SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Размер / Размер Тип Функции Базовый номер продукта Цвет Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Конфигурация Ток - Макс. Длина волны Высота Напряжение — прямое (Vf) (тип.) Текущий — Тест Угол обзора ЦКТ (К) Световой поток при силе тока/температуры Температура - Тест Люмен/Ватт@ток — тест CRI (индекс цветопередачи) Светоизлучающая поверхность (LES) Тип объектива
SPHWHAHDNE27YZT3D4 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNE27YZT3D4 4.8900
запросить цену
ECAD 246 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen4 Масса Активный 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNE27 Белый, Нейтральный скачать Соответствует ROHS3 2А (4 недели) REACH не касается 1510-SPHWHAHDNE27YZT3D4 EAR99 8541.41.0000 250 Квадрат 1,15 А - 1,70 мм 33,6 В 450 мА 115° 4000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 2344 лм (тип.) 85°С 155 лм/Вт 90 Диаметр 14,50 мм Плоский
SPHWW1HDNC23YHTN3F Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDNC23YHTN3F -
запросить цену
ECAD 5421 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC026B Поднос Устаревший 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWW1 Белый, Нейтральный - Соответствует RoHS 2А (4 недели) EAR99 8541.41.0000 300 Квадрат 1,3А - 1,50 мм 35,5 В 720 мА 115° 4000К 3897 лм (3 429 лм ~ 4 365 лм) 25°С 152 лм/Вт 70 Диаметр 17,00 мм Плоский
SI-B8V051280US Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8V051280US 6.8800
запросить цену
ECAD 313 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LT-Q282A Поднос Активный 275,00 мм Д x 18,00 мм Ш Светодиодный двигатель - СИ-Б8 Белый, Теплый скачать Непригодный 1510-2281 EAR99 8541.41.0000 400 Линейная световая полоса - - 5,80 мм 11В 450 мА - 3000К 920 лм (тип.) 40°С 186 лм/Вт 80 - Плоский
SPHWHAHDNB25YZR3D1 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHHAHDNB25YZR3D1 -
запросить цену
ECAD 6534 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC006D Поднос Устаревший 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHHAHDNB25 Белый, Холодный скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) EAR99 8541.41.0000 2400 Квадрат 460 мА - 1,50 мм 34,6 В 180 мА 115° 5000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 975 лм (тип.) 85°С 157 лм/Вт 80 Диаметр 9,80 мм Плоский
SPHWHAHDNG27YZR3D2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNG27YZR3D2 3,2872
запросить цену
ECAD 1477 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen2 Поднос Не для новых дизайнов 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNG27 Белый, Холодный скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) EAR99 8541.41.0000 500 Квадрат 1,84А - 1,50 мм 34,6 В 720 мА 115° 5000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 3416 лм (тип.) 85°С 137 лм/Вт 90 Диаметр 14,50 мм Плоский
SL-PGR2W52SBGL Samsung Semiconductor, Inc. SL-PGR2W52SBGL -
запросить цену
ECAD 4957 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. Т-тип Gen2 Поднос Активный 150,00 мм Д x 65,00 мм Ш Светодиодный модуль - СЛ-ПГР2 Белый, Холодный скачать Соответствует RoHS Непригодный 1510-1704 гг. EAR99 8541.41.0000 12 Прямоугольник - 43,70 мм 30В 700 мА - 5000К 2300 лм (тип.) 58°С 119 лм/Вт 76 - Куполообразный
SPHWHAHDNE25YZW2DB Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNE25YZW2DB 1,3923
запросить цену
ECAD 7736 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen2 Плюс Поднос Активный 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNE25 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) 1510-SPWHHAHDNE25YZW2DB EAR99 8541.41.0000 250 Квадрат 900 мА - 1,50 мм 34В 450 мА 115° 2700К 2-ступенчатый эллипс МакАдама 2305 лм (тип.) 85°С 151 лм/Вт 80 Диаметр 14,50 мм Плоский
SI-B8T342B2CUS Samsung Semiconductor, Inc. СИ-B8T342B2CUS 12.2800
запросить цену
ECAD 189 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. V-серия Gen2 Масса Устаревший 1120,00 мм Д x 18,00 мм Ш Светодиодный модуль - СИ-Б8 Белый, Нейтральный скачать 1 (без блокировки) 1510-SI-B8T342B2CUS EAR99 8541.41.0000 200 Линейная световая полоса 900 мА - 5,50 мм 46,4 В 700 мА - 4000К 5620 лм (тип.) 50°С 173 лм/Вт 80 - Плоский
SPHWHAHDNC25YZT3D2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNC25YZT3D2 1,2304
запросить цену
ECAD 7634 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen2 Поднос Не для новых дизайнов 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNC25 Белый, Нейтральный скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) EAR99 8541.41.0000 1000 Квадрат 690мА - 1,50 мм 34,6 В 270 мА 115° 4000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 1494 лм (тип.) 85°С 160 лм/Вт 80 Диаметр 9,80 мм Плоский
SPHWH2HDNA05YHW3C1 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWH2HDNA05YHW3C1 2,7247
запросить цену
ECAD 4524 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC010C Поднос Не для новых дизайнов 15,00 мм Д x 12,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWH2 Белый, Теплый - Соответствует RoHS 2А (4 недели) 1510-1751 гг. EAR99 8541.41.0000 624 Прямоугольник 405 мА - 1,50 мм 34,5 В 270 мА 115° 2700К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 1070 лм (тип.) 85°С 115 лм/Вт 80 Диаметр 6,00 мм Плоский
SPHCW1HDNE25YHR34J Samsung Semiconductor, Inc. SPHCW1HDNE25YHR34J -
запросить цену
ECAD 7900 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC040B Коробка Устаревший 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHCW1 Белый, Холодный - Соответствует RoHS 2А (4 недели) EAR99 8541.41.0000 320 Квадрат 1,9 А - 1,50 мм 35,5 В 1,08А - 5000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 5440 лм (тип.) 25°С 142 лм/Вт 80 Диаметр 17,00 мм Плоский
SPHWHAHDNH23YZR3D4 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHHAHDNH23YZR3D4 7.8200
запросить цену
ECAD 197 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen4 Масса Активный 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHHAHDNH23 Белый, Холодный скачать Соответствует ROHS3 2А (4 недели) REACH не касается 1510-SPWHHAHDNH23YZR3D4 EAR99 8541.41.0000 250 Квадрат 2,3А - 1,70 мм 33,6 В 900 мА 115° 5000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 5554 лм (тип.) 85°С 184 лм/Вт 70 Диаметр 14,50 мм Плоский
SPHCW1HDNC25YHRT3F Samsung Semiconductor, Inc. SPHCW1HDNC25YHRT3F 5.3506
запросить цену
ECAD 4692 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC026B Поднос Не для новых дизайнов 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHCW1 Белый, Холодный - Соответствует RoHS 2А (4 недели) EAR99 8541.41.0000 300 Квадрат 1,3А - 1,50 мм 35,5 В 720 мА 115° 5000К 3360 лм (2900 лм ~ 3820 лм) 25°С 131 лм/Вт 80 Диаметр 17,00 мм Плоский
SPHWHAHDNC27YZW2DB Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNC27YZW2DB 0,8297
запросить цену
ECAD 5506 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen2 Плюс Поднос Активный 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNC27 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) 1510-SPHHAHDNC27YZW2DB EAR99 8541.41.0000 500 Квадрат 540 мА - 1,50 мм 34В 270 мА 115° 2700К 2-ступенчатый эллипс МакАдама 1158 лм (тип.) 85°С 126 лм/Вт 90 Диаметр 9,80 мм Плоский
SI-B8T281510WW Samsung Semiconductor, Inc. СИ-B8T281510WW -
запросить цену
ECAD 5318 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. * Поднос Устаревший СИ-Б8 - Непригодный 1510-SI-B8T281510WW EAR99 8541.41.0000 1
SPHWHAHDNA27YZU3D2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNA27YZU3D2 0,5645
запросить цену
ECAD 3945 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen2 Поднос Не для новых дизайнов 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNA27 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) EAR99 8541.41.0000 1000 Квадрат 230 мА - 1,50 мм 34,6 В 90 мА 115° 3500К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 419 лм (тип.) 85°С 135 лм/Вт 90 Диаметр 9,80 мм Плоский
SPHCW1HDN945YHR3KE Samsung Semiconductor, Inc. SPHCW1HDN945YHR3KE -
запросить цену
ECAD 1238 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC008B Коробка Устаревший 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHCW1 Белый, Холодный - Соответствует RoHS 2А (4 недели) EAR99 8541.41.0000 672 Квадрат 420 мА - 1,60 мм 36,5 В 240 мА - 5000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 1244 лм (тип.) 25°С 142 лм/Вт 80 Диаметр 8,00 мм Плоский
SI-N8U1712B0WW Samsung Semiconductor, Inc. СИ-N8U1712B0WW -
запросить цену
ECAD 3266 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. Раунд-050Д Поднос Устаревший Диаметр 50,00 мм Светодиодный модуль - СИ-Н8У Белый, Теплый - Соответствует RoHS Непригодный 1510-1663 гг. EAR99 8541.41.0000 360 Круглый 700 мА - 3,70 мм 23,7 В 700 мА 115° 3500К 2120 лм (тип.) 25°С 128 лм/Вт 80 - Плоский
SI-B8T341560WW Samsung Semiconductor, Inc. СИ-B8T341560WW -
запросить цену
ECAD 3524 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LT-F562A Поднос Устаревший 560,00 мм Д x 18,00 мм Ш Светодиодный модуль С разъемом СИ-Б8 Белый, Нейтральный - Соответствует RoHS 1 (без блокировки) 15.10-11.21 EAR99 8541.41.0000 40 Линейная световая полоса - - 5,20 мм 24,7 В 1,35 А 115° 4000К 4-ступенчатый эллипс МакАдама 4510 лм (тип.) - 135 лм/Вт 80 - Плоский
SPHWHAHDNF25YZW3J3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNF25YZW3J3 -
запросить цену
ECAD 4178 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC019D Поднос Устаревший 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNF25 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) 1510-1934 гг. EAR99 8541.41.0000 1600 Квадрат 1,38А - 1,50 мм 34,6 В 540 мА 115° 2700К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 2458 лм (тип.) 85°С 132 лм/Вт 80 Диаметр 14,50 мм Плоский
SI-B8V171560WW Samsung Semiconductor, Inc. СИ-B8V171560WW -
запросить цену
ECAD 2854 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. ЛТ-М562С Поднос Устаревший 560,00 мм Д x 18,00 мм Ш Светодиодный модуль С разъемом СИ-Б8 Белый, Теплый - Соответствует RoHS 1 (без блокировки) 15.10-11.42 EAR99 8541.41.0000 40 Линейная световая полоса 900 мА - 5,80 мм 24В 700 мА 115° 3000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 2350 лм (тип.) 50°С 140 лм/Вт 80 - Плоский
SPHWHAHDNG27YZV2D1 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNG27YZV2D1 -
запросить цену
ECAD 9041 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. LC026D Поднос Устаревший 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNG27 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) EAR99 8541.41.0000 1600 Квадрат 1,84А - 1,50 мм 34,6 В 720 мА 115° 3000К 2-ступенчатый эллипс МакАдама 3048 лм (тип.) 85°С 122 лм/Вт 90 Диаметр 14,50 мм Плоский
SI-B8RZ91B2CUS Samsung Semiconductor, Inc. СИ-B8RZ91B2CUS 24.9700
запросить цену
ECAD 23 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. ЛТ-ВБ24Ф Поднос Устаревший 1200,00 мм Д x 39,80 мм Ш Светодиодный модуль - СИ-Б8 Белый, Холодный скачать Непригодный EAR99 8541.41.0000 160 Линейная световая полоса 3,24А - 5,50 мм 48,8 В 2,24А - 5000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 15632лм (14070лм ~ 17195лм) 65°С 143 лм/Вт 80 - Плоский
SI-N9W1624B1US Samsung Semiconductor, Inc. СИ-N9W1624B1US -
запросить цену
ECAD 5455 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. АКОМ Масса Устаревший Диаметр 100,00 мм Светодиодный модуль - СИ-N9W Белый, Теплый скачать 1 (без блокировки) 1510-SI-N9W1624B1US EAR99 8541.41.0000 144 Круглый - - 11,00 мм 120 В - 115° 2700К 1630 лм (тип.) 25°С 94 лм/Вт 90 - Плоский
SPHWHAHDNB25YZU2DB Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHHAHDNB25YZU2DB 0,6413
запросить цену
ECAD 9862 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen2 Плюс Поднос Активный 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHHAHDNB25 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) 1510-SPHWHHAHDNB25YZU2DB EAR99 8541.41.0000 500 Квадрат 360 мА - 1,50 мм 34В 180 мА 115° 3500К 2-ступенчатый эллипс МакАдама 1001 лм (тип.) 85°С 164 лм/Вт 80 Диаметр 9,80 мм Плоский
SPHWHAHDND27YZW3DB Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDND27YZW3DB 3.0500
запросить цену
ECAD 283 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen2 Плюс Поднос Активный 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDND27 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) 1510-SPHWHHAHDND27YZW3DB EAR99 8541.41.0000 500 Квадрат 720 мА - 1,50 мм 34В 360 мА 115° 2700К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 1486 лм (тип.) 85°С 121 лм/Вт 90 Диаметр 9,80 мм Плоский
SPHWHAHDNG27YZW3DB Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNG27YZW3DB 5.2000
запросить цену
ECAD 245 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen2 Плюс Поднос Активный 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNG27 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) 1510-SPWHHAHDNG27YZW3DB EAR99 8541.41.0000 250 Квадрат 1,44А - 1,50 мм 34В 720 мА 115° 2700К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 3048 лм (тип.) 85°С 125 лм/Вт 90 Диаметр 14,50 мм Плоский
SPHWHAHDNF27YZV2D3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNF27YZV2D3 2,4970
запросить цену
ECAD 3747 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. УДАРА D Gen3 Поднос Не для новых дизайнов 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNF27 Белый, Теплый скачать EAR99 8541.41.0000 500 Квадрат 1,38А - 1,50 мм 34В 540 мА 115° 3000К 2-ступенчатый эллипс МакАдама 2554 лм (тип.) 85°С 139 лм/Вт 90 Диаметр 14,50 мм Плоский
SPHWHAHDNG28YZR3D2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNG28YZR3D2 3.3332
запросить цену
ECAD 1614 г. 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen2 Поднос Активный 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNG28 Белый, Холодный скачать EAR99 8541.41.0000 500 Квадрат 1,84А - 1,50 мм 34,6 В 720 мА 115° 5000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 2809 лм (тип.) 85°С 113 лм/Вт - Диаметр 14,50 мм Плоский
SPHWHAHDNC25YZV3DC Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNC25YZV3DC 2.8000
запросить цену
ECAD 500 0,00000000 Самсунг Полупроводник, Инк. COB D Gen3 Плюс Коробка Активный 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Чип на плате (COB) - SPHWHAHDNC25 Белый, Теплый скачать Соответствует RoHS 2А (4 недели) 1510-SPHWHAHDNC25YZV3DC EAR99 8541.41.0000 500 Квадрат 540 мА - 1,50 мм 33,7 В 270 мА 115° 3000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама 1463 лм (тип.) 85°С 161 лм/Вт 80 Диаметр 9,80 мм Плоский
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе