SIC
close

Оптохлектроника (125)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Прилонья Raзmer / yзmerenee Веса - Синяя (МАКСИМУМ) МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Фуевшии Baзowый nomer prodikta ЦВ Ток - Посткака Веса (МАКС) Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура Скороп ТИПРЕМА ТОК - МАКС Делина Вонн Стиль Обюктива Rraзmer obъektiva Ц Проханоп Millicandela Rating На ТОК - ТЕСТР ВАМОЛЕЕ ПРОСМОТРА Делина -доминируя Пейк Current - DC Forward (if) (max) CCT (k) Lumens/watt @ current - тепла Cri (инкс POTOK @ 85 ° C, Ток - Тепла Potok @ 25 ° C, Ток - Тепла Теплово -вупротейн Питани - МИНИМАЛАНСКАЯ СПОКТРАЛАНА ПРОЛОСА
TL1WK-DW1,L Toshiba Semiconductor and Storage TL1WK-DW1, l -
RFQ
 ECAD 7425 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Leteras ™ Lenta и катахка (tr) Управо 0,026 "L x 0,026" W (0,65 мм х 0,65 мм) 0,015 "(0,39 мм) Пефер 2-SMD, neTLIDERSTVA TL1WK БЕЛЯ, КРУТО SMD СКАХАТА 2а (4 nedeli) Ear99 8541.41.0000 5000 180 май 2,8 В. 60 май - 6500K 131 lm/w 80 - 22LM (18LM ~ 26LM) 17 ° C/W.
TORX1353(V,F) Toshiba Semiconductor and Storage TORX1353 (V, F) 13.1900
RFQ
 ECAD 79 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Актифен О том, как TORX1353 1,5 мая 4,75 -5,25. СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) TORX1353 (VF) 5A991 8541.49.1050 1 500 -23.5dbm
TL1L4-WH0,L Toshiba Semiconductor and Storage TL1L4-WH0, L. -
RFQ
 ECAD 1316 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Leteras ™ Lenta и катахка (tr) Управо 0,138 "L x 0,138" W (3,50 мм х 3,50 мк) 0,085 "(2,15 мм) Пефер 1414 (3535 МЕТРИКА) TL1L4 БЕЛЯ, НЕТРАЛНГ 3535 СКАХАТА 2а (4 nedeli) Ear99 8541.41.0000 1000 1,5а 2,8 В. 350 май 120 ° 4000K 148 LM/W. 70 145LM (130LM ~ 160LM) - 5 ° C/W.
TL1L3-LW1,L Toshiba Semiconductor and Storage TL1L3-LW1, L. -
RFQ
 ECAD 9005 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Leteras ™ Lenta и катахка (tr) Управо 0,138 "L x 0,138" W (3,50 мм х 3,50 мк) 0,099 "(2,52 мм) Пефер 1414 (3535 МЕТРИКА) TL1L3 БЕЛЯ, ТЕПЛИ 3535 СКАХАТА 2а (4 nedeli) Ear99 8541.41.0000 800 1A 2,85 В. 350 май 100 ° 3000K 119 LM/W. 80 - 119lm (typ) 5 ° C/W.
TL2FL-LL1,L Toshiba Semiconductor and Storage TL2FL-LL1, L. -
RFQ
 ECAD 2051 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Leteras ™ Lenta и катахка (tr) Управо 0,118 "L x 0,055" W (3,00 мм x 1,40 мм) 0,030 "(0,77 мм) Пефер 1206 (3014 МЕТРИКА) Tl2fl БЕЛЯ, ТЕПЛИ 3014 СКАХАТА 2а (4 nedeli) Ear99 8541.41.0000 4000 100 май 2,82 В. 65 май - 2700K 115 LM/W. 80 - 21LM (19LM ~ 22LM) 30 ° C/W.
TOTX1353(V,F) Toshiba Semiconductor and Storage Totx1353 (v, f) 14.3100
RFQ
 ECAD 8438 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен TOTX1353 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Totx1353 (VF) 5A991 8541.41.0000 20 Toslink 650 nm 1,75 В. 30 май -
TL1L4-NW1,L Toshiba Semiconductor and Storage TL1L4-NW1, L. -
RFQ
 ECAD 3342 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Leteras ™ Lenta и катахка (tr) Управо 0,138 "L x 0,138" W (3,50 мм х 3,50 мк) 0,085 "(2,15 мм) Пефер 1414 (3535 МЕТРИКА) TL1L4 БЕЛЯ, КРУТО 3535 СКАХАТА 2а (4 nedeli) Ear99 8541.41.0000 1000 1,5а 2,8 В. 350 май 120 ° 5000K 138 LM/W. 80 135LM (120LM ~ 150LM) - 5 ° C/W.
TL1WK-WH1,LCS Toshiba Semiconductor and Storage TL1WK-WH1, LCS -
RFQ
 ECAD 2140 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Leteras ™ Lenta и катахка (tr) Управо 0,026 "L x 0,026" W (0,65 мм х 0,65 мм) 0,015 "(0,39 мм) Пефер 2-SMD, neTLIDERSTVA TL1WK БЕЛЯ, НЕТРАЛНГ SMD СКАХАТА 2а (4 nedeli) Ear99 8541.41.0000 1000 180 май 2,8 В. 60 май 165 ° 4000K 123 LM/W. 80 - 21lm (Typ) 17 ° C/W JS
TL3GB-NW1,L Toshiba Semiconductor and Storage TL3GB-NW1, L. -
RFQ
 ECAD 7428 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Leteras ™ Lenta и катахка (tr) Управо 0,118 "L x 0,118" W (3,00 мм х 3,00 мм) 0,030 "(0,77 мм) Пефер 1212 (3030 МЕТРИКА) TL3GB БЕЛЯ, КРУТО 3030 СКАХАТА 2а (4 nedeli) Ear99 8541.41.0000 4000 200 май 5,76 100 май - 5000K 123 LM/W. 80 - 71LM (63LM ~ 79LM) 17 ° C/W.
TL1L4-NT1,LCS Toshiba Semiconductor and Storage TL1L4-NT1, LCS -
RFQ
 ECAD 3779 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Leteras ™ Lenta и катахка (tr) Управо 0,138 "L x 0,138" W (3,50 мм х 3,50 мк) 0,085 "(2,15 мм) Пефер 1414 (3535 МЕТРИКА) TL1L4 БЕЛЯ, КРУТО 3535 СКАХАТА 2а (4 nedeli) Ear99 8541.41.0000 200 1,5а 2,8 В. 350 май 120 ° 5700K 138 LM/W. 80 135LM (120LM ~ 150LM) - 5 ° C/W.
TL1F2-DW0,L Toshiba Semiconductor and Storage TL1F2-DW0, l -
RFQ
 ECAD 2791 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Leteras ™ Lenta и катахка (tr) Управо 0,197 "L x 0,197" W (5,00 мм х 5,00 мм) 0,057 "(1,45 мм) Пефер 2020 (5050 МЕТРИКА) TL19W01 БЕЛЯ, КРУТО 6450 СКАХАТА 2а (4 nedeli) Ear99 8541.41.0000 1000 550 май 2,85 В. 350 май 120 ° 6500K 133 LM/W. 70 - 133LM (120LM ~ 145LM) 8 ° C/W.
TL1WK-LL1,L Toshiba Semiconductor and Storage Tl1wk-ll1, l -
RFQ
 ECAD 5798 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Leteras ™ Lenta и катахка (tr) Управо 0,026 "L x 0,026" W (0,65 мм х 0,65 мм) 0,015 "(0,39 мм) Пефер 2-SMD, neTLIDERSTVA TL1WK БЕЛЯ, ТЕПЛИ SMD СКАХАТА 2а (4 nedeli) Ear99 8541.41.0000 5000 180 май 2,8 В. 60 май - 2700K 113 LM/W. 80 - 19LM (17LM ~ 23LM) 17 ° C/W.
TL1F2-NW1,L Toshiba Semiconductor and Storage TL1F2-NW1, L. -
RFQ
 ECAD 1715 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Leteras ™ Lenta и катахка (tr) Управо 0,197 "L x 0,197" W (5,00 мм х 5,00 мм) 0,057 "(1,45 мм) Пефер 2020 (5050 МЕТРИКА) TL1F2 БЕЛЯ, КРУТО 6450 СКАХАТА 2а (4 nedeli) Ear99 8541.41.0000 1000 550 май 2,85 В. 350 май 120 ° 5000K 130 LM/W. 80 - 130LM (115LM ~ 145LM) 8 ° C/W.
TL2FL-WH1,L Toshiba Semiconductor and Storage Tl2fl-Wh1, l -
RFQ
 ECAD 8939 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Leteras ™ Lenta и катахка (tr) Управо 0,118 "L x 0,055" W (3,00 мм x 1,40 мм) 0,030 "(0,77 мм) Пефер 1206 (3014 МЕТРИКА) Tl2fl БЕЛЯ, НЕТРАЛНГ 3014 СКАХАТА 2а (4 nedeli) Ear99 8541.41.0000 4000 100 май 2,82 В. 65 май - 4000K 125 LM/W. 80 - 23LM (21LM ~ 26LM) 30 ° C/W.
TL1L4-LW1,L Toshiba Semiconductor and Storage TL1L4-LW1, l -
RFQ
 ECAD 8164 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Leteras ™ Lenta и катахка (tr) Управо 0,138 "L x 0,138" W (3,50 мм х 3,50 мк) 0,085 "(2,15 мм) Пефер 1414 (3535 МЕТРИКА) TL1L4 БЕЛЯ, ТЕПЛИ 3535 СКАХАТА 2а (4 nedeli) Ear99 8541.41.0000 1000 1,5а 2,8 В. 350 май 120 ° 3000K 122 LM/W. 80 120LM (105LM ~ 135LM) - 5 ° C/W.
TL12W03-D(T30) Toshiba Semiconductor and Storage TL12W03-D (T30) -
RFQ
 ECAD 9385 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,089 "(2,25 мм) Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. TLYV1034 БЕЛЯ, КРУТО - СКАХАТА 3 (168 чASOW) Ear99 8541.41.0000 500 500 май 3,3 В. 350 май - 6500K (5650K ~ 8000K) 78 LM/W. - - 90LM (67LM ~ 113LM) 8 ° C/W.
TL19W01-N(T32 Toshiba Semiconductor and Storage TL19W01-N (T32 -
RFQ
 ECAD 3762 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо 0,150 "L x 0,122" W (3,80 мм x 3,10 мм) 0,030 "(0,75 мм) Пефер 2-SMD, neTLIDERSTVA TL19W01 БЕЛЯ, КРУТО 3138 СКАХАТА 3 (168 чASOW) Ear99 8541.41.0000 1000 350 май 3,3 В. 300 май 140 ° 5000K (4750K ~ 5300K) 121 LM/W. 65 - 120LM (100LM ~ 140LM) 9 ° C/W.
TODX2900(FANUC3,F) Toshiba Semiconductor and Storage TODX2900 (Fanuc3, F) -
RFQ
 ECAD 6559 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Поднос Управо TODX2900 - 1 (neograniчennnый) 264-todx2900 (fanuc3f) Управо 1
TL12W03-N(T30) Toshiba Semiconductor and Storage TL12W03-N (T30) -
RFQ
 ECAD 8413 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,089 "(2,25 мм) Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. TL12W03 БЕЛЯ, КРУТО - СКАХАТА 3 (168 чASOW) Ear99 8541.41.0000 500 500 май 3,3 В. 350 май - 5000K (4500K ~ 5650K) 87 LM/W. - - 100 lm (typ) 8 ° C/W.
TL1L2-WH1,L Toshiba Semiconductor and Storage TL1L2-WH1, L. -
RFQ
 ECAD 3744 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Leteras ™ Lenta и катахка (tr) Управо 0,138 "L x 0,138" W (3,50 мм х 3,50 мк) 0,080 "(2,03 мм) Пефер 1414 (3535 МЕТРИКА) TL1L2 БЕЛЯ, НЕТРАЛНГ 3535 СКАХАТА 2а (4 nedeli) Ear99 8541.41.0000 1000 1A 2,85 В. 350 май 120 ° 4000K 120 LM/W. 80 - 120LM (105LM ~ 135LM) 12 ° C/W.
TODX2910(FANUC,F) Toshiba Semiconductor and Storage TODX2910 (Fanuc, F) -
RFQ
 ECAD 4528 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен - - TODX2910 - - 1 (neograniчennnый) 264-todx2910 (fanucf) 1 - - -
TL1WK-NW1,LCS Toshiba Semiconductor and Storage TL1WK-NW1, LCS -
RFQ
 ECAD 9585 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Leteras ™ Lenta и катахка (tr) Управо 0,026 "L x 0,026" W (0,65 мм х 0,65 мм) 0,015 "(0,39 мм) Пефер 2-SMD, neTLIDERSTVA TL1WK БЕЛЯ, КРУТО SMD СКАХАТА 2а (4 nedeli) Ear99 8541.41.0000 1000 180 май 2,8 В. 180 май 165 ° 5000K 130 LM/W. 80 - 22lm (typ) 17 ° C/W JS
TLWF1108(T11(O Toshiba Semiconductor and Storage TLWF1108 (T11 (o -
RFQ
 ECAD 4119 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо 3,20 мм L x 2,90 мм w Пефер 4-SMD, J-Lead - TLWF1108 Безл 2.10 ММ - СКАХАТА 3 (168 чASOW) Ear99 8541.41.0000 2000 Станода Овел - - - 3200MCD 3,5 В. 40 май - - -
TLWLF1108(T11(O Toshiba Semiconductor and Storage TLWLF1108 (T11 (o -
RFQ
 ECAD 6866 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо 3,20 мм L x 2,90 мм w Пефер 4-SMD, J-Lead - Tlwlf1108 БЕЛЯ, ТЕПЛИ 2.10 ММ - СКАХАТА 3 (168 чASOW) Ear99 8541.41.0000 2000 Станода Овел - - - 2500MCD 3,5 В. 40 май - - -
TLWF1109(T11(O Toshiba Semiconductor and Storage TLWF1109 (T11 (o -
RFQ
 ECAD 3988 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо 3,20 мм L x 2,90 мм w Пефер 4-SMD, J-Lead - TLWF1109 Безл 2.10 ММ - СКАХАТА 3 (168 чASOW) Ear99 8541.41.0000 2000 Станода Овел - - - 3200MCD 3,5 В. 40 май - - -
TL1L4-DW0,L4A5B Toshiba Semiconductor and Storage TL1L4-DW0, L4A5B -
RFQ
 ECAD 6760 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Leteras ™ Lenta и катахка (tr) Управо 0,138 "L x 0,138" W (3,50 мм х 3,50 мк) 0,085 "(2,15 мм) Пефер 1414 (3535 МЕТРИКА) TL1L4 БЕЛЯ, КРУТО 3535 СКАХАТА 2 (1 годы) Ear99 8541.41.0000 1000 1,5а 2,8 В. 350 май 120 ° 6500K 153 LM/W. 70 150lm (140lm ~ 160lm) - 5 ° C/W.
TL1L4-DW0,LCS Toshiba Semiconductor and Storage TL1L4-DW0, LCS -
RFQ
 ECAD 4162 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Leteras ™ Lenta и катахка (tr) Управо 0,138 "L x 0,138" W (3,50 мм х 3,50 мк) 0,085 "(2,15 мм) Пефер 1414 (3535 МЕТРИКА) TL1L4 БЕЛЯ, КРУТО 3535 СКАХАТА 2а (4 nedeli) Ear99 8541.41.0000 200 1,5а 2,8 В. 350 май 120 ° 6500K 148 LM/W. 70 145LM (130LM ~ 160LM) - 5 ° C/W.
TL3GB-LL1,L Toshiba Semiconductor and Storage TL3GB-LL1, L. -
RFQ
 ECAD 1200 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Leteras ™ Lenta и катахка (tr) Управо 0,118 "L x 0,118" W (3,00 мм х 3,00 мм) 0,030 "(0,77 мм) Пефер 1212 (3030 МЕТРИКА) TL3GB БЕЛЯ, ТЕПЛИ 3030 СКАХАТА 2а (4 nedeli) Ear99 8541.41.0000 4000 200 май 5,76 100 май - 2700K 106 LM/W. 80 - 61LM (56LM ~ 66LM) 17 ° C/W.
TL2FL-NW1,L Toshiba Semiconductor and Storage TL2FL-NW1, L. -
RFQ
 ECAD 7295 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Leteras ™ Lenta и катахка (tr) Управо 0,118 "L x 0,055" W (3,00 мм x 1,40 мм) 0,030 "(0,77 мм) Пефер 1206 (3014 МЕТРИКА) Tl2fl БЕЛЯ, КРУТО 3014 СКАХАТА 2а (4 nedeli) Ear99 8541.41.0000 4000 100 май 2,82 В. 65 май - 5000K 125 LM/W. 80 - 23LM (21LM ~ 26LM) 30 ° C/W.
TL2FL-LW1,L Toshiba Semiconductor and Storage Tl2fl-lw1, l -
RFQ
 ECAD 3152 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Leteras ™ Lenta и катахка (tr) Управо 0,118 "L x 0,055" W (3,00 мм x 1,40 мм) 0,030 "(0,77 мм) Пефер 1206 (3014 МЕТРИКА) Tl2fl БЕЛЯ, ТЕПЛИ 3014 СКАХАТА 2а (4 nedeli) Ear99 8541.41.0000 4000 100 май 2,82 В. 65 май - 3000K 115 LM/W. 80 - 21LM (19LM ~ 22LM) 30 ° C/W.
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть