SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Raзmer / yзmerenee PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta Тела МАССА Napraheneee - posta Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Форм -Фактор Скороп СКОРЕСТА - НАПИАНА ТОК - МАКС SkoRoSTHPEREDAчI (MB/S, MT/S, MHZ)
AW12M7268BLK0M ATP Electronics, Inc. AW12M7268BLK0M 61.7519
RFQ
ECAD 2523 0,00000000 ATP Electronics, Inc. - Поднос Актифен 204-Udimm AW12M7268 - Rohs3 DOSTISH Ear99 8473.30.1140 50 4 гб
AQ24M72E8BLF8M ATP Electronics, Inc. AQ24M72E8BLF8M 118.1200
RFQ
ECAD 4316 0,00000000 ATP Electronics, Inc. - МАССА Актифен Модул AQ24M72 - Rohs3 DOSTISH Ear99 8473.30.1140 50 8 gb
AQ24P72Y8BLK0M ATP Electronics, Inc. AQ24P72Y8BLK0M 108.5280
RFQ
ECAD 6186 0,00000000 ATP Electronics, Inc. - МАССА Актифен Модул AQ24P72 - Rohs3 DOSTISH Ear99 8473.30.1140 50 8 gb
A4D04QA8BLPBSE ATP Electronics, Inc. A4D04QA8BLPBSE 44 7838
RFQ
ECAD 7811 0,00000000 ATP Electronics, Inc. - МАССА Актифен Модул A4D04 - Rohs3 DOSTISH Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 4 гб 2400
AQ56M64A8BKH9S ATP Electronics, Inc. AQ56M64A8BKH9S 32 5185
RFQ
ECAD 2508 0,00000000 ATP Electronics, Inc. - Поднос Актифен Модул AQ56M64 - Rohs3 DOSTISH Ear99 8473.30.1140 50 2 гр
AL48M72E4BLH9M ATP Electronics, Inc. AL48M72E4BLH9M 265.1355
RFQ
ECAD 3475 0,00000000 ATP Electronics, Inc. - Поднос Актифен Модул AL48M72 - Rohs3 DOSTISH Ear99 8473.30.1140 50 16 гр
A4G08QA8BNPBSE ATP Electronics, Inc. A4G08QA8BNPBSE 65 9300
RFQ
ECAD 6034 0,00000000 ATP Electronics, Inc. - МАССА Актифен 260-Sodimm A4G08 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 8 gb 2133
AW12M7268BLF8M ATP Electronics, Inc. AW12M7268BLF8M 61.7519
RFQ
ECAD 3013 0,00000000 ATP Electronics, Inc. - Поднос Актифен 204-Udimm AW12M7268 - Rohs3 DOSTISH Ear99 8473.30.1140 50 4 гб
AY12P7258BLF8M ATP Electronics, Inc. AY12P7258BLF8M 63 7469
RFQ
ECAD 7251 0,00000000 ATP Electronics, Inc. - МАССА Актифен 204-Minirdimm AY12P7258 - Rohs3 DOSTISH Ear99 8473.30.1140 50 4 гб
AL56P72A8BKH9S ATP Electronics, Inc. AL56P72A8BKH9S 43.1984
RFQ
ECAD 8154 0,00000000 ATP Electronics, Inc. - МАССА Актифен Модул AL56P72 - Rohs3 DOSTISH Ear99 8473.30.1140 50 2 гр
AL12P72A8BLF8M ATP Electronics, Inc. AL12P72A8BLF8M 64 7444
RFQ
ECAD 9205 0,00000000 ATP Electronics, Inc. - МАССА Актифен Модул AL12 - Rohs3 DOSTISH Ear99 8473.30.1140 50 4 гб
A408Q18BNPBSE ATP Electronics, Inc. A408Q18BNPBSE 116.9832
RFQ
ECAD 2665 0,00000000 ATP Electronics, Inc. - МАССА Актифен 288-Miniudimm A408Q18 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 3A991B2A 8471.70.9000 25 DDR4 SDRAM 8 gb 2400
AW56M7258BKK0M ATP Electronics, Inc. AW56M7258BKK0M 47.2307
RFQ
ECAD 5611 0,00000000 ATP Electronics, Inc. - МАССА Актифен 204-RDIMM AW56M7258 - Rohs3 DOSTISH Ear99 8473.30.1140 10 2 гр
AW56M7218BKF8S ATP Electronics, Inc. AW56M7218BKF8S 44 4344
RFQ
ECAD 6098 0,00000000 ATP Electronics, Inc. - МАССА Актифен 240-й днаний AW56M7218 - Rohs3 DOSTISH Ear99 8473.30.1140 50 2 гр
A4B32QB4BNPBSE ATP Electronics, Inc. A4B32QB4BNPBSE 210.2126
RFQ
ECAD 7993 0,00000000 ATP Electronics, Inc. - Поднос Актифен Модул A4B32 - Rohs3 DOSTISH Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 32 gb 2400
AW12P7218BLK0M ATP Electronics, Inc. AW12P7218BLK0M 75 8600
RFQ
ECAD 35 0,00000000 ATP Electronics, Inc. - МАССА Актифен 204-Sodimm AW12 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8473.30.1140 50 DDR3L SDRAM 4 гб 1600
AY24M7228BLK0S ATP Electronics, Inc. AY24M7228BLK0S 71.8200
RFQ
ECAD 6231 0,00000000 ATP Electronics, Inc. - МАССА Актифен 204-Minirdimm AY24M7228 - Rohs3 DOSTISH Ear99 8473.30.1140 50 8 gb
AW24M7228BLH9S ATP Electronics, Inc. AW24M7228BLH9S 81.1356
RFQ
ECAD 9976 0,00000000 ATP Electronics, Inc. - МАССА Актифен 240-й днаний AW24M7228 - Rohs3 DOSTISH Ear99 8473.30.1140 50 8 gb
AQ12P72D8BLK0S ATP Electronics, Inc. AQ12P72D8BLK0S 46.4514
RFQ
ECAD 5342 0,00000000 ATP Electronics, Inc. - МАССА Актифен Модул AQ12P72 - Rohs3 DOSTISH Ear99 8473.30.1140 50 4 гб
AF128GSSCJ-OEM ATP Electronics, Inc. AF128GSSCJ-OEM 1.0000
RFQ
ECAD 2 0,00000000 ATP Electronics, Inc. - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. 100,0 мм x 69,90 мм х 9,20 мм SATA III AF128 - - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B1A 8523.51.0000 1 Twerotelnыйprivod (ssd) Flash - nand (slc) 128 gb 2.5 " 520 мБ/с 420 мБ/с -
AF128GSSEL-OEM ATP Electronics, Inc. AF128GSSEL-OEM 985 4800
RFQ
ECAD 3 0,00000000 ATP Electronics, Inc. - Коробка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. 54,00 мм x 39,00 мм х 4,00 мм SATA III AF128 - - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B1A 8523.51.0000 1 Twerotelnыйprivod (ssd) Flash - nand (slc) 128 gb Слим-Ката 530 мБ/с 430 мБ/с -
AF32GSD3-OEM ATP Electronics, Inc. AF32GSD3-OEM 46.2400
RFQ
ECAD 3128 0,00000000 ATP Electronics, Inc. - Поднос Актифен -25 ° C ~ 85 ° C. AF32 MLC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B1A 8523.51.0000 1 Клас 10 SDHC ™ 32 gb
AF32GUD3-OEM ATP Electronics, Inc. AF32GUD3-OEM 53 6500
RFQ
ECAD 9744 0,00000000 ATP Electronics, Inc. - Коробка Актифен -25 ° C ~ 85 ° C. AF32 MLC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B1A 8523.51.0000 1 Клас 10 MicroSD ™ 32 gb
AF4GUD3A-OEM ATP Electronics, Inc. AF4GUD3A-OEM 15.7800
RFQ
ECAD 5613 0,00000000 ATP Electronics, Inc. - Коробка Актифен -25 ° C ~ 85 ° C. AF4G AMLC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B1A 8523.51.0000 1 Клас 10 MicroSD ™ 4 гб
AF4GSSHI-AACXP ATP Electronics, Inc. AF4GSSHI-AACXP 48.3300
RFQ
ECAD 2010 ГОД 0,00000000 ATP Electronics, Inc. * МАССА Актифен AF4GSSHI - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1282-AF4GSSHI-AACXP 3A991B1A 8471.70.6000 1
AF64GUD4A-BBBIM ATP Electronics, Inc. AF64GUD4A-BBBIM 129 3600
RFQ
ECAD 16 0,00000000 ATP Electronics, Inc. - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AF64GUD4 PSLC - Rohs3 DOSTISH 1282-AF64GUD4A-BBBIM 3A991B1A 8523.51.0000 120 Клас 10, Клас Эхс 3 MicroSDXC ™ 64 -й
A4F32Q28BVTDME ATP Electronics, Inc. A4F32Q28BVTDME 321.6200
RFQ
ECAD 20 0,00000000 ATP Electronics, Inc. - Поднос Актифен 260-й A4F32 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1282-A4F32Q28BVTDME Ear99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 32 gb 2666
AF1T92STJA-8BAIP ATP Electronics, Inc. AF1T92STJA-8BAIP -
RFQ
ECAD 4499 0,00000000 ATP Electronics, Inc. 2280-d2-m Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. 80,00 мм х 22,00 мм х 3,50 мм Nvme AF1T92 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1282-AF1T92STJA-8BAIP 3A991B1A 8471.70.6000 32 Twerotelnыйprivod (ssd) Flash - nand (3d) 1,92 М.2 МОДУЛ, PCIE 3,28 gb/s 3,05 -gb/s
AF960GSTJA-8BAIP ATP Electronics, Inc. AF960GSTJA-8BAIP -
RFQ
ECAD 8057 0,00000000 ATP Electronics, Inc. 2280-d2-m Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. 80,00 мм х 22,00 мм х 3,50 мм Nvme AF960 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1282-AF960GSTJA-8BAIP 3A991B1A 8471.70.6000 32 Twerotelnыйprivod (ssd) Flash - nand (3d) 960 gb М.2 МОДУЛ, PCIE
AF480GSTJA-8BAIP ATP Electronics, Inc. AF480GSTJA-8BAIP -
RFQ
ECAD 9353 0,00000000 ATP Electronics, Inc. 2280-d2-m Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. 80,00 мм х 22,00 мм х 3,50 мм Nvme AF480 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1282-AF480GSTJA-8BAIP 3A991B1A 8471.70.6000 32 Twerotelnыйprivod (ssd) Flash - nand (3d) 480 gb М.2 МОДУЛ, PCIE 3,44 gb/s 2,35 -gb/s
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе