SIC
close

Опто -доктроника (6540)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Raзmer / yзmerenee Веса - Синяя (МАКСИМУМ) МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Фуевшии Baзowый nomer prodikta ЦВ ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура ТОК - МАКС Делина Вонн Вес На ТОК - ТЕСТР ВАМОЛЕЕ ПРОСМОТРА CCT (k) С. ТЕМПЕРАТУРА - ТЕСА Lumens/watt @ current - тепла Cri (инкс СОЗОВО ТИПЛИН POTOK @ 85 ° C, Ток - Тепла Potok @ 25 ° C, Ток - Тепла Теплово -вупротейн
SPHWHAHDNF2VYZV2D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnf2vyzv2d2 2.6550
RFQ
 ECAD 4557 0,00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Cob D Gen2 Поднос Актифен 19,00 мм L x 19,00 мм w Чip nabortu (Cob) - SPHWHAHDNF2 БЕЛЯ, ТЕПЛИ СКАХАТА Ear99 8541.41.0000 500 Квадрат 1.38a - 1,50 мм 34,6 В. 540 май 115 ° 2000K 2-ytupenчaTый эlkyps macadam 2068lm (typ) 85 ° С 111 LM/W. - 14,50 мм Плоски
SPHWW1HDNE25YHT24G Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDNE25YHT24G 7.6916
RFQ
 ECAD 5748 0,00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC040B Gen2 Поднос В аспекте 21,50 мм L x 21,50 мм w Чip nabortu (Cob) - SPHWW1 БЕЛЯ, НЕТРАЛНГ - ROHS COMPRINT 2а (4 nedeli) 1510-2092 Ear99 8541.41.0000 320 Квадрат 1.9а - 1,50 мм 35,5 В. 1.08a 115 ° 4000k 2-ytupenчatogogogogogogogogogo эlkypsa macadam 5635LM (5245LM ~ 6025LM) 25 ° С 147 LM/W. 80 17,00 мм Плоски
SPHWHAHDNH25YZW3D4 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNH25YZW3D4 7.8200
RFQ
 ECAD 240 0,00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Cob D Gen4 МАССА Актифен 19,00 мм L x 19,00 мм w Чip nabortu (Cob) - SPHWHAHDNH25 БЕЛЯ, ТЕПЛИ СКАХАТА Rohs3 2а (4 nedeli) DOSTISH 1510-sphwhahdnh25yzw3d4 Ear99 8541.41.0000 250 Квадрат 2.3a - 1,70 мм 33,6 В. 900 май 115 ° 2700K 3-ytupeNчaTый эllips macadam 4785lm (typ) 85 ° С 158 LM/W. 80 14,50 мм Плоски
SPHWHAHDNC25YZP3D3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNC25YZP3D3 1.3282
RFQ
 ECAD 4353 0,00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Cob D Gen3 Lenta и катахка (tr) В аспекте 13,50 мм L x 13,50 мм w Чip nabortu (Cob) - SPHWHAHDNC25 БЕЛЯ, КРУТО СКАХАТА Ear99 8541.41.0000 1000 Квадрат 690 май - 1,50 мм 34В 270 май 115 ° 6500k 3-ytupenчatoe эllips macadam 1550LM (typ) 85 ° С 169 LM/W. 80 9,80 мм диаметро Плоски
SPHWHAHDNM271ZR3DB Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNM271ZR3DB 12.5300
RFQ
 ECAD 47 0,00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Cob D Gen2 Plus Коробка Актифен 28,00 мм L x 28,00 мм w Чip nabortu (Cob) - SPHWHAHDNM271 БЕЛЯ, КРУТО СКАХАТА ROHS COMPRINT 2а (4 nedeli) 1510-sphwhahdnm271zr3db Ear99 8541.41.0000 160 Квадрат 3.24a - 1,50 мм 51.1V 1.62A 115 ° 5000k 3-of 13196lm (typ) 85 ° С 159 LM/W. 90 22,00 мм Диа Плоски
SPHWHAHDNH27YZU2D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnh27yzu2d2 3.5812
RFQ
 ECAD 3670 0,00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Cob D Gen2 Поднос В аспекте 19,00 мм L x 19,00 мм w Чip nabortu (Cob) - SPHWHAHDNH27 БЕЛЯ, ТЕПЛИ СКАХАТА ROHS COMPRINT 2а (4 nedeli) Ear99 8541.41.0000 500 Квадрат 2.3a - 1,50 мм 34,6 В. 900 май 115 ° 3500K 2-stupepenчatogogogogogogo эllilipsa macadam 4096lm (typ) 85 ° С 132 LM/W. 90 14,50 мм Плоски
SPHWHAHDNM271ZT3D2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNM271ZT3D2 9.9642
RFQ
 ECAD 7787 0,00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Cob D Gen2 Поднос В аспекте 28,00 мм L x 28,00 мм w Чip nabortu (Cob) - SPHWHAHDNM271 БЕЛЯ, НЕТРАЛНГ СКАХАТА Ear99 8541.41.0000 320 Квадрат 4.14a - 1,50 мм 52 1.62A 115 ° 4000k 3-of 11247lm (typ) 85 ° С 134 LM/W. 90 22,00 мм Диа Плоски
SPHCW1HDNC23YHRN3F Samsung Semiconductor, Inc. Sphcw1hdnc23yhrn3f -
RFQ
 ECAD 8938 0,00000000 Samsung Semiconductor, Inc. - Поднос Управо - - - SPHCW1 - - ROHS COMPRINT 2а (4 nedeli) Ear99 8541.41.0000 300 - - - - - - - - - - - - - -
SPHWHAHDNH27YZT2D3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnh27yzt2d3 3.8881
RFQ
 ECAD 6469 0,00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Cob D Gen3 Поднос В аспекте 19,00 мм L x 19,00 мм w Чip nabortu (Cob) - SPHWHAHDNH27 БЕЛЯ, НЕТРАЛНГ СКАХАТА Ear99 8541.41.0000 500 Квадрат 2.3a - 1,50 мм 34В 900 май 115 ° 4000k 2-ytupenчatogogogogogogogogogo эlkypsa macadam 4364lm (typ) 85 ° С 143 LM/W. 90 14,50 мм Плоски
SPHWHAHDNL231ZT3D4 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNL231ZT3D4 12.8600
RFQ
 ECAD 155 0,00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Cob D Gen4 МАССА Актифен 28,00 мм L x 28,00 мм w Чip nabortu (Cob) - SPHWHAHDNL231 БЕЛЯ, НЕТРАЛНГ СКАХАТА Rohs3 2а (4 nedeli) DOSTISH 1510-sphwhahdnl231zt3d4 Ear99 8541.41.0000 160 Квадрат 2.76a - 1,70 мм 50,5. 1.08a 115 ° 4000k 3-of 10308LM (typ) 85 ° С 189 LM/W. 70 22,00 мм Диа Плоски
SI-B8U243B20WW Samsung Semiconductor, Inc. Si-B8U243B20WW 12.5500
RFQ
 ECAD 110 0,00000000 Samsung Semiconductor, Inc. V Gen3 Поднос Актифен 1120,00 мм л x 18,00 мм w С. С. - Si-B8 БЕЛЯ, ТЕПЛИ СКАХАТА Neprigodnnый 1510-SI-B8U243B20WW Ear99 8541.41.0000 110 Lehneйnavyly -ylegaypolosa 1,8а - 3,70 мм 44,4 В. 530 май 118 ° 3500K 4220lm (typ) 50 ° С 180 LM/W. 80 - Плоски
SPHWHTL3DA0CF4WPT6 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHTL3DA0CF4WPT6 -
RFQ
 ECAD 4709 0,00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LH351D Lenta и катахка (tr) Управо 0,138 "L x 0,138" W (3,50 мм х 3,50 мк) 0,097 "(2,46 мм) Пефер 1414 (3535 МЕТРИКА) SPHWHTL3 БЕЛЯ, ТЕПЛИ 3535 СКАХАТА ROHS COMPRINT 2а (4 nedeli) Ear99 8541.41.0000 6400 3A 3В 1.05A 128 ° 2700K 137 LM/W. 70 430LM (400LM ~ 460LM) - 2,2 ° C/W.
SI-B8TZ91B20WW Samsung Semiconductor, Inc. Si-B8TZ91B20WW 22.2746
RFQ
 ECAD 1987 0,00000000 Samsung Semiconductor, Inc. F-Series Gen3 МАССА Актифен 1120,00 мм L x 39,80 мм w С. С. - Si-B8 БЕЛЯ, НЕТРАЛНГ СКАХАТА Neprigodnnый Ear99 8541.41.0000 96 Lehneйnavyly -ylegaypolosa 3.6a - 5,20 мм 46 2.24a - 4000k 3-of 18000LM (16200LM ~ 20000LM) 65 ° С 175 LM/W. 80 - Плоски
SI-B8T114280WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8T114280WW -
RFQ
 ECAD 9134 0,00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-M282C_G2 Поднос Управо 275,00 мм л x 18,00 мм w С. С. С. Si-B8 БЕЛЯ, НЕТРАЛНГ СКАХАТА ROHS COMPRINT Neprigodnnый 1510-1334 Ear99 8541.41.0000 400 Lehneйnavyly -ylegaypolosa 540 май - 4,40 мм 24,8 В. 450 май 115 ° 4000k 4-ytupenчatogogogogogogogogogogropsa macadam 1650lm (typ) 50 ° С 148 LM/W. 80 - Плоски
SPHWHAHDND25YZR3D3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDND25YZR3D3 1.6518
RFQ
 ECAD 4110 0,00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Cob D Gen3 Lenta и катахка (tr) В аспекте 13,50 мм L x 13,50 мм w Чip nabortu (Cob) - SPHWHAHDND25 БЕЛЯ, КРУТО СКАХАТА Ear99 8541.41.0000 1000 Квадрат 920 май - 1,50 мм 34В 360 май 115 ° 5000k 3-of 2053lm (typ) 85 ° С 168 LM/W. 80 9,80 мм диаметро Плоски
SPHWHAHDNL271ZV2D3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnl271zv2d3 6.9310
RFQ
 ECAD 7549 0,00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Cob D Gen3 Поднос В аспекте 28,00 мм L x 28,00 мм w Чip nabortu (Cob) - SPHWHAHDNL271 БЕЛЯ, ТЕПЛИ СКАХАТА Ear99 8541.41.0000 320 Квадрат 2.76a - 1,50 мм 51 1.08a 115 ° 2000K 2-ytupenчaTый эlkyps macadam 7549lm (typ) 85 ° С 137 LM/W. 90 22,00 мм Диа Плоски
SPMWH22296Q7SGUKS1 Samsung Semiconductor, Inc. SPMWH22296Q7SGUKS1 0,0081
RFQ
 ECAD 2859 0,00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LM283BS+ Lenta и катахка (tr) Актифен 0,138 "L x 0,110" W (3,50 мм x 2,80 мм) 0,030 "(0,75 мм) Пефер 1113 (2835 МЕТРИКА) SPMWH22296 БЕЛЯ, ТЕПЛИ 2835 СКАХАТА Ear99 8541.41.0000 4000 70 май 9.4V 60 май 120 ° 3500K 101 LM/W. 90 - 57LM (55LM ~ 60LM) 15 ° C/W.
SL-P7T2E24MZWW Samsung Semiconductor, Inc. SL-P7T2E24MZWW -
RFQ
 ECAD 2809 0,00000000 Samsung Semiconductor, Inc. E-Type Поднос Управо 125,00 мм L x 50,00 мм w С. С. - SL-P7T2 БЕЛЯ, НЕТРАЛНГ - ROHS COMPRINT 2а (4 nedeli) Ear99 8541.41.0000 12 Прхмогольник 700 май - 41,60 мм 30 700 май - 4000K 1950lm (typ) 65 ° С 93 LM/W. 70 - -
SPHWW1HDN825YHW3EE Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDN825YHW3EE 1.5063
RFQ
 ECAD 2836 0,00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC006B Gen2 Поднос В аспекте 13,50 мм L x 13,50 мм w Чip nabortu (Cob) - SPHWW1 БЕЛЯ, ТЕПЛИ - ROHS COMPRINT 2а (4 nedeli) 1510-1984 Ear99 8541.41.0000 672 Квадрат 320 май - 1,50 мм 35,5 В. 180 май 115 ° 2700K 3-ytupeNчaTый эllips macadam 888LM (833LM ~ 942LM) 25 ° С 139 LM/W. 80 Диа Плоски
SI-B8U11156HUS Samsung Semiconductor, Inc. Si-B8U11156HUS -
RFQ
 ECAD 6584 0,00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-H562D МАССА Актифен 560,00 мм L x 18,00 мм w С. С. С. Si-B8 БЕЛЯ, ТЕПЛИ СКАХАТА ROHS COMPRINT Neprigodnnый Ear99 8541.41.0000 280 Lehneйnavyly -ylegaypolosa - - 5,80 мм 22,5 В. 480 май - 3500K 1965lm (typ) 50 ° С 182 LM/W. 80 - Плоски
SPHWHAHDNC25YZT3D3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnc25yzt3d3 1.3282
RFQ
 ECAD 7253 0,00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Cob D Gen3 Lenta и катахка (tr) В аспекте 13,50 мм L x 13,50 мм w Чip nabortu (Cob) - SPHWHAHDNC25 БЕЛЯ, НЕТРАЛНГ СКАХАТА Ear99 8541.41.0000 1000 Квадрат 690 май - 1,50 мм 34В 270 май 115 ° 4000k 3-of 1550LM (typ) 85 ° С 169 LM/W. 80 9,80 мм диаметро Плоски
SPHWHAHDNF28YZT2D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnf28yzt2d2 2.2993
RFQ
 ECAD 9667 0,00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Cob D Gen2 Поднос Актифен 19,00 мм L x 19,00 мм w Чip nabortu (Cob) - SPHWHAHDNF28 БЕЛЯ, НЕТРАЛНГ СКАХАТА Ear99 8541.41.0000 500 Квадрат 1.38a - 1,50 мм 34,6 В. 540 май 115 ° 4000k 2-ytupenчatogogogogogogogogogo эlkypsa macadam 2121LM (typ) 85 ° С 114 LM/W. - 14,50 мм Плоски
SPMWHT541MP5WARMS4 Samsung Semiconductor, Inc. SPMWHT541MP5WARMS4 0,4000
RFQ
 ECAD 935 0,00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LM561B Plus Lenta и катахка (tr) Актифен 0,197 "L x 0,118" W (5,00 мм х 3,00 мм) 0,031 "(0,80 мм) Пефер 4-SMD, Плоскилили SPMWHT541 БЕЛЯ, КРУТО 5630 СКАХАТА ROHS COMPRINT 2а (4 nedeli) Ear99 8541.41.0000 2500 180 май 2,95 В. 65 май 120 ° 5000K 177 LM/W. 80 - 34LM (33LM ~ 35LM) 15 ° C/W.
SPHWHAHDNE25YZU2J1 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNE25YZU2J1 -
RFQ
 ECAD 3973 0,00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC016D Поднос Управо 19,00 мм L x 19,00 мм w Чip nabortu (Cob) - SPHWHAHDNE25 БЕЛЯ, ТЕПЛИ СКАХАТА ROHS COMPRINT 2а (4 nedeli) 1510-1910 Ear99 8541.41.0000 1600 Квадрат 1.15a - 1,50 мм 34,6 В. 450 май 115 ° 3500K 2-stupepenчatogogogogogogo эllilipsa macadam 2263lm (typ) 85 ° С 145 LM/W. 80 14,50 мм Плоски
SPMWHT328FD5WAWMS0 Samsung Semiconductor, Inc. SPMWHT328FD5WAWMS0 0,0709
RFQ
 ECAD 5199 0,00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LM301A Lenta и катахка (tr) В аспекте 0,118 "L x 0,118" W (3,00 мм х 3,00 мм) 0,030 "(0,75 мм) Пефер 1212 (3030 МЕТРИКА) SPMWHT328 БЕЛЯ, ТЕПЛИ 3030 СКАХАТА ROHS COMPRINT 2а (4 nedeli) Ear99 8541.41.0000 4000 500 май 2,85 В. 150 май 115 ° 2700K 136 LM/W. 80 58LM (54LM ~ 62LM) - 7 ° C/W.
SPHWW1HDNC27YHV22F Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDNC27YHV22F -
RFQ
 ECAD 5010 0,00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC026B Коробка Управо 21,50 мм L x 21,50 мм w Чip nabortu (Cob) - SPHWW1 БЕЛЯ, ТЕПЛИ - ROHS COMPRINT 2а (4 nedeli) Ear99 8541.41.0000 320 Квадрат 1.3a - 1,50 мм 35,5 В. 720 май 115 ° 2000K 2-ytupenчaTый эlkyps macadam 2785LM (2285LM ~ 3285LM) 25 ° С 109 LM/W. 90 17,00 мм Плоски
SI-B8R151560WW Samsung Semiconductor, Inc. Si-B8R151560WW -
RFQ
 ECAD 9560 0,00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-M562B Поднос Управо 560,00 мм L x 18,00 мм w С. С. С. Si-B8 БЕЛЯ, КРУТО - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 1510-1107 Ear99 8541.41.0000 280 Lehneйnavyly -ylegaypolosa 600 май - 5,80 мм 24,7 В. 600 май 115 ° 5000k 3-of 2100LM (typ) 50 ° С 142 LM/W. 80 - Плоски
SPHCW1HDNE25YHR3B3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphcw1hdne25yhr3b3 -
RFQ
 ECAD 5199 0,00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC040B Gen3 Lenta и катахка (tr) Управо 21,50 мм L x 21,50 мм w Чip nabortu (Cob) - SPHCW1 БЕЛЯ, КРУТО СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.41.0000 1050 Квадрат 1.9а - 1,50 мм 35,5 В. 1.08a 115 ° 5000k 3-of 6133LM (5690LM ~ 6576LM) 25 ° С 160 LM/W. 80 17,00 мм Плоски
SPHWHTL3D307E6W0E6 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHTL3D307E6W0E6 -
RFQ
 ECAD 1782 0,00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LH351A Lenta и катахка (tr) Управо 0,138 "L x 0,138" W (3,50 мм х 3,50 мк) 0,080 "(2,02 мм) Пефер 1414 (3535 МЕТРИКА) SPHWHTL3 БЕЛЯ, ТЕПЛИ 3535 - ROHS COMPRINT 2а (4 nedeli) Ear99 8541.41.0000 1000 1,5а 2,95 В. 350 май 125 ° 2700K 107 LM/W. 90 - 110LM (80LM ~ 140LM) 4 ° C/W.
SPMWHT228FD5BAP0S0 Samsung Semiconductor, Inc. SPMWHT228FD5BAP0S0 -
RFQ
 ECAD 2245 0,00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LM281A Lenta и катахка (tr) Управо 0,131 "L x 0,110" W (3,32 мм х 2,80 мм) 0,030 "(0,75 мм) Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. БЕЛЯ, КРУТО 2835 СКАХАТА ROHS COMPRINT 2а (4 nedeli) Ear99 8541.41.0000 4000 150 май 3,15 В. 150 май 120 ° 6500K 129 LM/W. 80 - 61LM (56LM ~ 66LM) 24 ° C/W.
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть