- RFQ
- Категория
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- Японский
- корейский
- арабский
- Ирландский
- Греческий
- турецкий
- Итальянский
- Датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Лак
- Баск
- Каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаос
- албанский
- Амхарский
- Армянский
- Азербайджани
- Белорус
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- Себуано
- Чичева
- Корсикан
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинец
- Финский
- фризский
- Галиц
- Грузинец
- Гуджарати
- Гаитянский
- Хауса
- Гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- Яванский
- Каннада
- Казах
- Кхмер
- Курдский
- Кыргиз
- латинский
- Латвиан
- литовский
- Люксембу ..
- македонский
- Малагасийский
- малайский
- Малаялам
- Мальтийский
- маори
- Маратхи
- Монгольский
- Бирманский
- Непальский
- норвежский
- Пушту
- Персидский
- Пенджаби
- сербский
- Сезото
- Сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомалийский
- Самоан
- Шотландцы гэльские
- Шона
- Синдхи
- Сунданец
- суахили
- Таджик
- Тамильский
- телугу
- Тайский
- Украинский
- Урду
- Узбек
- вьетнамский
- валлийский
- Xhosa
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Kinyarwanda
- Татар
- Ария
- туркменский
- Уйгур
Опто -доктроника (6540)
| Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | Raзmer / yзmerenee | Веса - Синяя (МАКСИМУМ) | МОНТАНАНГИП | PakeT / KORPUES | ТИП | Фуевшии | Baзowый nomer prodikta | ЦВ | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Техниль | Статус Ройс | Вернояж | Доусейн Статуса | Дрогин ИНЕНА | Eccn | Htsus | Станодар | Коунфигура | ТОК - МАКС | Делина Вонн | Вес | На | ТОК - ТЕСТР | ВАМОЛЕЕ ПРОСМОТРА | CCT (k) | С. | ТЕМПЕРАТУРА - ТЕСА | Lumens/watt @ current - тепла | Cri (инкс | СОЗОВО | ТИПЛИН | POTOK @ 85 ° C, Ток - Тепла | Potok @ 25 ° C, Ток - Тепла | Теплово -вупротейн |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SPHWHAHDNA25YZW3D4 | 1.6400 |  | 500 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Cob D Gen4 | МАССА | Актифен | 13,50 мм L x 13,50 мм w | Чip nabortu (Cob) | - | SPHWHAHDNA25 | БЕЛЯ, ТЕПЛИ | СКАХАТА | Rohs3 | 2а (4 nedeli) | DOSTISH | 1510-sphwhahdna25yzw3d4 | Ear99 | 8541.41.0000 | 500 | Квадрат | 230 май | - | 1,65 мм | 33,6 В. | 90 май | 115 ° | 2700K 3-ytupeNчaTый эllips macadam | 498lm (typ) | 85 ° С | 165 LM/W. | 80 | 9,80 мм диаметро | Плоски | ||||||||
| Sphwhahdnb27yzv3d4 | 2.4100 | | 490 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Cob D Gen4 | МАССА | Актифен | 13,50 мм L x 13,50 мм w | Чip nabortu (Cob) | - | SPHWHAHDNB27 | БЕЛЯ, ТЕПЛИ | - | Rohs3 | 2а (4 nedeli) | DOSTISH | 1510-sphwhahdnb27yzv3d4 | Ear99 | 8541.41.0000 | 500 | Квадрат | 460 май | - | 1,65 мм | 33,6 В. | 180 май | 115 ° | 3000k 3-ytupeNчaToToE эlkyps macadam | 886lm (typ) | 85 ° С | 146 LM/W. | 90 | 9,80 мм диаметро | Плоски | ||||||||
 | Scp8wt93kel1wuj36e | 0,5000 | | 39 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | - | Rohs3 | 2а (4 nedeli) | DOSTISH | Ear99 | 8541.41.0000 | 4000 | ||||||||||||||||||||||||||||
| SPHWHAHDNB25YZQ3D4 | 2.4100 | | 500 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Cob D Gen4 | МАССА | Актифен | 13,50 мм L x 13,50 мм w | Чip nabortu (Cob) | - | SPHWHAHDNB25 | БЕЛЯ, КРУТО | СКАХАТА | Rohs3 | 2а (4 nedeli) | DOSTISH | 1510-sphwhahdnb25yzq3d4 | Ear99 | 8541.41.0000 | 500 | Квадрат | 460 май | - | 1,65 мм | 33,6 В. | 180 май | 115 ° | 5700k 3-ytupenчaTый эllyps macadam | 1081lm (typ) | 85 ° С | 179 LM/W. | 80 | 9,80 мм диаметро | Плоски | ||||||||
| SPHWHAHDNC25YZV3D4 | 3.3200 | | 500 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Cob D Gen4 | МАССА | Актифен | 13,50 мм L x 13,50 мм w | Чip nabortu (Cob) | - | SPHWHAHDNC25 | БЕЛЯ, ТЕПЛИ | СКАХАТА | Rohs3 | 2а (4 nedeli) | DOSTISH | 1510-sphwhahdnc25yzv3d4 | Ear99 | 8541.41.0000 | 500 | Квадрат | 690 май | - | 1,65 мм | 33,6 В. | 270 май | 115 ° | 3000k 3-ytupeNчaToToE эlkyps macadam | 1536LM (typ) | 85 ° С | 169 LM/W. | 80 | 9,80 мм диаметро | Плоски | ||||||||
 | SPHWH2L3D30ED4QNN3 | 0,9800 | | 1 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LH351B | Lenta и катахка (tr) | Актифен | 0,138 "L x 0,138" W (3,50 мм х 3,50 мк) | 0,081 "(206 мм) | Пефер | 1414 (3535 МЕТРИКА) | SPHWH2 | БЕЛЯ, КРУТО | 1414 | СКАХАТА | Rohs3 | 2а (4 nedeli) | DOSTISH | Ear99 | 8541.41.0000 | 1000 | 1,5а | 2,75 В. | 350 май | 120 ° | 5700K 5-stupepenshogogogogogogogo эllilipsa macadam | 171 LM/W. | 80 | 165LM (150LM ~ 180LM) | - | 4 ° C/W. | |||||||||||
| Sphwhahdnc27yzt3d4 | 3.3200 | | 500 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Cob D Gen4 | МАССА | Актифен | 13,50 мм L x 13,50 мм w | Чip nabortu (Cob) | - | SPHWHAHDNC27 | БЕЛЯ, НЕТРАЛНГ | СКАХАТА | Rohs3 | 2а (4 nedeli) | DOSTISH | 1510-sphwhahdnc27yzt3d4 | Ear99 | 8541.41.0000 | 500 | Квадрат | 690 май | - | 1,65 мм | 33,6 В. | 270 май | 115 ° | 4000k 3-of | 1399lm (typ) | 85 ° С | 154 LM/W. | 90 | 9,80 мм диаметро | Плоски | ||||||||
 | SPMWH22286D7WNPUS3 | 0,1000 | | 34 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LM281BA+ | Lenta и катахка (tr) | Актифен | 0,126 "L x 0,110" W (3,20 мм x 2,80 мм) | 0,030 "(0,75 мм) | Пефер | 2-SMD, neTLIDERSTVA | БЕЛЯ, КРУТО | 2-SMD | СКАХАТА | Rohs3 | 2а (4 nedeli) | DOSTISH | Ear99 | 8541.41.0000 | 4000 | 70 май | 3,1 В. | 60 май | 120 ° | 6500K | 140 LM/W. | 80 | - | 26LM (25 м ~ 27LM) | 25 ° C/W. | ||||||||||||
 | SPHWHTL3D50EE4TMQF | 1.2500 | | 2 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LH351C | Lenta и катахка (tr) | Актифен | 0,138 "L x 0,138" W (3,50 мм х 3,50 мк) | 0,097 "(2,46 мм) | Пефер | 1414 (3535 МЕТРИКА) | SPHWHTL3 | БЕЛЯ, НЕТРАЛНГ | 1414 | СКАХАТА | Rohs3 | 2а (4 nedeli) | DOSTISH | Ear99 | 8541.41.0000 | 800 | 2A | 2,85 В. | 700 май | 128 ° | 4000k 3-of | 170 LM/W. | 80 | 340LM (310LM ~ 370LM) | - | 3 ° C/W. | |||||||||||
| Sphwhahdng25yzw3d4 | 7.2800 | | 250 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Cob D Gen4 | МАССА | Актифен | 19,00 мм L x 19,00 мм w | Чip nabortu (Cob) | - | SPHWHAHDNG25 | БЕЛЯ, ТЕПЛИ | СКАХАТА | Rohs3 | 2а (4 nedeli) | DOSTISH | 1510-sphwhahdng25yzw3d4 | Ear99 | 8541.41.0000 | 250 | Квадрат | 1.84a | - | 1,70 мм | 33,6 В. | 720 май | 115 ° | 2700K 3-ytupeNчaTый эllips macadam | 3902lm (typ) | 85 ° С | 161 LM/W. | 80 | 14,50 мм | Плоски | ||||||||
 | SPHWHTL3DA0TV4QTS6 | 2.3000 | | 3 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LH351D | Lenta и катахка (tr) | Актифен | 0,138 "L x 0,138" W (3,50 мм х 3,50 мк) | 0,097 "(2,46 мм) | Пефер | 1414 (3535 МЕТРИКА) | SPHWHTL3 | БЕЛЯ, КРУТО | 1414 | СКАХАТА | Rohs3 | 2а (4 nedeli) | DOSTISH | 1510-SphTHTL3DA0TV4QTS6TR | Ear99 | 8541.41.0000 | 800 | 3A | 2,9 В. | 1.05A | 128 ° | 5700K | 135 LM/W. | - | 410LM (380LM ~ 440LM) | - | 2,2 ° C/W. | ||||||||||
| Sphwhahdnk27yzw3d4 | 10.1300 | | 150 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Cob D Gen4 | МАССА | Актифен | 28,00 мм L x 28,00 мм w | Чip nabortu (Cob) | - | SPHWHAHDNK27 | БЕЛЯ, ТЕПЛИ | СКАХАТА | Rohs3 | 2а (4 nedeli) | DOSTISH | 1510-sphwhahdnk27yzw3d4 | Ear99 | 8541.41.0000 | 160 | Квадрат | 2.76a | - | 1,70 мм | 33,6 В. | 1.08a | 115 ° | 2700K 3-ytupeNчaTый эllips macadam | 4899lm (typ) | 85 ° С | 135 LM/W. | 90 | 22,00 мм Диа | Плоски | ||||||||
| Sphwhahdnk27yzt3d4 | 10.1300 | | 104 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Cob D Gen4 | МАССА | Актифен | 28,00 мм L x 28,00 мм w | Чip nabortu (Cob) | - | SPHWHAHDNK27 | БЕЛЯ, НЕТРАЛНГ | СКАХАТА | Rohs3 | 2а (4 nedeli) | DOSTISH | 1510-sphwhahdnk27yzt3d4 | Ear99 | 8541.41.0000 | 160 | Квадрат | 2.76a | - | 1,70 мм | 33,6 В. | 1.08a | 115 ° | 4000k 3-of | 5588lm (typ) | 85 ° С | 154 LM/W. | 90 | 22,00 мм Диа | Плоски | ||||||||
| SPHWHAHDNM231ZT3D4 | 17.8100 | | 156 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Cob D Gen4 | МАССА | Актифен | 28,00 мм L x 28,00 мм w | Чip nabortu (Cob) | - | SPHWHAHDNM231 | БЕЛЯ, НЕТРАЛНГ | СКАХАТА | Rohs3 | 2а (4 nedeli) | DOSTISH | 1510-sphwhahdnm231zt3d4 | Ear99 | 8541.41.0000 | 160 | Квадрат | 4.14a | - | 1,70 мм | 50,5. | 1.62A | 115 ° | 4000k 3-of | 15291lm (typ) | 85 ° С | 187 lm/w | 70 | 22,00 мм Диа | Плоски | ||||||||
| SPHWHAHDNE25YZP3D4 | 4.8900 | | 250 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Cob D Gen4 | МАССА | Актифен | 19,00 мм L x 19,00 мм w | Чip nabortu (Cob) | - | SPHWHAHDNE25 | БЕЛЯ, КРУТО | СКАХАТА | Rohs3 | 2а (4 nedeli) | DOSTISH | 1510-sphwhahdne25yzp3d4 | Ear99 | 8541.41.0000 | 250 | Квадрат | 1.15a | - | 1,70 мм | 33,6 В. | 450 май | 115 ° | 6500k 3-ytupenчatoe эllips macadam | 2689lm (typ) | 85 ° С | 178 LM/W. | 80 | 14,50 мм | Плоски | ||||||||
| SPHWHAHDNM251ZU3D4 | 17.8100 | | 160 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Cob D Gen4 | МАССА | Актифен | 28,00 мм L x 28,00 мм w | Чip nabortu (Cob) | - | SPHWHAHDNM251 | БЕЛЯ, ТЕПЛИ | СКАХАТА | Rohs3 | 2а (4 nedeli) | DOSTISH | 1510-sphwhahdnm251zu3d4 | Ear99 | 8541.41.0000 | 160 | Квадрат | 4.14a | - | 1,70 мм | 50,5. | 1.62A | 115 ° | 3500k 3-ytupeNчaToe эllips macadam | 13926lm (typ) | 85 ° С | 170 LM/W. | 80 | 22,00 мм Диа | Плоски | ||||||||
| SPHWHAHDND25YZV3D4 | 3.6100 | | 380 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Cob D Gen4 | МАССА | Актифен | 13,50 мм L x 13,50 мм w | Чip nabortu (Cob) | - | SPHWHAHDND25 | БЕЛЯ, ТЕПЛИ | СКАХАТА | Rohs3 | 2а (4 nedeli) | DOSTISH | 1510-sphwhahdnd25yzv3d4 | Ear99 | 8541.41.0000 | 500 | Квадрат | 920 май | - | 1,65 мм | 33,6 В. | 360 май | 115 ° | 3000k 3-ytupeNчaToToE эlkyps macadam | 2021lm (typ) | 85 ° С | 167 LM/W. | 80 | 9,80 мм диаметро | Плоски | ||||||||
| Sphwhahdnf25yzt3d4 | 5.6800 | | 149 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Cob D Gen4 | МАССА | Актифен | 19,00 мм L x 19,00 мм w | Чip nabortu (Cob) | - | SPHWHAHDNF25 | БЕЛЯ, НЕТРАЛНГ | СКАХАТА | Rohs3 | 2а (4 nedeli) | DOSTISH | 1510-sphwhahdnf25yzt3d4 | Ear99 | 8541.41.0000 | 250 | Квадрат | 1.38a | - | 1,70 мм | 33,6 В. | 540 май | 115 ° | 4000k 3-of | 3217lm (typ) | 85 ° С | 177 LM/W. | 80 | 14,50 мм | Плоски | ||||||||
| Sphwhahdnk25yzw3d4 | 10.1300 | | 160 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Cob D Gen4 | МАССА | Актифен | 28,00 мм L x 28,00 мм w | Чip nabortu (Cob) | - | SPHWHAHDNK25 | БЕЛЯ, ТЕПЛИ | СКАХАТА | Rohs3 | 2а (4 nedeli) | DOSTISH | 1510-sphwhahdnk25yzw3d4 | Ear99 | 8541.41.0000 | 160 | Квадрат | 2.76a | - | 1,70 мм | 33,6 В. | 1.08a | 115 ° | 2700K 3-ytupeNчaTый эllips macadam | 5918lm (typ) | 85 ° С | 163 LM/W. | 80 | 22,00 мм Диа | Плоски | ||||||||
| SPMWH22286D5WNWUS3 | 0,1000 | | 39 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LM281BA+ | Lenta и катахка (tr) | Актифен | 0,126 "L x 0,110" W (3,20 мм x 2,80 мм) | 0,030 "(0,75 мм) | Пефер | 2-SMD, neTLIDERSTVA | БЕЛЯ, ТЕПЛИ | 2-SMD | СКАХАТА | Rohs3 | 2а (4 nedeli) | DOSTISH | Ear99 | 8541.41.0000 | 4000 | 70 май | 3,1 В. | 60 май | 120 ° | 2700K | 129 LM/W. | 80 | - | 24LM (23LM ~ 25LM) | 25 ° C/W. | ||||||||||||
| Sphwhahdnd25yzq3d4 | 3.6100 | | 500 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Cob D Gen4 | МАССА | Актифен | 13,50 мм L x 13,50 мм w | Чip nabortu (Cob) | - | SPHWHAHDND25 | БЕЛЯ, КРУТО | СКАХАТА | Rohs3 | 2а (4 nedeli) | DOSTISH | 1510-sphwhahdnd25yzq3d4 | Ear99 | 8541.41.0000 | 500 | Квадрат | 920 май | - | 1,65 мм | 33,6 В. | 360 май | 115 ° | 5700k 3-ytupenчaTый эllyps macadam | 2120LM (typ) | 85 ° С | 175 LM/W. | 80 | 9,80 мм диаметро | Плоски | ||||||||
| SPHWHTL3D50GE4TMKF | 1.1100 | | 5 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LH351C | Lenta и катахка (tr) | Актифен | 0,138 "L x 0,138" W (3,50 мм х 3,50 мк) | 0,097 "(2,46 мм) | Пефер | 1414 (3535 МЕТРИКА) | SPHWHTL3 | БЕЛЯ, НЕТРАЛНГ | 1414 | СКАХАТА | Rohs3 | 2а (4 nedeli) | DOSTISH | Ear99 | 8541.41.0000 | 800 | 2A | 2,85 В. | 700 май | 128 ° | 4000k 3-of | 130 LM/W. | 90 | 260LM (230LM ~ 290LM) | - | 3 ° C/W. | |||||||||||
| Sphwhahdnh23yzt3d4 | 7.8200 | | 249 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Cob D Gen4 | МАССА | Актифен | 19,00 мм L x 19,00 мм w | Чip nabortu (Cob) | - | SPHWHAHDNH23 | БЕЛЯ, НЕТРАЛНГ | СКАХАТА | Rohs3 | 2а (4 nedeli) | DOSTISH | 1510-sphwhahdnh23yzt3d4 | Ear99 | 8541.41.0000 | 250 | Квадрат | 2.3a | - | 1,70 мм | 33,6 В. | 900 май | 115 ° | 4000k 3-of | 5629lm (typ) | 85 ° С | 186 LM/W. | 70 | 14,50 мм | Плоски | ||||||||
| Sphwhahdnk27yzu3d4 | 10.1300 | | 159 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Cob D Gen4 | МАССА | Актифен | 28,00 мм L x 28,00 мм w | Чip nabortu (Cob) | - | SPHWHAHDNK27 | БЕЛЯ, ТЕПЛИ | СКАХАТА | Rohs3 | 2а (4 nedeli) | DOSTISH | 1510-sphwhahdnk27yzu3d4 | Ear99 | 8541.41.0000 | 160 | Квадрат | 2.76a | - | 1,70 мм | 33,6 В. | 1.08a | 115 ° | 3500k 3-ytupeNчaToe эllips macadam | 5407lm (typ) | 85 ° С | 149 LM/W. | 90 | 22,00 мм Диа | Плоски | ||||||||
| SPHWHAHDNM271ZW3D4 | 17.8100 | | 148 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Cob D Gen4 | МАССА | Актифен | 28,00 мм L x 28,00 мм w | Чip nabortu (Cob) | - | SPHWHAHDNM271 | БЕЛЯ, ТЕПЛИ | СКАХАТА | Rohs3 | 2а (4 nedeli) | DOSTISH | 1510-sphwhahdnm271zw3d4 | Ear99 | 8541.41.0000 | 160 | Квадрат | 4.14a | - | 1,70 мм | 50,5. | 1.62A | 115 ° | 2700K 3-ytupeNчaTый эllips macadam | 10823lm (typ) | 85 ° С | 132 LM/W. | 90 | 22,00 мм Диа | Плоски | ||||||||
 | SPMWHD32AMV5XAV3SU | 0,4800 | | 29 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LM301B Evo | Lenta и катахка (tr) | Актифен | 0,118 "L x 0,118" W (3,00 мм х 3,00 мм) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 1212 (3030 МЕТРИКА) | SPMWHD32 | БЕЛЯ, ТЕПЛИ | 1212 | СКАХАТА | Rohs3 | 2а (4 nedeli) | DOSTISH | Ear99 | 8541.41.0000 | 4000 | 200 май | 2,75 В. | 65 май | 120 ° | 3000k 3-ytupeNчaToToE эlkyps macadam | 218 lm/w | 80 | - | 39LM (37LM ~ 40LM) | 7,5 ° C/W. | |||||||||||
| SPHWHAHDNE27YZV3D4 | 4.8900 | | 250 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Cob D Gen4 | МАССА | Актифен | 19,00 мм L x 19,00 мм w | Чip nabortu (Cob) | - | SPHWHAHDNE27 | БЕЛЯ, ТЕПЛИ | СКАХАТА | Rohs3 | 2а (4 nedeli) | DOSTISH | 1510-sphwhahdne27yzv3d4 | Ear99 | 8541.41.0000 | 250 | Квадрат | 1.15a | - | 1,70 мм | 33,6 В. | 450 май | 115 ° | 3000k 3-ytupeNчaToToE эlkyps macadam | 2165lm (typ) | 85 ° С | 143 LM/W. | 90 | 14,50 мм | Плоски | ||||||||
| SPHWHTL3D50GE4RNMF | 1.1200 | | 6 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LH351C | Lenta и катахка (tr) | Актифен | 0,138 "L x 0,138" W (3,50 мм х 3,50 мк) | 0,097 "(2,46 мм) | Пефер | 1414 (3535 МЕТРИКА) | SPHWHTL3 | БЕЛЯ, КРУТО | 1414 | СКАХАТА | Rohs3 | 2а (4 nedeli) | DOSTISH | 1510-SphTHTL3D50GE4RNMFTR | Ear99 | 8541.41.0000 | 800 | 2A | 2,85 В. | 700 май | 128 ° | 5000k 5-ytupeNчaTogogogogogogogogogogropsa macadam | 140 LM/W. | 90 | 280LM (250LM ~ 310LM) | - | 3 ° C/W. | ||||||||||
| SPHWHAHDNK23YZV3D4 | 10.1300 | | 157 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Cob D Gen4 | МАССА | Актифен | 28,00 мм L x 28,00 мм w | Чip nabortu (Cob) | - | SPHWHAHDNK23 | БЕЛЯ, ТЕПЛИ | СКАХАТА | Rohs3 | 2а (4 nedeli) | DOSTISH | 1510-sphwhahdnk23yzv3d4 | Ear99 | 8541.41.0000 | 160 | Квадрат | 2.76a | - | 1,70 мм | 33,6 В. | 1.08a | 115 ° | 3000k 3-ytupeNчaToToE эlkyps macadam | 6561LM (typ) | 85 ° С | 181 lm/w | 70 | 22,00 мм Диа | Плоски | ||||||||
| Sphwhahdnh27yzu3d4 | 7.8200 | | 225 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Cob D Gen4 | МАССА | Актифен | 19,00 мм L x 19,00 мм w | Чip nabortu (Cob) | - | SPHWHAHDNH27 | БЕЛЯ, ТЕПЛИ | СКАХАТА | Rohs3 | 2а (4 nedeli) | DOSTISH | 1510-sphwhahdnh27yzu3d4 | Ear99 | 8541.41.0000 | 250 | Квадрат | 2.3a | - | 1,70 мм | 33,6 В. | 900 май | 115 ° | 3500k 3-ytupeNчaToe эllips macadam | 4448lm (typ) | 85 ° С | 147 LM/W. | 90 | 14,50 мм | Плоски |
2000+
Средний объем RFQ
30 000 000
Стандартный продукт
2800+
Мировые производители
15 000 м2
На складе
Список желаний (0 пунктов)