SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Raзmer / yзmerenee PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ЦВ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Eccn Htsus Станодадж Дисплэхтип Millicandela Rating На ТОК - ТЕСТР Пейк Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Колистви Симиволов Цipra/alypa -raзmer Обжиг
TDSR1050-KL Vishay Semiconductor Opto Division TDSR1050-KL 0,9291
RFQ
ECAD 6605 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Актифен 0,500 "H x 0,372" W x 0,252 "D (12,60 мм x 9,45 мс x 6,40 мм) 10-DIP (0,300 ", 7,62 ММ) TDSR1050 Красн СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 400 7-й смен 5,6 мкд 1,8 В. 1MA 650 nm 185 м 1 0,39 "(10,00 мм) ОБИГИЯ АНОД
TDSR1060 Vishay Semiconductor Opto Division TDSR1060 1.8100
RFQ
ECAD 380 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Актифен 0,500 "H x 0,372" W x 0,252 "D (12,60 мм x 9,45 мс x 6,40 мм) 10-DIP (0,300 ", 7,62 ММ) TDSR1060 Красн СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 400 7-й смен 3,6 мкд 1,8 В. 1MA 650 nm 185 м 1 0,39 "(10,00 мм) ОБИГИЯ КАТОД
TDSR1350 Vishay Semiconductor Opto Division TDSR1350 1.8100
RFQ
ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Актифен 0,689 "H x 0,482" W x 0,252 "D (17,50 мм x 12,25 мм x 6,40 мм) 10-Dip (0,600 ", 15,24 ММ) TDSR1350 Красн СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 400 7-й смен 0,28 мкт ~ 3,6 мкд 1,8 В. 1MA 640 nm 185 м 1 0,51 "(13,00 мм) ОБИГИЯ АНОД
TDSR1360 Vishay Semiconductor Opto Division TDSR1360 1.8100
RFQ
ECAD 263 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен 0,689 "H x 0,482" W x 0,252 "D (17,50 мм x 12,25 мм x 6,40 мм) 10-Dip (0,600 ", 15,24 ММ) TDSR1360 Красн СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 40 7-й смен 3,6 мкд 1,8 В. 1MA 650 nm 185 м 1 0,51 "(13,00 мм) ОБИГИЯ КАТОД
TDSR1360-IK Vishay Semiconductor Opto Division TDSR1360-IK 1.8300
RFQ
ECAD 15 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - Трубка Актифен 0,689 "H x 0,482" W x 0,252 "D (17,50 мм x 12,25 мм x 6,40 мм) 10-Dip (0,600 ", 15,24 ММ) TDSR1360 Красн СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 40 7-й смен 3,6 мкд 1,8 В. 1MA 650 nm 185 м 1 0,51 "(13,00 мм) ОБИГИЯ КАТОД
TDSY1150-KL Vishay Semiconductor Opto Division TDSY1150-KL -
RFQ
ECAD 1620 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я TDS.11 МАССА Управо 0,389 "H x 0,291" W x 0,236 "D (9,90 мм x 7,40 м. X 6,00 мм) - TDSY1150 ЖEltый СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 500 7-й смен 5,6 мкд 2,4 В. 20 май 585 nm 400 м 1 0,28 "(7,00 мм) ОБИГИЯ АНОД
TDSY1160 Vishay Semiconductor Opto Division TDSY1160 -
RFQ
ECAD 1287 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я TDS.11 МАССА Управо 0,389 "H x 0,291" W x 0,236 "D (9,90 мм x 7,40 м. X 6,00 мм) - TDSY1160 ЖEltый СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 500 7-й смен 3MCD 2,4 В. 20 май 585 nm 400 м 1 0,28 "(7,00 мм) ОБИГИЯ КАТОД
TDSO3160-KL Vishay Semiconductor Opto Division TDSO3160-KL 1.1850
RFQ
ECAD 5082 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я TDS.31 МАССА Актифен 0,500 "H x 0,372" W x 0,252 "D (12,60 мм x 9,45 мс x 6,40 мм) 10-DIP (0,300 ", 7,62 ММ) TDSO3160 Оро-красн СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 400 7-й смен 5,6 мкд 20 май 630 nm 480 м 1 0,39 "(10,00 мм) ОБИГИЯ КАТОД
TDSO5150-LM Vishay Semiconductor Opto Division TDSO5150-LM 2.3100
RFQ
ECAD 259 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я TDS.51 МАССА Актифен 0,689 "H x 0,482" W x 0,252 "D (17,50 мм x 12,25 мм x 6,40 мм) 10-Dip (0,600 ", 15,24 ММ) TDSO5150 Оро-красн СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 400 7-й смен 9 мкд 20 май 630 nm 550 м 1 0,51 "(13,00 мм) ОБИГИЯ АНОД
TDCG1060M Vishay Semiconductor Opto Division TDCG1060M 3.2000
RFQ
ECAD 845 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Актифен 0,504 "H x 1583" W x 0,276 "D (12,80 мм x 40,20 мм x 7,00 мм) 16-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) TDCG1060 Зelenый СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.41.0000 384 7-й заседание 4MCD 20 май 573 nm 60 м 4 0,39 "(10,00 мм) ОБИГИЯ КАТОД
TDCY1050M Vishay Semiconductor Opto Division TDCY1050M -
RFQ
ECAD 4042 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Управо 0,504 "H x 1583" W x 0,276 "D (12,80 мм x 40,20 мм x 7,00 мм) 16-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) TDCY1050 ЖEltый - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.41.0000 384 7-й заседание 8 мкд 20 май 589 nm 60 м 4 0,39 "(10,00 мм) ОБИГИЯ АНОД
TDCY1060M Vishay Semiconductor Opto Division TDCY1060M -
RFQ
ECAD 7882 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Управо 0,504 "H x 1583" W x 0,276 "D (12,80 мм x 40,20 мм x 7,00 мм) 16-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) TDCY1060 ЖEltый - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.41.0000 384 7-й заседание 8 мкд 20 май 589 nm 60 м 4 0,39 "(10,00 мм) ОБИГИЯ КАТОД
TDSG1150 Vishay Semiconductor Opto Division TDSG1150 1.8100
RFQ
ECAD 394 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я TDS.11 МАССА Актифен 0,389 "H x 0,291" W x 0,236 "D (9,90 мм x 7,40 м. X 6,00 мм) - TDSG1150 Зelenый СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 500 7-й смен 6 мкд 2,4 В. 20 май 565 nm 400 м 1 0,28 "(7,00 мм) ОБИГИЯ АНОД
TDSG1160 Vishay Semiconductor Opto Division TDSG1160 1.8300
RFQ
ECAD 500 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я TDS.11 МАССА Актифен 0,389 "H x 0,291" W x 0,236 "D (9,90 мм x 7,40 м. X 6,00 мм) - TDSG1160 Зelenый СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 500 7-й смен 6 мкд 2,4 В. 20 май 565 nm 400 м 1 0,28 "(7,00 мм) ОБИГИЯ КАТОД
TDSL1160 Vishay Semiconductor Opto Division TDSL1160 2.1400
RFQ
ECAD 4990 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я TDSL11.0 МАССА Актифен 0,389 "H x 0,291" W x 0,236 "D (9,90 мм x 7,40 м. X 6,00 мм) - TDSL1160 Красн СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 500 7-й смен 0,26 мкд 1,8 В. 2MA 635 nm 320 м 1 0,28 "(7,00 мм) ОБИГИЯ КАТОД
TDSL3150-G Vishay Semiconductor Opto Division TDSL3150-G -
RFQ
ECAD 8424 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я TDSL31.0 МАССА Управо 0,500 "H x 0,372" W x 0,252 "D (12,60 мм x 9,45 мс x 6,40 мм) 10-DIP (0,300 ", 7,62 ММ) TDSL3150 Красн СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 400 7-й смен 0,90 мкд 1,8 В. 2MA 635 nm 320 м 1 0,39 "(10,00 мм) ОБИГИЯ АНОД
TDSL5150-GH Vishay Semiconductor Opto Division TDSL5150-gh -
RFQ
ECAD 4253 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я TDSL51.0 МАССА Управо 0,689 "H x 0,482" W x 0,252 "D (17,50 мм x 12,25 мм x 6,40 мм) 10-Dip (0,600 ", 15,24 ММ) TDSL5150 Красн СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 400 7-й смен 1,4 мкд 1,8 В. 2MA 635 nm 320 м 1 0,51 "(13,00 мм) ОБИГИЯ АНОД
TDSO1150-K Vishay Semiconductor Opto Division TDSO1150-K 2.3100
RFQ
ECAD 215 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я TDS.11 МАССА Актифен 0,389 "H x 0,291" W x 0,236 "D (9,90 мм x 7,40 м. X 6,00 мм) - TDSO1150 Оро-красн СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 500 7-й смен 3,6 мкд 20 май 630 nm 400 м 1 0,28 "(7,00 мм) ОБИГИЯ АНОД
TDSO1160 Vishay Semiconductor Opto Division TDSO1160 2.3100
RFQ
ECAD 2564 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я TDS.11 МАССА Актифен 0,389 "H x 0,291" W x 0,236 "D (9,90 мм x 7,40 м. X 6,00 мм) - TDSO1160 Оро-красн СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 500 7-й смен 3MCD 20 май 630 nm 400 м 1 0,28 "(7,00 мм) ОБИГИЯ КАТОД
TDSO1160-K Vishay Semiconductor Opto Division TDSO1160-K -
RFQ
ECAD 2077 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я TDS.11 МАССА Управо 0,389 "H x 0,291" W x 0,236 "D (9,90 мм x 7,40 м. X 6,00 мм) - TDSO1160 Оро-красн СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 500 7-й смен 3,6 мкд 20 май 630 nm 400 м 1 0,28 "(7,00 мм) ОБИГИЯ КАТОД
TDSG3150 Vishay Semiconductor Opto Division TDSG3150 1,9000
RFQ
ECAD 8650 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я TDS.31 МАССА Актифен 0,500 "H x 0,372" W x 0,252 "D (12,60 мм x 9,45 мс x 6,40 мм) 10-DIP (0,300 ", 7,62 ММ) TDSG3150 Зelenый СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 400 7-й смен 6,8 мкд 2,4 В. 20 май 565 nm 480 м 1 0,39 "(10,00 мм) ОБИГИЯ АНОД
TDSG3150-M Vishay Semiconductor Opto Division TDSG3150-M 1,9000
RFQ
ECAD 368 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я TDS.31 Трубка Актифен 0,500 "H x 0,372" W x 0,252 "D (12,60 мм x 9,45 мс x 6,40 мм) 10-DIP (0,300 ", 7,62 ММ) TDSG3150 Зelenый СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 40 7-й смен 9 мкд 2,4 В. 20 май 565 nm 480 м 1 0,39 "(10,00 мм) ОБИГИЯ АНОД
TDSR0760 Vishay Semiconductor Opto Division TDSR0760 1.8100
RFQ
ECAD 501 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Актифен 0,389 "H x 0,291" W x 0,236 "D (9,90 мм x 7,40 м. X 6,00 мм) - TDSR0760 Красн СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 500 7-й смен 2,2 мкд 1,8 В. 1MA 650 nm 185 м 1 0,28 "(7,00 мм) ОБИГИЯ КАТОД
TDSO3160 Vishay Semiconductor Opto Division TDSO3160 2.3300
RFQ
ECAD 302 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я TDS.31 МАССА Актифен 0,500 "H x 0,372" W x 0,252 "D (12,60 мм x 9,45 мс x 6,40 мм) 10-DIP (0,300 ", 7,62 ММ) TDSO3160 Оро-красн СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 40 7-й смен 4,5 мкд 20 май 630 nm 480 м 1 0,39 "(10,00 мм) ОБИГИЯ КАТОД
TDSG5150-N Vishay Semiconductor Opto Division TDSG5150-N 1.9500
RFQ
ECAD 394 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я TDS.51 МАССА Актифен 0,689 "H x 0,482" W x 0,252 "D (17,50 мм x 12,25 мм x 6,40 мм) 10-Dip (0,600 ", 15,24 ММ) TDSG5150 Зelenый СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 400 7-й смен 14 мкд 2,4 В. 20 май 565 nm 550 м 1 0,51 "(13,00 мм) ОБИГИЯ АНОД
TDSG3160-M Vishay Semiconductor Opto Division TDSG3160-M 1.9200
RFQ
ECAD 400 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я TDS.31 Трубка Актифен 0,500 "H x 0,372" W x 0,252 "D (12,60 мм x 9,45 мс x 6,40 мм) 10-DIP (0,300 ", 7,62 ММ) TDSG3160 Зelenый СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 40 7-й смен 9 мкд 2,4 В. 20 май 565 nm 480 м 1 0,39 "(10,00 мм) ОБИГИЯ КАТОД
TDSG5150 Vishay Semiconductor Opto Division TDSG5150 1.9200
RFQ
ECAD 4 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я TDS.51 МАССА Актифен 0,689 "H x 0,482" W x 0,252 "D (17,50 мм x 12,25 мм x 6,40 мм) 10-Dip (0,600 ", 15,24 ММ) TDSG5150 Зelenый СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 400 7-й смен 9,5 мкд 2,4 В. 20 май 565 nm 550 м 1 0,51 "(13,00 мм) ОБИГИЯ АНОД
TDSY3150 Vishay Semiconductor Opto Division TDSY3150 -
RFQ
ECAD 8248 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я TDS.31 МАССА Управо 0,500 "H x 0,372" W x 0,252 "D (12,60 мм x 9,45 мс x 6,40 мм) 10-DIP (0,300 ", 7,62 ММ) TDSY3150 ЖEltый СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 400 7-й смен 3MCD 2,4 В. 20 май 585 nm 480 м 1 0,39 "(10,00 мм) ОБИГИЯ АНОД
TDSY3160 Vishay Semiconductor Opto Division TDSY3160 -
RFQ
ECAD 3294 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я TDS.31 МАССА Управо 0,500 "H x 0,372" W x 0,252 "D (12,60 мм x 9,45 мс x 6,40 мм) 10-DIP (0,300 ", 7,62 ММ) TDSY3160 ЖEltый СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 400 7-й смен 3MCD 2,4 В. 20 май 585 nm 480 м 1 0,39 "(10,00 мм) ОБИГИЯ КАТОД
TDSO3150-KL Vishay Semiconductor Opto Division TDSO3150-KL 1.1850
RFQ
ECAD 5868 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я TDS.31 МАССА Актифен 0,500 "H x 0,372" W x 0,252 "D (12,60 мм x 9,45 мс x 6,40 мм) 10-DIP (0,300 ", 7,62 ММ) TDSO3150 Оро-красн СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 400 7-й смен 5,6 мкд 20 май 630 nm 480 м 1 0,39 "(10,00 мм) ОБИГИЯ АНОД
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе