SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Raзmer / yзmerenee PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta Тела МАССА Napraheneee - posta Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Форм -Фактор Скороп СКОРЕСТА - НАПИАНА ТОК - МАКС SkoRoSTHPEREDAчI (MB/S, MT/S, MHZ)
SMC04GCFC6E Micron Technology Inc. SMC04GCFC6E -
RFQ
ECAD 4122 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо - - - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH -SMC04GCFC6E 3A991B1A 8523.51.0000 198 - Compactflash® 4 гб
MT16JSF25664HY-1G4D1 Micron Technology Inc. MT16JSF25664HY-1G4D1 -
RFQ
ECAD 3063 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 204-Sodimm СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 2 гр 1333
MT18JSF25672AY-1G4D1 Micron Technology Inc. MT18JSF25672AY-1G4D1 -
RFQ
ECAD 9222 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240 лет СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 2 гр 1333
MT4JSF6464HY-1G4B1 Micron Technology Inc. MT4JSF6464HY-1G4B1 -
RFQ
ECAD 8342 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 204-Sodimm MT4JSF - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 512 мБ 1333
MT8HTF6464HY-800D3 Micron Technology Inc. MT8HTF6464HY-800D3 -
RFQ
ECAD 7522 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 200-sodimm - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR2 SDRAM 512 мБ 800
MT8JTF12864AY-1G4D1 Micron Technology Inc. MT8JTF12864AY-1G4D1 -
RFQ
ECAD 7670 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240 лет СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 1 год 1333
MT9JSF12872AY-1G4D1 Micron Technology Inc. MT9JSF12872AY-1G4D1 -
RFQ
ECAD 4409 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240 лет СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 1 год 1333
MT16HTF25664AY-667E1 Micron Technology Inc. MT16HTF25664AY-667E1 -
RFQ
ECAD 6068 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240 лет СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 557-1347 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 2 гр 667
MT18HTF25672PY-667E1 Micron Technology Inc. MT18HTF25672PY-667E1 -
RFQ
ECAD 3366 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-RDIMM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 557-1348 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 2 гр 667
MT4HTF6464HY-667E1 Micron Technology Inc. MT4HTF6464HY-667E1 -
RFQ
ECAD 9029 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 200-sodimm MT4HTF - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 557-1350 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 512 мБ 667
MT16HTS51264HY-667A1 Micron Technology Inc. MT16HTS51264HY-667A1 335.4210
RFQ
ECAD 3376 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Пркрэно 200-sodimm СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 4 гб 667
MT18HVS51272PKY-667A1 Micron Technology Inc. MT18HVS51272PKY-667A1 -
RFQ
ECAD 1937 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 244-Minirdimm СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 4 гб 667
MT36HTF51272FY-80EE1D4 Micron Technology Inc. MT36HTF51272FY-80EE1D4 -
RFQ
ECAD 9063 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 240-FBDIMM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0036 100 DDR2 SDRAM 4 гб 800
MT72HTS1G72PY-53EE1 Micron Technology Inc. MT72HTS1G72PY-53EE1 -
RFQ
ECAD 9462 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 240-RDIMM - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 8 gb 533
MT9HTF6472RHY-667D1 Micron Technology Inc. MT9HTF6472RHY-667D1 -
RFQ
ECAD 4789 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 200-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 512 мБ 667
MT9ASF51272AZ-2G1AZES Micron Technology Inc. MT9ASF51272AZ-2G1AZES -
RFQ
ECAD 1755 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо - - Rohs3 3 (168 чASOW) Q7537985 Ear99 8542.32.0036 1 DDR4 SDRAM 4 гб 2133
MTFDDAK120MAV-1AE12ABYY Micron Technology Inc. MTFDDAK120MAV-1AE12ABYY -
RFQ
ECAD 1943 0,00000000 Micron Technology Inc. M500 МАССА Управо 0 ° C ~ 70 ° C. 100,45 мм х 69,85 мм х 7,00 мм SATA III 2,47 Унигии (70,38 g) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 557-1607 3A991B1A 8471.70.6000 50 Solid State Drive (SSD) Flash - NAND (MLC) 120 гр 2.5 " 500 мБ/с 130 мБ/с -
MTFDDAK240MAV-1AE12ABYY Micron Technology Inc. MTFDDAK240MAV-1AE12ABYY -
RFQ
ECAD 8579 0,00000000 Micron Technology Inc. M500 МАССА Управо 0 ° C ~ 70 ° C. 100,45 мм х 69,85 мм х 7,00 мм SATA III 2,47 Унигии (70,38 g) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 557-1606 3A991B1A 8471.70.6000 50 Solid State Drive (SSD) Flash - NAND (MLC) 240 2.5 " 500 мБ/с 250 мБ/с -
MTEDCBR002SAJ-1M2 Micron Technology Inc. Mtedcbr002saj-1m2 30.5100
RFQ
ECAD 148 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо Модул СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 150 Flash - nand (SLC) 2 гр -
MTEDCBR004SAJ-1N2 Micron Technology Inc. Mtedcbr004saj-1n2 -
RFQ
ECAD 7269 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо Модул СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 150 Flash - nand (SLC) 4 гб -
MTEDCBR008SAJ-1N2 Micron Technology Inc. Mtedcbr008saj-1n2 -
RFQ
ECAD 4158 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо Модул СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 150 Flash - nand (SLC) 8 gb -
MTEDCBR016SAJ-1N2 Micron Technology Inc. Mtedcbr016saj-1n2 -
RFQ
ECAD 8709 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо Модул СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 100 Flash - nand (SLC) 16 гр -
MTEDCBR016SAJ-1N2IT Micron Technology Inc. Mtedcbr016saj-1n2it -
RFQ
ECAD 6638 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо Модул СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 150 Flash - nand (SLC) 16 гр -
MTFDDAK100MAN-1S1AA Micron Technology Inc. MTFDDAK100MAN-1S1AA -
RFQ
ECAD 7862 0,00000000 Micron Technology Inc. P400M Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C. 100,50 мм х 69,85 мм х 7,00 мм SATA III - - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B1A 8471.70.9000 50 Solid State Drive (SSD) Flash - NAND (MLC) 100 -е 2.5 " 380 мБ/с 200 мБ/с -
MTFDGAR700MAX-1AG1ZABEA Micron Technology Inc. MTFDGAR700MAX-1AG1ZABEA -
RFQ
ECAD 9532 0,00000000 Micron Technology Inc. P420M Поднос Управо 0 ° C ~ 50 ° C. 68,90 мм x 167,65 мм - 7,04 Унигии (199,6 g) 12 - Rohs3 1 (neograniчennnый) 3A991B1A 8471.70.9000 50 Solid State Drive (SSD) Flash - NAND (MLC) 700 -е PCIE 2.0 3,3 -gb/s 630 мБ/с -
MT16JTF51264AZ-1G6K1 Micron Technology Inc. MT16JTF51264AZ-1G6K1 -
RFQ
ECAD 1333 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240 лет СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 4 гб 1600
MT18HTF12872Z-40EG1 Micron Technology Inc. MT18HTF12872Z-40EG1 -
RFQ
ECAD 6260 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо - - Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1 год 400
MT18JDF1G72AZ-1G6E1 Micron Technology Inc. MT18JDF1G72AZ-1G6E1 -
RFQ
ECAD 4029 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240 лет - Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 8 gb 1600
MT18JDF1G72PDZ-1G6E1 Micron Technology Inc. MT18JDF1G72PDZ-1G6E1 -
RFQ
ECAD 2750 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-RDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 8 gb 1600
MT18JDF1G72PDZ-1G9E2 Micron Technology Inc. MT18JDF1G72PDZ-1G9E2 -
RFQ
ECAD 9565 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 240-RDIMM - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 8 gb 1866
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе