- запрос цен
- спецификация
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- японский
- корейский
- арабский
- ирландский
- греческий
- турецкий
- итальянский
- датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Польский
- Баскский
- каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаосский
- албанский
- амхарский
- Армянский
- азербайджанский
- белорусский
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- кебуано
- Чичева
- корсиканец
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинский
- финский
- фризский
- галисийский
- грузинский
- Гуджарати
- гаитянский
- Хауса
- Гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- яванский
- Каннада
- казахский
- кхмерский
- курдский
- киргизский
- латинский
- латышский
- литовский
- Люксембу..
- македонский
- малагасийский
- малайский
- малаялам
- мальтийский
- маори
- Маратхи
- Монгольский
- бирманский
- непальский
- норвежский
- пушту
- персидский
- панджаби
- сербский
- сесото
- сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомали
- Самоанец
- Шотландский гэльский
- Шона
- Синдхи
- суданский
- суахили
- таджикский
- тамильский
- телугу
- тайский
- Украинский
- урду
- Узбекский
- вьетнамский
- валлийский
- коса
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Киньяруанда
- татарский
- Ория
- туркменский
- уйгурский
Карты памяти, модули(39)
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Размер / Размер | Пакет/ключи | Тип | Технология | Масса | Напряжение питания | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Скорость | Тип | Размер | Формфактор-фактор | Скорость - Чтение | Скорость — запись | Ток - Макс. | Скорость передачи данных (Мбит/с, МТ/с, МГц) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AMPW5T480-IM02AI | 329.1100 |  | 2 | 0,00000000 | Ускоренное производство Памяти, Инк. | - | Масса | Активный | - | 3642-AMPW5T480-IM02AI | 1 | |||||||||||||||||||||
 | AMP58464G24A0TB-CQK49 | 540.0000 | | 75 | 0,00000000 | Ускоренное производство Памяти, Инк. | - | Масса | Активный | - | Соответствует ROHS3 | 3642-AMP58464G24A0TB-CQK49 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | AMP4L08GD45E2SP-C7J | 397,6700 | | 49 | 0,00000000 | Ускоренное производство Памяти, Инк. | - | Масса | Активный | 288-LRDIMM | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | Информация REACH предоставляется по запросу | 3642-AMP4L08GD45E2SP-C7J | EAR99 | 8542.32.0023 | 1 | DDR4 LRDIMM | 64 ГБ | 2666 | ||||||||||||
 | AMP25T125-NM02AI | 115.0000 | | 2 | 0,00000000 | Ускоренное производство Памяти, Инк. | - | Масса | Активный | - | 3642-AMP25T125-NM02AI | 1 | |||||||||||||||||||||
| AMP56016G18A0TB-CQK48 | 102.0000 | | 75 | 0,00000000 | Ускоренное производство Памяти, Инк. | - | Поднос | Активный | - | Соответствует ROHS3 | 3642-AMP56016G18A0TB-CQK48 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | AMPSD256G3S-00ES1YE-3P | 180.0000 | | 5 | 0,00000000 | Ускоренное производство Памяти, Инк. | - | Масса | Активный | - | МЛК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | Информация REACH предоставляется по запросу | 3642-AMPSD256G3S-00ES1YE-3P | EAR99 | 8523.51.0000 | 1 | 10 класс | SDXC™ | 256 ГБ | |||||||||||
 | AMPMS01T0S-00ES7YE-8P | 219.0000 | | 199 | 0,00000000 | Ускоренное производство Памяти, Инк. | - | Масса | Активный | - | КЛК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | Информация REACH предоставляется по запросу | 3642-AMPMS01T0S-00ES7YE-8P | EAR99 | 8523.51.0000 | 1 | Класс 10, Класс UHS 3 | microSDXC™ | 1 ТБ | |||||||||||
| AMP25T640-NM2VAI | 809.5200 | | 5 | 0,00000000 | Ускоренное производство Памяти, Инк. | - | Масса | Активный | - | 3642-AMP25T640-NM2VAI | 1 | |||||||||||||||||||||
| AMPW5TT10-N40DAI | 294.1200 | | 30 | 0,00000000 | Ускоренное производство Памяти, Инк. | - | Масса | Активный | - | 3642-AMPW5TT10-N40DAI | 1 | |||||||||||||||||||||
 | AMPV5T256-N43SAC | 87.3800 | | 112 | 0,00000000 | Ускоренное производство Памяти, Инк. | - | Масса | Активный | - | 3642-AMPV5T256-N43SAC | 1 | |||||||||||||||||||||
| AMPW5DT10-I302AI | 2.0000 | | 15 | 0,00000000 | Ускоренное производство Памяти, Инк. | - | Масса | Активный | - | 3642-AMPW5DT10-I302AI | 1 | |||||||||||||||||||||
| AMP56032G28B0TB-CQ48 | 197.0000 | | 75 | 0,00000000 | Ускоренное производство Памяти, Инк. | - | Поднос | Активный | - | 3642-AMP56032G28B0TB-CQ48 | 1 | |||||||||||||||||||||
| AMP25TT20-HM02AC | 2.0000 | | 1 | 0,00000000 | Ускоренное производство Памяти, Инк. | - | Масса | Активный | - | 3642-AMP25TT20-HM02AC | 1 | |||||||||||||||||||||
| AMP4E02GS28G1SP-C3F | 171,6800 | | 50 | 0,00000000 | Ускоренное производство Памяти, Инк. | - | Масса | Активный | 260-SODIMM | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | Информация REACH предоставляется по запросу | 3642-AMP4E02GS28G1SP-C3F | EAR99 | 8542.32.0023 | 1 | DDR4 SODIMM | 16 ГБ | 2133 | ||||||||||||
| AMPV5T480-N400AC | 138,8200 | | 12 | 0,00000000 | Ускоренное производство Памяти, Инк. | - | Масса | Активный | - | 3642-AMPV5T480-N400AC | 1 | |||||||||||||||||||||
 | AMPMS032G3S-00ES4YC-3P | 54.3300 | | 10 | 0,00000000 | Ускоренное производство Памяти, Инк. | - | Масса | Активный | - | pSLC | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | Информация REACH предоставляется по запросу | 3642-AMPMS032G3S-00ES4YC-3P | EAR99 | 8523.51.0000 | 1 | 10 класс | microSD™ | 32 ГБ | |||||||||||
| AMP58016G18AT0B-CQK48 | 142.0000 | | 75 | 0,00000000 | Ускоренное производство Памяти, Инк. | - | Поднос | Активный | - | Соответствует ROHS3 | 3642-AMP58016G18AT0B-CQK48 | 1 | ||||||||||||||||||||
| AMP59432G14B0TB-CQK48 | 304.0000 | | 75 | 0,00000000 | Ускоренное производство Памяти, Инк. | - | Поднос | Активный | - | Соответствует ROHS3 | 3642-AMP59432G14B0TB-CQK48 | 1 | ||||||||||||||||||||
| AMPW5DT40-N60QAC | 560,7100 | | 41 | 0,00000000 | Ускоренное производство Памяти, Инк. | - | Масса | Активный | - | 3642-AMPW5DT40-N60QAC | 1 | |||||||||||||||||||||
| AMP4R01GD28E0SP-C1E | 54.3200 | | 50 | 0,00000000 | Ускоренное производство Памяти, Инк. | - | Масса | Активный | 288-DIMM | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | Информация REACH предоставляется по запросу | 3642-AMP4R01GD28E0SP-C1E | EAR99 | 8542.32.0023 | 1 | Модуль памяти DDR4 | 8 ГБ | 2166 | ||||||||||||
 | AMPW5D1T9-N40QAI | 885.9200 | | 200 | 0,00000000 | Ускоренное производство Памяти, Инк. | - | Масса | Активный | - | Соответствует ROHS3 | 3642-AMPW5D1T9-N40QAI | 1 | ||||||||||||||||||||
| AMP4N02GD28B1SN-C4H | 108.2300 | | 50 | 0,00000000 | Ускоренное производство Памяти, Инк. | - | Масса | Активный | 288-УДИММ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | Информация REACH предоставляется по запросу | 3642-AMP4N02GD28B1SN-C4H | EAR99 | 8542.32.0023 | 1 | DDR4 UDIMM | 16 ГБ | 2400 | ||||||||||||
| AMPV5T032-NS9FAI | 336,8000 | | 2 | 0,00000000 | Ускоренное производство Памяти, Инк. | - | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С | - | САТА III | - | - | - | 3642-AMPV5T032-NS9FAI | 1 | Твердотельный накопитель (SSD) FLASH-NAND (SLC) | 32 ГБ | мSATA | - | - | - | ||||||||||
 | AMPW3T250-I302AI | 522.4100 | | 5 | 0,00000000 | Ускоренное производство Памяти, Инк. | - | Масса | Активный | - | 3642-AMPW3T250-I302AI | 1 | |||||||||||||||||||||
 | AMPSD064G3S-00WS1YE-3P | 66.3600 | | 5 | 0,00000000 | Ускоренное производство Памяти, Инк. | - | Масса | Активный | - | МЛК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | Информация REACH предоставляется по запросу | 3642-AMPSD064G3S-00WS1YE-3P | EAR99 | 8523.51.0000 | 1 | 10 класс | SDXC™ | 64 ГБ | |||||||||||
| AMP25T256-N40SAE | 78,9400 | | 5 | 0,00000000 | Ускоренное производство Памяти, Инк. | - | Масса | Активный | - | 3642-AMP25T256-N40SAE | 1 | |||||||||||||||||||||
| AMP4N01GD28B1SN-C4H | 57.8300 | | 73 | 0,00000000 | Ускоренное производство Памяти, Инк. | - | Масса | Активный | 288-УДИММ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | Информация REACH предоставляется по запросу | 3642-AMP4N01GD28B1SN-C4H | EAR99 | 8542.32.0023 | 1 | DDR4 UDIMM | 8 ГБ | 2400 | ||||||||||||
| AMPV5T480-NM0NAI | 335.2900 | | 2 | 0,00000000 | Ускоренное производство Памяти, Инк. | - | Масса | Активный | - | 3642-AMPV5T480-NM0NAI | 1 | |||||||||||||||||||||
| AMPV5T250-NM02AI | 170,5800 | | 20 | 0,00000000 | Ускоренное производство Памяти, Инк. | - | Масса | Активный | - | 3642-AMPV5T250-NM02AI | 1 | |||||||||||||||||||||
| AMP59416G18D0TB-CQK48 | 164.0000 | | 75 | 0,00000000 | Ускоренное производство Памяти, Инк. | - | Поднос | Активный | - | Соответствует ROHS3 | 3642-AMP59416G18D0TB-CQK48 | 1 |
2000+
Среднедневной объем запросов предложений
30 000 000
Стандартная единица продукта
2800+
Мировые производители
15 000 м2
В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)