SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Raзmer / yзmerenee PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ЦВ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Дисплэхтип Millicandela Rating На ТОК - ТЕСА Пейк Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Колистви Симиволов Цipra/alypa -raзmer Обжиг
LA-601EL Rohm Semiconductor LA-601EL 4.9700
RFQ
ECAD 2009 0,00000000 ROHM Semiconductor - МАССА Актифен 0,748 "H x 0,492" W x 0,315 "D (19,00 мм x 12,50 мм x 8,00 мм) 10-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) LA-601 Апельсин СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 60 7-й смен 90mcd 2,05 10 май 610 nm 65 м 1 0,58 "(14,60 мм) ОБИГИЯ КАТОД
LA-401EN Rohm Semiconductor La-401en 2.8683
RFQ
ECAD 4507 0,00000000 ROHM Semiconductor - МАССА Актифен 0,512 "H x 0,378" W x 0,276 "D (13,00 мм x 9,60 мм x 7,00 мм) 10-DIP (0,300 ", 7,62 ММ) LA-401 Апельсин СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 120 7-й смен 90mcd 2,05 10 май 610 nm 65 м 1 0,40 "(10,16 мм) ОБИГИЯ КАТОД
LB-602BA2 Rohm Semiconductor LB-602BA2 -
RFQ
ECAD 4921 0,00000000 ROHM Semiconductor - МАССА Управо 0,748 "H x 0,984" W x 0,315 "D (19,00 мм x 25,00 мм x 8,00 мм) 18-Dip LB-602 Сини СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 300 7-й смен 56 мкд 3,6 В. 10 май 470 nm 42 м 2 0,56 "(14,30 мм) ОБИГИЯ АНОД
LAP-401YN Rohm Semiconductor LAP-401YN 2.5511
RFQ
ECAD 3325 0,00000000 ROHM Semiconductor LAP-41 D/N. МАССА В аспекте 0,512 "H x 0,378" W x 0,276 "D (13,00 мм x 9,60 мм x 7,00 мм) 10-DIP (0,300 ", 7,62 ММ) LAP-401 ЖEltый СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH LAP401YN Ear99 8541.41.0000 120 7-й смен 450 мкд 1,9 10 май 590 nm 448 м 1 0,40 "(10,16 мм) ОБИГИЯ КАТОД
LB-602EA2 Rohm Semiconductor LB-602EA2 9.1600
RFQ
ECAD 250 0,00000000 ROHM Semiconductor LB-602 A/K2 МАССА Актифен 0,748 "H x 0,984" W x 0,315 "D (19,00 мм x 25,00 мм x 8,00 мм) 18-Dip (0,600 ", 15,24 ММ) LB-602 Апельсин СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 846-FUNT-602EA2 Ear99 8541.41.0000 300 7-й смен 90mcd 2,05 25 май 610 nm 65 м 2 0,56 "(14,30 мм) ОБИГИЯ АНОД
LAP-601VL Rohm Semiconductor LAP-601VL 4.0600
RFQ
ECAD 11 0,00000000 ROHM Semiconductor LAP-601 B/L. МАССА Актифен 0,748 "H x 0,492" W x 0,315 "D (19,00 мм x 12,50 мм x 8,00 мм) 10-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) LAP-601 Красн СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 60 7-й смен 36 мкд 1,9 10 май 650 nm 448 м 1 0,58 "(14,60 мм) ОБИГИЯ КАТОД
LB-302VF Rohm Semiconductor LB-302VF 4.1199
RFQ
ECAD 3319 0,00000000 ROHM Semiconductor - МАССА В аспекте 0,591 "H x 0,610" W x 0,283 "D (15,00 мм x 15,50 мм x 7,20 мм) 10-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) LB-302 Красн СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 500 7-й смен 6,3 мкд 10 май 650 nm 50 м 2 0,30 "(7,62 ММ) ОБИГИЯ АНОД
LBP-602DK2 Rohm Semiconductor LBP-602DK2 4.6600
RFQ
ECAD 143 0,00000000 ROHM Semiconductor LBP-602 A/K2 МАССА Актифен 0,748 "H x 0,984" W x 0,315 "D (19,00 мм x 25,00 мм x 8,00 мм) 18-Dip (0,600 ", 15,24 ММ) LBP-602 Апельсин СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 300 7-й смен 250mcd 1,9 10 май 605 nm 896 м 2 0,56 "(14,30 мм) ОБИГИЯ КАТОД
LB-203VLM Rohm Semiconductor LB-203VLM -
RFQ
ECAD 7647 0,00000000 ROHM Semiconductor * МАССА Управо LB-203 - Rohs3 DOSTISH 846-Фунт-203VLM Ear99 8541.41.0000 1
LB-203VBL Rohm Semiconductor LB-203VBL -
RFQ
ECAD 2921 0,00000000 ROHM Semiconductor * МАССА Управо LB-203 - Rohs3 DOSTISH 846-FUNT-203VBL Ear99 8541.41.0000 1
LA-601BB Rohm Semiconductor LA-601BB 18.5100
RFQ
ECAD 22 0,00000000 ROHM Semiconductor - МАССА В аспекте 0,748 "H x 0,492" W x 0,315 "D (19,00 мм x 12,50 мм x 8,00 мм) 10-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) LA-601 Сини СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 60 7-й смен 56 мкд 3,6 В. 10 май 470 nm 42 м 1 0,58 "(14,60 мм) ОБИГИЯ АНОД
LBP-602VK2 Rohm Semiconductor LBP-602VK2 3.9700
RFQ
ECAD 7083 0,00000000 ROHM Semiconductor LBP-602 A/K2 МАССА Актифен 0,748 "H x 0,984" W x 0,315 "D (19,00 мм x 25,00 мм x 8,00 мм) 18-Dip (0,600 ", 15,24 ММ) LBP-602 Красн СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 300 7-й смен 36 мкд 1,9 10 май 650 nm 896 м 2 0,56 "(14,30 мм) ОБИГИЯ КАТОД
LA-101MA Rohm Semiconductor LA-101MA 23.9800
RFQ
ECAD 64 0,00000000 ROHM Semiconductor LA-101AK МАССА В аспекте 1 339 "H x 0,945" W x 0,413 "D (34,00 мм x 24,00 мм x 10,50 мм) 10-DIP (1200 ", 30,48 ММ) LA-101 Зelenый - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 846-LA-101MA Ear99 8541.41.0000 100 7-й смен 16 мкд 2.1 10 май 563 nm 640 м 1 1,00 "(25,40 мм) ОБИГИЯ АНОД
LAP-401VD Rohm Semiconductor LAP-401VD 5.3200
RFQ
ECAD 50 0,00000000 ROHM Semiconductor ДУМОВ МАССА Актифен 0,512 "H x 0,378" W x 0,276 "D (13,00 мм x 9,60 мм x 7,00 мм) 10-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) LAP-401 Красн - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 846-Lap-401VD Ear99 8541.41.0000 120 7-й смен 36 мкд 1,9 10 май 650 nm 448 м 1 0,40 "(10,16 мм) ОБИГИЯ АНОД
LAP-301VL Rohm Semiconductor LAP-301VL 5.1700
RFQ
ECAD 63 0,00000000 ROHM Semiconductor Л МАССА Актифен 0,433 "H x 0,276" W x 0,197 "D (11,00 мм x 7,00 мм x 5,00 мм) 10-DIP (0,300 ", 7,62 ММ) LAP-301 Красн - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 846-Lap-301VL Ear99 8541.41.0000 160 7-й смен 36 мкд 1,9 10 май 650 nm 448 м 1 0,32 "(8,00 мм) ОБИГИЯ КАТОД
LBP-602MK2 Rohm Semiconductor LBP-602MK2 7 9900
RFQ
ECAD 210 0,00000000 ROHM Semiconductor LBP-602 A/K2 МАССА Актифен 0,748 "H x 0,984" W x 0,315 "D (19,00 мм x 25,00 мм x 8,00 мм) 18-Dip (0,600 ", 15,24 ММ) LBP-602 Зelenый СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 300 7-й смен 100 мкд 1,9 20 май 572NM 56 м 2 0,56 "(14,30 мм) ОБИГИЯ КАТОД
LA-401VD Rohm Semiconductor LA-401VD 3.3200
RFQ
ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor - МАССА Актифен 0,512 "H x 0,378" W x 0,276 "D (13,00 мм x 9,60 мм x 7,00 мм) 10-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) LA-401 Красн СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 120 7-й смен 16 мкд 10 май 650 nm 40 м 1 0,40 "(10,16 мм) ОБИГИЯ АНОД
LB-403VF1 Rohm Semiconductor LB-403VF1 -
RFQ
ECAD 2499 0,00000000 ROHM Semiconductor LB-403F1 МАССА Управо 0,630 "H x 1,024" W x 0,315 "D (16,00 мм x 26,00 мм x 8,00 мм) 20-Dip (0,492 ", 12,50 мм) LB-403 Красн СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH LB403VF1 Ear99 8541.41.0000 120 7-й смен 6,3 мкд 10 май 650 nm 640 м 3 0,39 "(10,00 мм) ОБИГИЯ АНОД
LB-402DD Rohm Semiconductor LB-402DD 3.1251
RFQ
ECAD 1980 0,00000000 ROHM Semiconductor - МАССА В аспекте 0,709 "H x 0,945" W x 0,276 "D (18,00 мм x 24,00 мм x 7,00 мм) 18-Dip LB-402 Апельсин СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 300 7-й смен 10 мкд 10 май 610 nm 40 м 2 0,40 "(10,16 мм) ОБИГИЯ АНОД
LB-402DN Rohm Semiconductor LB-402DN -
RFQ
ECAD 8131 0,00000000 ROHM Semiconductor - МАССА Управо 0,709 "H x 0,945" W x 0,276 "D (18,00 мм x 24,00 мм x 7,00 мм) 18-Dip LB-402 Апельсин СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 300 7-й смен 10 мкд 10 май 610 nm 40 м 2 0,40 "(10,16 мм) ОБИГИЯ КАТОД
LA-601MB Rohm Semiconductor LA-601MB 2.7300
RFQ
ECAD 60 0,00000000 ROHM Semiconductor - МАССА Актифен 0,748 "H x 0,492" W x 0,315 "D (19,00 мм x 12,50 мм x 8,00 мм) 10-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) LA-601 Зelenый СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 60 7-й смен 22 МКД 2.1 10 май 563 nm 60 м 1 0,58 "(14,60 мм) ОБИГИЯ АНОД
LB-202ML Rohm Semiconductor LB-202ML -
RFQ
ECAD 2699 0,00000000 ROHM Semiconductor * МАССА Управо LB-202 - Rohs3 DOSTISH 846-Фунт-202 мл Ear99 8541.41.0000 1
LB-303VK Rohm Semiconductor LB-303VK 5.2491
RFQ
ECAD 1961 0,00000000 ROHM Semiconductor LB-303AK МАССА Прохл 0,512 "H x 0,866" W x 0,197 "D (13,00 мм x 22,00 мм x 5,00 мм) 12-Dip (0,362 ", 9,20 мм) LB-303 Красн СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH LB303VK Ear99 8541.41.0000 400 7-й смен 4MCD 10 май 650 nm 960 м 3 0,31 "(8,00 мм) ОБИГИЯ КАТОД
LA-601AB Rohm Semiconductor LA-601AB 4.5300
RFQ
ECAD 18 0,00000000 ROHM Semiconductor - МАССА Актифен 0,748 "H x 0,492" W x 0,315 "D (19,00 мм x 12,50 мм x 8,00 мм) 10-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) LA-601 Красн СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 60 7-й смен 90mcd 2,05 10 май 626 nm 65 м 1 0,58 "(14,60 мм) ОБИГИЯ АНОД
LB-202VLL Rohm Semiconductor LB-202VLL -
RFQ
ECAD 5591 0,00000000 ROHM Semiconductor * МАССА Управо LB-202 - Rohs3 DOSTISH 846-Фунт-202VLL Ear99 8541.41.0000 1
LB-603VF Rohm Semiconductor LB-603VF 6 8400
RFQ
ECAD 162 0,00000000 ROHM Semiconductor LB-603 FP МАССА Актифен 0,709 "H x 1 476" W x 0,315 "D (18,00 мм x 37,50 мм x 8,00 мм) 28-Dip (0,600 ", 15,24 ММ) LB-603 Красн СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 200 7-й смен 16 мкд 10 май 650 nm 960 м 3 0,56 "(14,30 мм) ОБИГИЯ АНОД
LAP-401DN Rohm Semiconductor LAP-401DN 2.8900
RFQ
ECAD 120 0,00000000 ROHM Semiconductor LAP-41 D/N. МАССА Актифен 0,512 "H x 0,378" W x 0,276 "D (13,00 мм x 9,60 мм x 7,00 мм) 10-DIP (0,300 ", 7,62 ММ) LAP-401 Апельсин СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 120 7-й смен 250mcd 1,9 10 май 605 nm 448 м 1 0,40 "(10,16 мм) ОБИГИЯ КАТОД
LA-601AL Rohm Semiconductor LA-601AL 52000
RFQ
ECAD 60 0,00000000 ROHM Semiconductor - МАССА Актифен 0,748 "H x 0,492" W x 0,315 "D (19,00 мм x 12,50 мм x 8,00 мм) 10-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) LA-601 Красн СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 60 7-й смен 90mcd 2,05 10 май 626 nm 65 м 1 0,58 "(14,60 мм) ОБИГИЯ КАТОД
LA-101MK Rohm Semiconductor LA-101MK -
RFQ
ECAD 9311 0,00000000 ROHM Semiconductor LA-101AK МАССА Управо 1 339 "H x 0,945" W x 0,413 "D (34,00 мм x 24,00 мм x 10,50 мм) 20-Dip (1200 ", 30,50 ММ) LA-101 Зelenый СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH LA101MK Ear99 8541.41.0000 100 7-й смен 16 мкд 4,2 В. 10 май 563 nm 640 м 1 1,00 "(25,40 мм) ОБИГИЯ КАТОД
LA-501VN Rohm Semiconductor LA-501VN 3.4045
RFQ
ECAD 3458 0,00000000 ROHM Semiconductor LA-501DN МАССА Актифен 0,689 "H x 0,492" W x 0,276 "D (17,50 мм x 12,50 мм x 7,00 мм) 10-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) LA-501 Красн СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH LA501VN Ear99 8541.41.0000 60 7-й смен 16 мкд 10 май 650 nm 480 м 1 0,51 "(13,00 мм) ОБИГИЯ КАТОД
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе