SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Raзmer / yзmerenee PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ЦВ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Eccn Htsus Станодадж Дисплэхтип Millicandela Rating На ТОК - ТЕСТР Пейк Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Колистви Симиволов Цipra/alypa -raзmer Обжиг
TDSO1160-KL Vishay Semiconductor Opto Division TDSO1160-KL 2.3100
RFQ
ECAD 288 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я TDS.11 МАССА Актифен 0,389 "H x 0,291" W x 0,236 "D (9,90 мм x 7,40 м. X 6,00 мм) - TDSO1160 Оро-красн СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 500 7-й смен 5,6 мкд 20 май 630 nm 400 м 1 0,28 "(7,00 мм) ОБИГИЯ КАТОД
TDSO3150 Vishay Semiconductor Opto Division TDSO3150 2.3300
RFQ
ECAD 6437 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я TDS.31 МАССА Актифен 0,500 "H x 0,372" W x 0,252 "D (12,60 мм x 9,45 мс x 6,40 мм) 10-DIP (0,300 ", 7,62 ММ) TDSO3150 Оро-красн СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 400 7-й смен 4,5 мкд 20 май 630 nm 480 м 1 0,39 "(10,00 мм) ОБИГИЯ АНОД
TDSO5160 Vishay Semiconductor Opto Division TDSO5160 2.3100
RFQ
ECAD 356 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я TDS.51 МАССА Актифен 0,689 "H x 0,482" W x 0,252 "D (17,50 мм x 12,25 мм x 6,40 мм) 10-Dip (0,600 ", 15,24 ММ) TDSO5160 Оро-красн СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 400 7-й смен 5 мкд 20 май 630 nm 550 м 1 0,51 "(13,00 мм) ОБИГИЯ КАТОД
TDSO5160-LM Vishay Semiconductor Opto Division TDSO5160-LM 2.2600
RFQ
ECAD 66 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я TDS.51 Трубка Актифен 0,689 "H x 0,482" W x 0,252 "D (17,50 мм x 12,25 мм x 6,40 мм) 10-Dip (0,600 ", 15,24 ММ) TDSO5160 Оро-красн СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 40 7-й смен 9 мкд 20 май 630 nm 550 м 1 0,51 "(13,00 мм) ОБИГИЯ КАТОД
TDSR0750 Vishay Semiconductor Opto Division TDSR0750 1.8300
RFQ
ECAD 3 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Актифен 0,389 "H x 0,291" W x 0,236 "D (9,90 мм x 7,40 м. X 6,00 мм) - TDSR0750 Красн СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 500 7-й смен 2,2 мкд 1,8 В. 1MA 650 nm 185 м 1 0,28 "(7,00 мм) ОБИГИЯ АНОД
TDSG3150-MN Vishay Semiconductor Opto Division TDSG3150-MN 0,8707
RFQ
ECAD 2564 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я TDS.31 МАССА Актифен 0,500 "H x 0,372" W x 0,252 "D (12,60 мм x 9,45 мс x 6,40 мм) 10-DIP (0,300 ", 7,62 ММ) TDSG3150 Зelenый СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 400 7-й смен 14 мкд 2,4 В. 20 май 565 nm 480 м 1 0,39 "(10,00 мм) ОБИГИЯ АНОД
TDSG3160-M Vishay Semiconductor Opto Division TDSG3160-M 1.9200
RFQ
ECAD 400 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я TDS.31 Трубка Актифен 0,500 "H x 0,372" W x 0,252 "D (12,60 мм x 9,45 мс x 6,40 мм) 10-DIP (0,300 ", 7,62 ММ) TDSG3160 Зelenый СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 40 7-й смен 9 мкд 2,4 В. 20 май 565 nm 480 м 1 0,39 "(10,00 мм) ОБИГИЯ КАТОД
TDSG5150 Vishay Semiconductor Opto Division TDSG5150 1.9200
RFQ
ECAD 4 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я TDS.51 МАССА Актифен 0,689 "H x 0,482" W x 0,252 "D (17,50 мм x 12,25 мм x 6,40 мм) 10-Dip (0,600 ", 15,24 ММ) TDSG5150 Зelenый СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 400 7-й смен 9,5 мкд 2,4 В. 20 май 565 nm 550 м 1 0,51 "(13,00 мм) ОБИГИЯ АНОД
TDSY3150 Vishay Semiconductor Opto Division TDSY3150 -
RFQ
ECAD 8248 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я TDS.31 МАССА Управо 0,500 "H x 0,372" W x 0,252 "D (12,60 мм x 9,45 мс x 6,40 мм) 10-DIP (0,300 ", 7,62 ММ) TDSY3150 ЖEltый СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 400 7-й смен 3MCD 2,4 В. 20 май 585 nm 480 м 1 0,39 "(10,00 мм) ОБИГИЯ АНОД
TDSY3160 Vishay Semiconductor Opto Division TDSY3160 -
RFQ
ECAD 3294 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я TDS.31 МАССА Управо 0,500 "H x 0,372" W x 0,252 "D (12,60 мм x 9,45 мс x 6,40 мм) 10-DIP (0,300 ", 7,62 ММ) TDSY3160 ЖEltый СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 400 7-й смен 3MCD 2,4 В. 20 май 585 nm 480 м 1 0,39 "(10,00 мм) ОБИГИЯ КАТОД
TDSO3150-KL Vishay Semiconductor Opto Division TDSO3150-KL 1.1850
RFQ
ECAD 5868 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я TDS.31 МАССА Актифен 0,500 "H x 0,372" W x 0,252 "D (12,60 мм x 9,45 мс x 6,40 мм) 10-DIP (0,300 ", 7,62 ММ) TDSO3150 Оро-красн СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 400 7-й смен 5,6 мкд 20 май 630 nm 480 м 1 0,39 "(10,00 мм) ОБИГИЯ АНОД
TDSO3155 Vishay Semiconductor Opto Division TDSO3155 1.1850
RFQ
ECAD 5596 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я TDS.31 МАССА Актифен 0,500 "H x 0,372" W x 0,252 "D (12,60 мм x 9,45 мс x 6,40 мм) 10-DIP (0,300 ", 7,62 ММ) TDSO3155 Оро-красн СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 400 7-й смен 9 мкд 20 май 630 nm 480 м 1 0,39 "(10,00 мм) ОБИГИЯ АНОД
TDSO3160-L Vishay Semiconductor Opto Division TDSO3160-L 2.3300
RFQ
ECAD 2599 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я TDS.31 МАССА Актифен 0,500 "H x 0,372" W x 0,252 "D (12,60 мм x 9,45 мс x 6,40 мм) 10-DIP (0,300 ", 7,62 ММ) TDSO3160 Оро-красн СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 400 7-й смен 5,6 мкд 20 май 630 nm 480 м 1 0,39 "(10,00 мм) ОБИГИЯ КАТОД
TDSO5150 Vishay Semiconductor Opto Division TDSO5150 2.3100
RFQ
ECAD 545 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я TDS.51 МАССА Актифен 0,689 "H x 0,482" W x 0,252 "D (17,50 мм x 12,25 мм x 6,40 мм) 10-Dip (0,600 ", 15,24 ММ) TDSO5150 Оро-красн СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 400 7-й смен 5 мкд 20 май 630 nm 550 м 1 0,51 "(13,00 мм) ОБИГИЯ АНОД
TDSO5150-M Vishay Semiconductor Opto Division TDSO5150-M -
RFQ
ECAD 9010 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я TDS.51 МАССА Управо 0,689 "H x 0,482" W x 0,252 "D (17,50 мм x 12,25 мм x 6,40 мм) 10-Dip (0,600 ", 15,24 ММ) TDSO5150 Оро-красн СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 400 7-й смен 9 мкд 20 май 630 nm 550 м 1 0,51 "(13,00 мм) ОБИГИЯ АНОД
TDSY5160 Vishay Semiconductor Opto Division TDSY5160 -
RFQ
ECAD 2493 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я TDS.51 МАССА Управо 0,689 "H x 0,482" W x 0,252 "D (17,50 мм x 12,25 мм x 6,40 мм) 10-Dip (0,600 ", 15,24 ММ) TDSY5160 ЖEltый СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 400 7-й смен 4,2 мкд 2,4 В. 20 май 585 nm 550 м 1 0,51 "(13,00 мм) ОБИГИЯ КАТОД
TDCG1050M Vishay Semiconductor Opto Division TDCG1050M 3.2000
RFQ
ECAD 730 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Актифен 0,504 "H x 1583" W x 0,276 "D (12,80 мм x 40,20 мм x 7,00 мм) 16-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) TDCG1050 Зelenый СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.41.0000 384 7-й заседание 4MCD 20 май 573 nm 60 м 4 0,39 "(10,00 мм) ОБИГИЯ АНОД
VDMO10C0 Vishay Semiconductor Opto Division VDMO10C0 1,8000
RFQ
ECAD 289 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я Vdm.10a0 Lenta и катахка (tr) Актифен 0,591 "H x 0,386" W x 0,124 "D (15,00 мм x 9,80 мм x 3,15 мм) 10-SMD, neTLIDERSTVA VDMO10 Апельсин СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8541.41.0000 800 7-й смен 0,65 мкд 20 май 605 nm 70 м 1 0,39 "(10,00 мм) ОБИГИЯ КАТОД
VDMG10C0 Vishay Semiconductor Opto Division VDMG10C0 1,8000
RFQ
ECAD 1 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я Vdm.10a0 Lenta и катахка (tr) Актифен 0,591 "H x 0,386" W x 0,124 "D (15,00 мм x 9,80 мм x 3,15 мм) 10-SMD, neTLIDERSTVA VDMG10 Зelenый СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8541.41.0000 800 7-й смен 0,4 мкд 20 май 572NM 70 м 1 0,39 "(10,00 мм) ОБИГИЯ КАТОД
VDMY10A1 Vishay Semiconductor Opto Division VDMY10A1 2.0300
RFQ
ECAD 910 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я Vdm.10a1 Lenta и катахка (tr) Актифен 0,630 "H x 0,386" W x 0,059 "D (16,00 мм x 9,80 мм x 1,50 мм) 10-SMD, neTLIDERSTVA VDMY10 ЖEltый СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8541.41.0000 800 7-й смен 1,6 мкд 20 май 587 nm 70 м 1 0,39 "(10,00 мм) ОБИГИЯ АНОД
VDMY10C0 Vishay Semiconductor Opto Division VDMY10C0 1.8100
RFQ
ECAD 6 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я Vdm.10.0 Lenta и катахка (tr) Актифен 0,591 "H x 0,386" W x 0,124 "D (15,00 мм x 9,80 мм x 3,15 мм) 10-SMD, neTLIDERSTVA VDMY10 ЖEltый СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8541.41.0000 800 7-й смен 2,75 мкд 20 май 588 nm 70 м 1 0,39 "(10,00 мм) ОБИГИЯ КАТОД
VDMR10A0 Vishay Semiconductor Opto Division VDMR10A0 1,8000
RFQ
ECAD 5 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я Vdm.10a0 Lenta и катахка (tr) Актифен 0,591 "H x 0,386" W x 0,124 "D (15,00 мм x 9,80 мм x 3,15 мм) 10-SMD, neTLIDERSTVA VDMR10 Красн СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8541.41.0000 800 7-й смен 0,65 мкд 20 май 631NM 70 м 1 0,39 "(10,00 мм) ОБИГИЯ АНОД
TDSG1150-LM Vishay Semiconductor Opto Division TDSG1150-LM 1.8100
RFQ
ECAD 476 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я TDS.11 МАССА Актифен 0,389 "H x 0,291" W x 0,236 "D (9,90 мм x 7,40 м. X 6,00 мм) - TDSG1150 Зelenый СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.41.0000 500 7-й смен 9 мкд 2,4 В. 20 май 565 nm 400 м 1 0,28 "(7,00 мм) ОБИГИЯ АНОД
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе