100AI МАССА Актифен -40 ° C ~ 95 ° C. - Nvme MTFDHBL128 - СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8523.51.0000 72 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 128 gb BGA 1,1 -еб/с 420 мБ/с -
MTFDHBL128TDP-AAT12AIYYES Micron Technology Inc. Mtfdhbl128tdp-aat12aiyyes -
RFQ
ECAD 5208 0,00000000 Micron Technology Inc. 2100AI МАССА Управо -40 ° C ~ 95 ° C. - Nvme - - Rohs3 3 (168 чASOW) Управо 0000.00.0000 1 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 128 gb BGA 1,1 -еб/с 420 мБ/с -
MTFDHBL128TDQ-1AT12ATYY Micron Technology Inc. Mtfdhbl128tdq-1at12atyy 97.9400
RFQ
ECAD 52 0,00000000 Micron Technology Inc. 2100at МАССА Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - Nvme MTFDHBL128 - СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8471.70.6000 72 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 128 gb BGA 1,1 -еб/с 420 мБ/с -
MTFDHBL256TDQ-1AT12ATYY Micron Technology Inc. MTFDHBL256TDQ-1AT12ATYY 148.4800
RFQ
ECAD 2868 0,00000000 Micron Technology Inc. 2100at МАССА Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - Nvme MTFDHBL256 - СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8471.70.6000 1 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 256 gb BGA 2 гб/с 850 мБ/с -
MTFDHBL512TDP-AAT12AIYYES Micron Technology Inc. Mtfdhbl512tdp-aat12aiyyes -
RFQ
ECAD 2628 0,00000000 Micron Technology Inc. 2100AI МАССА Управо -40 ° C ~ 95 ° C. - Nvme - - Rohs3 3 (168 чASOW) Управо 1 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 512 gb BGA 2 гб/с 1,55 -gb/s -
MTFDHBL512TDQ-1AT12ATYY Micron Technology Inc. Mtfdhbl512tdq-1at12atyy 220.4400
RFQ
ECAD 95 0,00000000 Micron Technology Inc. 2100at МАССА Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - Nvme MTFDHBL512 - СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8471.70.6000 1 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 512 gb BGA 2 гб/с 1,55 -gb/s -
MTFDHBL512TDQ-AAT12ATYYES Micron Technology Inc. Mtfdhbl512tdq-aat12atyyes -
RFQ
ECAD 6153 0,00000000 Micron Technology Inc. 2100at МАССА Управо -40 ° C ~ 105 ° C. - Nvme - - Rohs3 3 (168 чASOW) Управо 1 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 512 gb BGA 2 гб/с 1,55 -gb/s -
MTFDHBM1T0TDP-1AT12AIYY Micron Technology Inc. Mtfdhbm1t0tdp-1at12aiyy 451.0900
RFQ
ECAD 34 0,00000000 Micron Technology Inc. 2100AI МАССА Актифен -40 ° C ~ 95 ° C. - Nvme MTFDHBM1 - СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8471.70.6000 1 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 1 BGA 2 гб/с 1,75 gb/s -
MTFDHBA256TDV-1AY12ABYY TR Micron Technology Inc. MTFDHBA256TDV-1AY12ABYY TR -
RFQ
ECAD 1761 0,00000000 Micron Technology Inc. 2300 Lenta и катахка (tr) Управо - 80,00 мм x 22,00 мм Nvme - - - Rohs3 3 (168 чASOW) 557-MTFDHBA256TDV-1AY12ABYYTR Управо 1000 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 256 gb М.2 Модуль 3,3 -gb/s 1,4 -gb/s -
MTFDKBA256TFK-1BC1AABYY TR Micron Technology Inc. MTFDKBA256TFK-1BC1AABYY TR -
RFQ
ECAD 3057 0,00000000 Micron Technology Inc. 3400 Lenta и катахка (tr) Актифен - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 557-MTFDKBA256TFK-1BC1AABYYTR 1000
MTFDHBA512TDV-1AZ15ABYY Micron Technology Inc. MTFDHBA512TDV-1AZ15ABYY -
RFQ
ECAD 7668 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо - - Nvme - - - 557-MTFDHBA512TDV-1AZ15ABYY Управо 5 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 512 gb М.2 Модуль 3,3 -gb/s 2,7 -gb/s -
MTFDKBA512TFH-1BC1AABYY Micron Technology Inc. MTFDKBA512TFH-1BC1AABYY 87.8700
RFQ
ECAD 253 0,00000000 Micron Technology Inc. 3400 МАССА Прохл - - - - - - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 557-MTFDKBA512TFH-1BC1AABYY 3A991B1A 8523.51.0000 180 - 512 gb М.2 Модуль - - -
MTFDHBA512TDV-1AZ1AABYY Micron Technology Inc. MTFDHBA512TDV-1AZ1AABYY -
RFQ
ECAD 3535 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо - - Nvme - - - 557-MTFDHBA512TDV-1AZ1AABYY Управо 5 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 512 gb М.2 Модуль 3,3 -gb/s 2,7 -gb/s -
MTFDDAK7T6QDE-2AV1ZFPYY Micron Technology Inc. MTFDDAK7T6QDE-2AV1ZFPYY -
RFQ
ECAD 9677 0,00000000 Micron Technology Inc. 5210 Коробка Управо 0 ° C ~ 70 ° C. 100,45 мм х 69,85 мм х 7,00 мм SATA III 2,47 Унигии (70,38 g) - - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 557-MTFDDAK7T6QDE-2AV1ZFPYY Управо 5 TweroTeLnыйprivod (SSD) Flash - nand (qlc) 7,68т 2.5 " 540 мБ/с 360 мБ/с -
MTFDDAK1T9QDE-2AV16FPYY Micron Technology Inc. MTFDDAK1T9QDE-2AV16FPYY -
RFQ
ECAD 6406 0,00000000 Micron Technology Inc. 5210 Коробка Управо 0 ° C ~ 70 ° C. 100,45 мм х 69,85 мм х 7,00 мм SATA III 2,47 Унигии (70,38 g) - - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 557-MTFDDAK1T9QDE-2AV16FPYY Управо 5 TweroTeLnыйprivod (SSD) Flash - nand (qlc) 1,92 2.5 " 540 мБ/с 260 мБ/с -
MTFDHAL6T4TDR-1AT1ZABDB Micron Technology Inc. MTFDHAL6T4TDR-1AT1ZABDB -
RFQ
ECAD 6780 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 0 ° C ~ 70 ° C. 100,45 мм x 70,10 мм х 15,00 мм Nvme - - - Rohs3 3 (168 чASOW) 557-MTFDHAL6T4TDR-1AT1ZABDB Управо 1 TweroTeLnыйprivoD (SSD) Flash - nand (TLC) 6,4 U.2 momodooly 3,5 -gb/s 3,5 -gb/s -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе