SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura Прилонья Raзmer / yзmerenee Веса - Синяя (МАКСИМУМ) МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТЕМПЕРАТУРНАКОВОЙ ПЕРЕ ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Сопротивейн (ом) ТИП ССЕЕМы Колист КОГФИГИОН СОПОСАЛЕВЕВА Rerзy-ratio-dreйf Колист Власть на
S42C083223FP CTS Resistor Products S42C083223FP 0,0914
RFQ
ECAD 3665 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), ВОЗ ± 200 мклд/° C. 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42C083223FPTR Ear99 8533.21.0020 5000 22K Иолирована 4 - - 8 63 м
S42C043681GP CTS Resistor Products S42C043681GP 0,0600
RFQ
ECAD 3917 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,063 "L x 0,063" W (1,60 мм х 1,60 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 0606, vvognuetый ± 200 мклд/° C. 0606 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42C043681GPTR Ear99 8533.21.0020 5000 680 Иолирована 2 - - 4 63 м
S42C043241FP CTS Resistor Products S42C043241FP 0,0693
RFQ
ECAD 7174 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,063 "L x 0,063" W (1,60 мм х 1,60 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 0606, vvognuetый ± 200 мклд/° C. 0606 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42C043241FPTR Ear99 8533.21.0020 5000 240 Иолирована 2 - - 4 63 м
S42X083103GP CTS Resistor Products S42X083103GP 0,0495
RFQ
ECAD 1086 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,024 "(0,60 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), В.Пуклый, Делинн. ± 200 мклд/° C. 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42X083103GPTR Ear99 8533.21.0020 5000 10K Иолирована 4 - - 8 63 м
S42C163752GP CTS Resistor Products S42C163752GP 0,1813
RFQ
ECAD 9100 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,252 "L x 0,063" W (6,40 мм х 1,60 мм) 0,024 "(0,60 мм) Пефер 2506, vvognuethe, ddlinnnhe bocokowse totrmieNalы ± 200 мклд/° C. 2506 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42C163752GPTR Ear99 8533.21.0020 4000 7,5K Иолирована 8 - - 16 63 м
S42C083202FP CTS Resistor Products S42C083202FP 0,0914
RFQ
ECAD 2642 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), ВОЗ ± 200 мклд/° C. 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42C083202FPTR Ear99 8533.21.0020 5000 2K Иолирована 4 - - 8 63 м
S42C083823JP CTS Resistor Products S42C083823JP 0,0680
RFQ
ECAD 7916 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), ВОЗ ± 200 мклд/° C. 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42C083823JPTR Ear99 8533.21.0020 5000 82К Иолирована 4 - - 8 63 м
S41X043332FP CTS Resistor Products S41x043332FP 0,0283
RFQ
ECAD 4540 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,039 "L x 0,039" w (1,00 мк х 1,00 мм) 0,016 "(0,40 мм) Пефер 0404 (1010 МЕТРИКА), В.Пуклый ± 200 мклд/° C. 0404 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41X043332FPTR Ear99 8533.21.0020 10000 3,3К Иолирована 2 - - 4 63 м
S42X083163FP CTS Resistor Products S42X083163FP 0,0560
RFQ
ECAD 5877 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,024 "(0,60 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), В.Пуклый, Делинн. ± 200 мклд/° C. 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42X083163FPTR Ear99 8533.21.0020 5000 16k Иолирована 4 - - 8 63 м
S42C163682JP CTS Resistor Products S42C163682JP 0,1518
RFQ
ECAD 4062 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,252 "L x 0,063" W (6,40 мм х 1,60 мм) 0,024 "(0,60 мм) Пефер 2506, vvognuethe, ddlinnnhe bocokowse totrmieNalы ± 200 мклд/° C. 2506 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42C163682JPTR Ear99 8533.21.0020 4000 6,8K Иолирована 8 - - 16 63 м
S42C163563JP CTS Resistor Products S42C163563JP 0,1518
RFQ
ECAD 3913 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,252 "L x 0,063" W (6,40 мм х 1,60 мм) 0,024 "(0,60 мм) Пефер 2506, vvognuethe, ddlinnnhe bocokowse totrmieNalы ± 200 мклд/° C. 2506 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42C163563JPTR Ear99 8533.21.0020 4000 56K Иолирована 8 - - 16 63 м
S42X083680JP CTS Resistor Products S42X083680JP 0,0412
RFQ
ECAD 8273 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,024 "(0,60 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), В.Пуклый, Делинн. ± 200 мклд/° C. 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42X083680JPTR Ear99 8533.21.0020 5000 68 Иолирована 4 - - 8 63 м
S41X083474FP CTS Resistor Products S41X083474FP 0,0311
RFQ
ECAD 3543 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,018 "(0,45 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. ± 200 мклд/° C. 0804 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41X083474FPTR Ear99 8533.21.0020 10000 470K Иолирована 4 - - 8 31 м
S42C083753JP CTS Resistor Products S42C083753JP 0,0680
RFQ
ECAD 6430 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), ВОЗ ± 200 мклд/° C. 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42C083753JPTR Ear99 8533.21.0020 5000 75K Иолирована 4 - - 8 63 м
S41C083220FP CTS Resistor Products S41C083220FP 0,0653
RFQ
ECAD 2339 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,018 "(0,45 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. ± 200 мклд/° C. 0804 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41C083220FPTR Ear99 8533.21.0020 10000 22 Иолирована 4 - - 8 31,25 м
S41X043303GP CTS Resistor Products S41X043303GP 0,0240
RFQ
ECAD 6459 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,039 "L x 0,039" w (1,00 мк х 1,00 мм) 0,016 "(0,40 мм) Пефер 0404 (1010 МЕТРИКА), В.Пуклый ± 200 мклд/° C. 0404 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41X043303GPTR Ear99 8533.21.0020 10000 30 л.С. Иолирована 2 - - 4 63 м
S41X043223JP CTS Resistor Products S41X043223JP 0,0198
RFQ
ECAD 1993 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,039 "L x 0,039" w (1,00 мк х 1,00 мм) 0,016 "(0,40 мм) Пефер 0404 (1010 МЕТРИКА), В.Пуклый ± 200 мклд/° C. 0404 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41X043223JPTR Ear99 8533.21.0020 10000 22K Иолирована 2 - - 4 63 м
S42X083390JP CTS Resistor Products S42X083390JP 0,0412
RFQ
ECAD 9035 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,024 "(0,60 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), В.Пуклый, Делинн. ± 200 мклд/° C. 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42X083390JPTR Ear99 8533.21.0020 5000 39 Иолирована 4 - - 8 63 м
S42C043621JP CTS Resistor Products S42C043621JP 0,0508
RFQ
ECAD 4293 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,063 "L x 0,063" W (1,60 мм х 1,60 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 0606, vvognuetый ± 200 мклд/° C. 0606 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42C043621JPTR Ear99 8533.21.0020 5000 620 Иолирована 2 - - 4 63 м
S40X043241JP CTS Resistor Products S40X043241JP 0,0901
RFQ
ECAD 8758 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,033 "L x 0,024" W (0,85 мм х 0,60 мм) 0,016 "(0,40 мм) Пефер 0302 (0805 МЕТРИКА), В.Пуклый, Делинн. ± 200 мклд/° C. 0302 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S40X043241JPTR Ear99 8533.21.0020 10000 240 Иолирована 2 - - 4 31 м
S42X083121FP CTS Resistor Products S42X083121FP 0,0560
RFQ
ECAD 4803 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,024 "(0,60 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), В.Пуклый, Делинн. ± 200 мклд/° C. 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42X083121FPTR Ear99 8533.21.0020 5000 120 Иолирована 4 - - 8 63 м
S41C083122FP CTS Resistor Products S41C083122FP 0,0653
RFQ
ECAD 5378 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,018 "(0,45 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. ± 200 мклд/° C. 0804 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41C083122FPTR Ear99 8533.21.0020 10000 1,2K Иолирована 4 - - 8 31,25 м
S41X083563GP CTS Resistor Products S41X083563GP 0,0269
RFQ
ECAD 6259 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,018 "(0,45 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. ± 200 мклд/° C. 0804 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41X083563GPTR Ear99 8533.21.0020 10000 56K Иолирована 4 - - 8 31 м
S41X043104JP CTS Resistor Products S41X043104JP 0,0198
RFQ
ECAD 3342 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,039 "L x 0,039" w (1,00 мк х 1,00 мм) 0,016 "(0,40 мм) Пефер 0404 (1010 МЕТРИКА), В.Пуклый ± 200 мклд/° C. 0404 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41X043104JPTR Ear99 8533.21.0020 10000 100 л.С. Иолирована 2 - - 4 63 м
S42X083913JP CTS Resistor Products S42X083913JP 0,0412
RFQ
ECAD 2269 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,024 "(0,60 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), В.Пуклый, Делинн. ± 200 мклд/° C. 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42X083913JPTR Ear99 8533.21.0020 5000 91K Иолирована 4 - - 8 63 м
S41X083753FP CTS Resistor Products S41X083753FP 0,0311
RFQ
ECAD 2381 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,018 "(0,45 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. ± 200 мклд/° C. 0804 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41X083753FPTR Ear99 8533.21.0020 10000 75K Иолирована 4 - - 8 31 м
S42C083204FP CTS Resistor Products S42C083204FP 0,0914
RFQ
ECAD 7815 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), ВОЗ ± 200 мклд/° C. 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42C083204FPTR Ear99 8533.21.0020 5000 200k Иолирована 4 - - 8 63 м
S41X083910FP CTS Resistor Products S41x083910FP 0,0311
RFQ
ECAD 6217 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,018 "(0,45 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. ± 200 мклд/° C. 0804 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41X083910FPTR Ear99 8533.21.0020 10000 91 Иолирована 4 - - 8 31 м
S41C083243JP CTS Resistor Products S41C083243JP 0,0481
RFQ
ECAD 2746 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,018 "(0,45 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. ± 200 мклд/° C. 0804 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41C083243JPTR Ear99 8533.21.0020 10000 24K Иолирована 4 - - 8 31,25 м
S42C083133JP CTS Resistor Products S42C083133JP 0,0680
RFQ
ECAD 5453 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), ВОЗ ± 200 мклд/° C. 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42C083133JPTR Ear99 8533.21.0020 5000 13K Иолирована 4 - - 8 63 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе