SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (Dollar) Колиство Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura Прилонья Raзmer / yзmerenee Веса - Синяя (МАКСИМУМ) МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТЕМПЕРАТУРНАКОВОЙ ПЕРЕ ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Верный Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Сопротивейн (ом) ТИП ССЕЕМы Колист КОГФИГИОН СОПОСАЛЕВЕВА Rerзy-ratio-dreйf Колист Власть на
S41C083110GP CTS Resistor Products S41C083110GP 0,0560
RFQ
ECAD 2548 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,018 "(0,45 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. ± 200 мклд/° C. 0804 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41C083110GPTR Ear99 8533.21.0020 10000 11 Иолирована 4 - - 8 31,25 м
S42C083104GP CTS Resistor Products S42C083104GP 0,0813
RFQ
ECAD 2764 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), ВОЗ ± 200 мклд/° C. 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42C083104GPTR Ear99 8533.21.0020 5000 100 л.С. Иолирована 4 - - 8 63 м
741X1635602FP CTS Resistor Products 741x1635602FP 0,1102
RFQ
ECAD 5738 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS 741 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. Вернояйн А.Е. 0,156 "L x 0,063" W (3,95 мм х 1,60 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 1506, vыpupklый, делинн. 741x163 ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 5000 56K Иолирована 8 - - 16 63 м
S41X083434FP CTS Resistor Products S41x083434FP 0,0311
RFQ
ECAD 7162 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,018 "(0,45 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. ± 200 мклд/° C. 0804 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41X083434FPTR Ear99 8533.21.0020 10000 430K Иолирована 4 - - 8 31 м
S40X043223JP CTS Resistor Products S40X043223JP 0,0901
RFQ
ECAD 8884 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,033 "L x 0,024" W (0,85 мм х 0,60 мм) 0,016 "(0,40 мм) Пефер 0302 (0805 МЕТРИКА), В.Пуклый, Делинн. ± 200 мклд/° C. 0302 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S40X043223JPTR Ear99 8533.21.0020 10000 22K Иолирована 2 - - 4 31 м
S42C043183JP CTS Resistor Products S42C043183JP 0,0508
RFQ
ECAD 2338 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,063 "L x 0,063" W (1,60 мм х 1,60 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 0606, vvognuetый ± 200 мклд/° C. 0606 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42C043183JPTR Ear99 8533.21.0020 5000 18к Иолирована 2 - - 4 63 м
RT2201B7PTR7 CTS Resistor Products RT2201B7PTR7 -
RFQ
ECAD 4614 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS Clearone ™ Lenta и катахка (tr) Управо ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. Компактен PCI® 0,630 "L x 0,157" W (16,00 мм x 4,00 мм) 0,053 "(1,34 мм) Пефер 64-lbga ± 200 мклд/° C. 64-BGA (16x4) - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0020 1000 10 Дво 32 - - 64 50 м
S41X043103FP CTS Resistor Products S41x043103FP 0,0283
RFQ
ECAD 8965 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,039 "L x 0,039" w (1,00 мк х 1,00 мм) 0,016 "(0,40 мм) Пефер 0404 (1010 МЕТРИКА), В.Пуклый ± 200 мклд/° C. 0404 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41X043103FPTR Ear99 8533.21.0020 10000 10K Иолирована 2 - - 4 63 м
S42C083331GP CTS Resistor Products S42C083331GP 0,0813
RFQ
ECAD 9448 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), ВОЗ ± 200 мклд/° C. 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42C083331GPTR Ear99 8533.21.0020 5000 330 Иолирована 4 - - 8 63 м
S42C043752FP CTS Resistor Products S42C043752FP 0,0693
RFQ
ECAD 7001 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,063 "L x 0,063" W (1,60 мм х 1,60 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 0606, vvognuetый ± 200 мклд/° C. 0606 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42C043752FPTR Ear99 8533.21.0020 5000 7,5K Иолирована 2 - - 4 63 м
S42C043221JP CTS Resistor Products S42C043221JP 0,0508
RFQ
ECAD 3047 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,063 "L x 0,063" W (1,60 мм х 1,60 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 0606, vvognuetый ± 200 мклд/° C. 0606 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42C043221JPTR Ear99 8533.21.0020 5000 220 Иолирована 2 - - 4 63 м
768163681GP CTS Resistor Products 768163681GP 1.2132
RFQ
ECAD 9739 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS 768 Трубка Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,440 "L x 0,220" W (11,18 мм x 5,59 мм) 0,071 "(1,80 мм) Пефер 16 SOIC (0,220 ", Ирин 5,59 мм) ± 100 мклд/млн/° С. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0010 43 680 Иолирована 8 - - 16 200 м
S42C083152GP CTS Resistor Products S42C083152GP 0,0813
RFQ
ECAD 6891 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), ВОЗ ± 200 мклд/° C. 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42C083152GPTR Ear99 8533.21.0020 5000 1,5 л.С. Иолирована 4 - - 8 63 м
S41C083822GP CTS Resistor Products S41C083822GP 0,0560
RFQ
ECAD 1594 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,018 "(0,45 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. ± 200 мклд/° C. 0804 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41C08382222GPTR Ear99 8533.21.0020 10000 8,2K Иолирована 4 - - 8 31,25 м
S42C083123JP CTS Resistor Products S42C083123JP 0,0680
RFQ
ECAD 7540 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), ВОЗ ± 200 мклд/° C. 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42C083123JPTR Ear99 8533.21.0020 5000 12K Иолирована 4 - - 8 63 м
745C101224JP CTS Resistor Products 745C101224JP 0,6400
RFQ
ECAD 9 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS 745 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,252 "L x 0,126" W (6,40 мм х 3,20 мм) 0,028 "(0,70 мм) Пефер 2512 (6432 МЕТРИКА), ВОЗ 745C101 ± 250ppm/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 4000 220K Авторс 8 - - 10 63 м
752125202AP CTS Resistor Products 752125202AP 1.6251
RFQ
ECAD 1528 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS 752 МАССА Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,665 "L x 0,080" W (16,89 мм x 2,03 мм) 0,100 "(2,53 мм) Пефер 12-SRT ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 250 3K, 6,2K Дво 20 - - 12 80 м
S41C083753FP CTS Resistor Products S41C083753FP 0,0653
RFQ
ECAD 1844 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,018 "(0,45 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. ± 200 мклд/° C. 0804 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41C083753FPTR Ear99 8533.21.0020 10000 75K Иолирована 4 - - 8 31,25 м
766141202GP CTS Resistor Products 766141202GP 1.2910
RFQ
ECAD 5709 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS 766 Трубка Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,341 "L x 0,154" W (8,65 мм х 390 мм) 0,069 "(1,75 мм) Пефер 14 SOIC (0,154 ", Ирина 3,90 мм) ± 100 мклд/млн/° С. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 766-141-R2KP Ear99 8533.21.0010 56 2K Авторс 13 - - 14 80 м
S41X083151GP CTS Resistor Products S41X083151GP 0,0269
RFQ
ECAD 1730 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,018 "(0,45 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. ± 200 мклд/° C. 0804 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41X083151GPTR Ear99 8533.21.0020 10000 150 Иолирована 4 - - 8 31 м
S42X083912GP CTS Resistor Products S42X083912GP 0,0495
RFQ
ECAD 3683 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,024 "(0,60 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), В.Пуклый, Делинн. ± 200 мклд/° C. 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42X083912GPTR Ear99 8533.21.0020 5000 9,1K Иолирована 4 - - 8 63 м
S42C043363FP CTS Resistor Products S42C043363FP 0,0693
RFQ
ECAD 7376 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,063 "L x 0,063" W (1,60 мм х 1,60 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 0606, vvognuetый ± 200 мклд/° C. 0606 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42C043363FPTR Ear99 8533.21.0020 5000 36K Иолирована 2 - - 4 63 м
S41C083680FP CTS Resistor Products S41C083680FP 0,0653
RFQ
ECAD 4780 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,018 "(0,45 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. ± 200 мклд/° C. 0804 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41C083680FPTR Ear99 8533.21.0020 10000 68 Иолирована 4 - - 8 31,25 м
S41X043300GP CTS Resistor Products S41X043300GP 0,0240
RFQ
ECAD 9847 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,039 "L x 0,039" w (1,00 мк х 1,00 мм) 0,016 "(0,40 мм) Пефер 0404 (1010 МЕТРИКА), В.Пуклый ± 200 мклд/° C. 0404 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41X043300GPTR Ear99 8533.21.0020 10000 30 Иолирована 2 - - 4 63 м
S41C083514JP CTS Resistor Products S41C083514JP 0,0481
RFQ
ECAD 5881 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,018 "(0,45 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. ± 200 мклд/° C. 0804 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41C083514JPTR Ear99 8533.21.0020 10000 510K Иолирована 4 - - 8 31,25 м
RT1205B CTS Resistor Products RT1205B -
RFQ
ECAD 2321 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS Clearone ™ МАССА Управо ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. Компактен PCI® 0,630 "L x 0,157" W (16,00 мм x 4,00 мм) 0,053 "(1,34 мм) Пефер 64-lbga ± 200 мклд/° C. 64-BGA (16x4) - Rohs 1 (neograniчennnый) Управо 0000.00.0000 1 50 Дво 32 - - 64 50 м
RT1400B7PTR13 CTS Resistor Products RT1400B7PTR13 -
RFQ
ECAD 5021 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS Clearone ™ Lenta и катахка (tr) Управо ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM 0,354 "L x 0,118" W (9,00 мм х 3,00 мм) 0,053 "(1,34 мм) Пефер 27-lbga ± 200 мклд/° C. 27-bga (9x3) - Rohs 1 (neograniчennnый) Управо 0000.00.0000 4000 25, 50 Дво 18 - - 27 50 м
S42C163331JP CTS Resistor Products S42C163331JP 0,1518
RFQ
ECAD 2010 ГОД 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,252 "L x 0,063" W (6,40 мм х 1,60 мм) 0,024 "(0,60 мм) Пефер 2506, vvognuethe, ddlinnnhe bocokowse totrmieNalы ± 200 мклд/° C. 2506 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42C163331JPTR Ear99 8533.21.0020 4000 330 Иолирована 8 - - 16 63 м
S41X083754GP CTS Resistor Products S41X083754GP 0,0269
RFQ
ECAD 9650 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,018 "(0,45 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. ± 200 мклд/° C. 0804 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41X083754GPTR Ear99 8533.21.0020 10000 750K Иолирована 4 - - 8 31 м
742C163103JP CTS Resistor Products 742C163103JP 0,4700
RFQ
ECAD 783 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS 742 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,252 "L x 0,063" W (6,40 мм х 1,60 мм) 0,028 "(0,70 мм) Пефер 2506, vvognuethe, ddlinnnhe bocokowse totrmieNalы 742C163 ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 4000 10K Иолирована 8 - - 16 63 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе